The present invention relates to a composition that can be used to passivate germanium containing materials on microelectronic devices with germanium containing materials.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】锗表面的钝化
本专利技术涉及一种用于使微电子装置表面上的含锗材料钝化的组合物及过程。
技术介绍
在过去的几十年里,集成电路中的特征的扩展已使半导体芯片上的功能单元的密度增加。举例来说,缩减晶体管大小允许将更多的存储器装置并入于芯片上,从而使得制造容量增加的产品。对于集成电路装置,在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的制造中,除了硅之外的半导电结晶材料可为有利的。一种此材料的实例是Ge,其相对于硅提供若干潜在有利的特征,例如(但不限于)高载流子(电洞)迁移率、带隙偏移、不同晶格常数及与硅成合金以形成半导体二元合金SiGe的能力。在现代晶体管设计中使用Ge的一个问题是目前针对这些年来积极缩放的硅FET所实现的极细特征(例如,22nm及以下)现在于Ge中难以实现,当以较不积极缩放的形式实施时通常使潜在基于材料的性能增益重新开始。举例来说,MOSFET的性能强烈地受通道栅极电介质界面处的电活性缺陷影响。在具有硅通道的装置中,可通过在通道表面上谨慎形成薄氧化物来实现低界面陷阱密度(Dit)。对于具有锗通道的装置,不可通过此氧化过程轻易地实现低Dit。本专利技术的目的是提供用于使微电子装置上的含锗表面钝化的组合物。不受理论的束缚,认为在含锗表面上形成表面层(即钝化)将抑制含锗表面处的氧化及提供低界面陷阱密度。
技术实现思路
本专利技术涉及一种用于使包括含锗表面的微电子装置上的含锗表面钝化的组合物及过程。一方面,描述一种使微电子装置表面上的含锗材料钝化的方法,所述方法包括使包括所述含锗材料的所述微电子装置接触包括水及从由以下各物组成的群组选出的至少一种表面活性化合 ...
【技术保护点】
一种钝化微电子装置表面上的含锗材料的方法,所述方法包括使包括所述含锗材料的所述微电子装置接触包括水及从由以下各物组成的群组选出的至少一种表面活性化合物的钝化组合物:α‑羟基酸、胺类、唑类、羧酸类、二醇类、二硫化物类、二硫醇类、硒化物类、亚硫酸盐、硫醚、硫醇类、硫醇、硫甘醇、邻羟基苯硫酚及其组合。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.14 US 62/205,3191.一种钝化微电子装置表面上的含锗材料的方法,所述方法包括使包括所述含锗材料的所述微电子装置接触包括水及从由以下各物组成的群组选出的至少一种表面活性化合物的钝化组合物:α-羟基酸、胺类、唑类、羧酸类、二醇类、二硫化物类、二硫醇类、硒化物类、亚硫酸盐、硫醚、硫醇类、硫醇、硫甘醇、邻羟基苯硫酚及其组合。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述接触包括从由以下各方法组成的群组选出的方法:在所述装置的所述表面上喷涂所述钝化组合物、将所述装置浸入所述钝化组合物中、使所述装置接触其上具有吸附的所述钝化组合物的另一材料及使所述装置接触循环钝化组合物。3.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述至少一种表面活性化合物包括从由以下各物组成的群组选出的至少一种物质:2-羟基-正辛酸、牛磺酸、硫脲、咪唑、氯化1-己基-3-甲基咪唑鎓、1,2,4-三唑、1-十二烷基咪唑、N-辛基咪唑、1-辛基苯并咪唑、1-(正丁基)咪唑、1-甲基咪唑、4-甲基咪唑、苯乙醇酸、丙酮酸、2-氧代辛酸、苯基乙醛酸、2-羟基辛酸、1,2-丁二醇、1,2-己二醇、对甲苯基二硫化物、二苯甲基二硫醚、苯甲基二硫醚、丙基二硫化物、胱胺二盐酸盐、二硫基二羟乙酸、2,2'-二硫基二吡啶、3,6-二氧杂-1,8-辛烷二硫醇、双(2-巯乙基)醚、七乙二醇二硫醇、四乙二醇二硫醇、3,3'-硫基二丙酸双(2-巯乙基)酯、双(2-巯乙基)硫醚、二氧化硒、亚硫酸铵、2,2'-硫基二乙酸、3,3'-硫基二丙酸、硫基二丙酸二(十六烷基)酯、硫基苯甲醚(甲基苯基硫醚)、3,3'-硫基二丙酸双(2-乙基己基)酯、硫基二丙酸二(十三烷基)酯、硫基二丙酸二月桂基酯、二苯基硫醚、3,3'-二硫基二丙酸二甲基酯、3,3'-二硫基二丙酸二乙基酯、3,3'-三硫基二丙酸二甲基酯、3,3'-硫基二丙酸二异丁基酯、硫代二苯酚、硫基二丙酸二-十二烷基酯、3,3'-二硫基二丙酸二异辛基酯、3,3'-硫基二丙酸二甲基酯、1,3二硫环己烷、3,3'-硫基二丙酸二乙基酯、3,3'-二硫基二丙酸双(2,3-二羟丙基)酯、3,3'-硫基二丙酸双(2,3-二羟丙基)酯、3,3'-硫基二丙酸二丁基酯、苯基二硫醚、3,3'-硫基二丙酸月桂基硬脂基酯、硫基二丙酸二肉豆蔻基酯、3,3'-硫基二丙酸二油基酯、硫基二丙酸二-十八烷基酯、3,3'-硫基二丙酸二辛基锡、3,3'-二硫基丙酸二硬脂基酯、硫基二丙酸二硬脂基酯、3,3'-硫基二丙酸、1,3,4-噻二唑-2,5-二硫醇、硫基羟乙酸甲酯、1-辛烷硫醇、1-十二烷硫醇、1-癸烷硫醇、6-巯基己酸、环己烷硫...
【专利技术属性】
技术研发人员:S·比洛迪奥,E·I·库珀,吴幸臻,杨民杰,
申请(专利权)人:恩特格里斯公司,恩特格里斯亚洲公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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