改进的溅射线圈产品和制作方法技术

用于供物理气相沉积装置使用的高表面积线圈包括第一表面。第一表面的至少部分具有表面粗糙度在大约15μm和大约150μm之间的宏观织构。第一表面的至少部分具有表面粗糙度在大约2μm和15μm之间的微观织构。

Improved spatter ring products and production methods

The high surface area coil used for the supply physical vapor deposition device includes a first surface. At least part of the first surface has a macroscopic texture with a surface roughness of about 15 m and about 150 m. At least part of the first surface has a micro texture with a surface roughness of about 2 m and 15 m.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】改进的溅射线圈产品和制作方法
本公开涉及在物理气相沉积装置中使用的线圈和线圈集。更具体地，本公开涉及改进半导体产品产量的线圈以及制作这些线圈的方法。
技术介绍
沉积方法被用来形成跨衬底表面的材料膜。沉积方法可以例如使用在半导体设备制备过程中以便形成最终在制作集成电路和设备中使用的层。已知沉积方法的一个示例是物理气相沉积（PVD）。PVD方法可以包括溅射过程。溅射包括形成要沉积的材料的目标，并且将该目标提供为邻近强电场的带负电的负极。使用电场来离子化低压惰性气体并且形成等离子体。等离子体中带正电的离子被电场朝向带负电的溅射目标加速。离子撞击溅射目标，并且由此喷射目标材料。所喷射的目标材料主要是以原子或者原子群组的形式，并且可以用于在溅射过程期间在置于目标附近的衬底上沉积薄的均匀膜。溅射过程典型地发生在溅射腔室内。溅射腔室系统组件可以包括目标、目标凸缘、目标侧壁、护罩、盖环、线圈、杯体、引脚和/或夹具、以及其它机械组件。通常，在这些系统和/或沉积装置中线圈作为导电耦合设备而存在以便产生充足密度的次级等离子体，从而离子化从目标溅射的金属原子中的至少一些。在离子化的金属等离子体系统中，初级等本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于供物理气相沉积装置使用的高表面积线圈，所述高表面积线圈包括：第一表面；第一表面的至少部分具有表面粗糙度在大约15μm和大约150μm之间的宏观织构；以及具有宏观织构的第一表面的至少部分具有表面粗糙度在大约3μm和15μm之间的微观织构。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.23 US 62/1962101.一种用于供物理气相沉积装置使用的高表面积线圈，所述高表面积线圈包括：第一表面；第一表面的至少部分具有表面粗糙度在大约15μm和大约150μm之间的宏观织构；以及具有宏观织构的第一表面的至少部分具有表面粗糙度在大约3μm和15μm之间的微观织构。2.权利要求1所述的高表面积线圈，其中微观织构表面粗糙度在大约5μm和大约10μm之间。3.权利要求1或2中任一项所述的高表面积线圈，其中具有微观织构的第一表面的部分具有在大约140%和大约1000%之间的宏观织构百分比表面积。4.权利要求1-3中任一项所述的高表面积线圈，其中具有宏观织构的第一表面的部分具有在大约140%和大约300%之间的微观织构百分比表面积。5.权利要求1-4中任一项所述的高表面积线...

【专利技术属性】
技术研发人员：JA邓洛普，KT休伯特，JC鲁兹卡，ANA雷格，MD布隆德尔，WP贾迪，PF约翰，EP拉拉，WD迈尔，AP道布，SA巴克哈特，TC琼蒂拉，
申请(专利权)人：霍尼韦尔国际公司，
类型：发明
国别省市：美国,US