HDP工艺成膜方法技术

本发明专利技术公开了一种HDP工艺成膜方法，HDP工艺同时包括介质层淀积工艺和介质层刻蚀工艺，在采用所述HDP工艺进行成膜的过程中，采用如下步骤对所述HDP工艺进行设置：将HDP工艺的介质层淀积工艺和介质层刻蚀工艺分布拆分为多个，每一个介质层淀积工艺和一个对应的介质层刻蚀工艺组成一组；每一组的介质层淀积工艺的参数当前薄膜层的形貌进行设置；每一组的所述介质层刻蚀工艺的参数根据当前薄膜层的形貌进行设置。本发明专利技术能实现沟槽良好填充和填充速率的平衡，能提高工艺参数调节的窗口范围。

【技术实现步骤摘要】
HDP工艺成膜方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别涉及一种HDP工艺成膜方法。
技术介绍
半导体制造工艺过程中，大量的形成浅沟槽隔离(STI)或层间膜(ILD)的工艺中需要使用高密度等离子体(HDP)工艺，由HDP工艺同时具有淀积和刻蚀的能力所以具有良好的沟槽填充(gapfill)能力。STI工艺中主要是在STI的浅沟槽形成之后，采用HDP淀积氧化层实现将浅沟槽完全填充从而形成STI结构。ILD工艺中也存在在凹槽结构，采用HDP淀积氧化层实现对ILD的凹槽填充从而实现ILD工艺。在半导体集成电路生产设备中，HDP工艺是在HDP设备上完成的且是自动运行，所以，在HDP设备上设置有和HDP实际工艺相对应的程序，如图1所示，是现有HDP工艺成膜方法的程序的结构图；从图1所示的程序结构来分析实际的HDP工艺可以看出，HDP工艺包括：标记101对应的衬垫层(liner)形成工艺。之后进行标记102a对应的介质层淀积(Depstep)工艺。再进行标记102b对应的介质层刻蚀(Etchstep)工艺。最后进行标记103对应的覆盖层(Caplayer)形成工艺。图1对应的HDP工艺中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种HDP工艺成膜方法，其特征在于：HDP工艺同时包括介质层淀积工艺和介质层刻蚀工艺，在采用所述HDP工艺进行成膜的过程中，采用如下步骤对所述HDP工艺进行设置：将所述HDP工艺的介质层淀积工艺和介质层刻蚀工艺分布拆分为多个，每一个所述介质层淀积工艺和一个对应的所述介质层刻蚀工艺组成一组，通过多组所述介质层淀积工艺和所述介质层刻蚀工艺组成所述HDP工艺；每一组的所述介质层淀积工艺的参数根据薄膜层的当前形貌进行设置，在满足在当前薄膜层的形貌上进行成膜的基础上增加对应组的所述介质层淀积工艺的淀积速率；每一组的所述介质层刻蚀工艺的参数根据薄膜层的当前形貌进行设置，每一组的所述介质层刻蚀工艺完成后要求...

【技术特征摘要】
1.一种HDP工艺成膜方法，其特征在于：HDP工艺同时包括介质层淀积工艺和介质层刻蚀工艺，在采用所述HDP工艺进行成膜的过程中，采用如下步骤对所述HDP工艺进行设置：将所述HDP工艺的介质层淀积工艺和介质层刻蚀工艺分布拆分为多个，每一个所述介质层淀积工艺和一个对应的所述介质层刻蚀工艺组成一组，通过多组所述介质层淀积工艺和所述介质层刻蚀工艺组成所述HDP工艺；每一组的所述介质层淀积工艺的参数根据薄膜层的当前形貌进行设置，在满足在当前薄膜层的形貌上进行成膜的基础上增加对应组的所述介质层淀积工艺的淀积速率；每一组的所述介质层刻蚀工艺的参数根据薄膜层的当前形貌进行设置，每一组的所述介质层刻蚀工艺完成后要求保证下一组的所述介质层淀积工艺能进行正常的淀积。2.如权利要求1所述的HDP工艺成膜方法，其特征在于：每一组的所述介质层刻蚀工艺的参数在满足对当前薄膜层的形貌进行刻蚀后能实现下一组的所述介质层淀积工艺能进行正常的淀积的条件下，减少对应组的所述介质层刻蚀工艺的刻蚀量，以提高成膜速率。3.如权利要求1所述的HDP工艺成膜方法，其特征在于：所述HDP工艺成膜对应的所述薄膜层为层间膜，在所述层间膜的成膜前的半导体衬底形貌上具有沟槽，所述层间膜要求对所述沟槽进行填充；或者，所述HDP工艺成膜对应的所述薄膜层为浅沟槽隔离氧化层，在所述浅沟槽隔离氧化层的成膜前的所述半导体衬底形貌上具有沟槽，所述浅沟槽隔离氧化层要求对所述沟槽进行填充。4.如权利要求3所述的HDP工艺成膜方法，其特征在于：在采用所述HDP工艺进行所述薄膜层的成膜过程中，每一组的所述介质层淀积工艺的参数调整所对应的薄膜层的形貌为位于所述沟槽的侧面上的所述薄膜层的形貌；每一组的所述介质层刻蚀工艺的参数调整所对应的薄膜层的形貌为位于所述沟槽的侧面上的所述薄膜层的形貌。5.如权利要求1所述的HDP工艺成膜方法，其特征在于：各组的所述介质层淀积工艺的参数各自设定，各组的所述介质层刻蚀工艺的参数各自设定。6.如权利要求1所述的HDP工艺成膜方法，其特征在于：对所述HDP工艺的相邻的两...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟飞，韩晓刚，陈建维，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31