晶圆侧边去光阻方法技术

本发明专利技术提供了一种晶圆侧边去光阻方法，提供晶圆，所述晶圆具有相对的正面和背面以及连接所述正面和所述背面的侧边，所述晶圆上形成有光阻层；提供光源，使光至少照射到所述侧边且不照射到所述正面，引起光阻层的光学反应；最后去除反应掉的所述光阻层。该方法使用光学原理，通过调整所述晶圆侧边被光照射到的范围，以此来达到调整所述晶圆侧边高度，最后去除反应掉的所述光阻，从而到达高精度控制光阻在晶圆侧边形貌的能力，而且，即使晶圆侧边位置有偏移，但只要光的方向不变，就不会对晶圆侧边产生影响。这种方法形成的光阻在晶圆侧边位置的准确性和边缘的均一性非常好。

【技术实现步骤摘要】
晶圆侧边去光阻方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种晶圆侧边去光阻方法
技术介绍
在半导体制造产业中，当光刻的关键尺寸在45nm以下时，光刻就需要用到浸没式光刻技术以提高光刻的分辨率。对于浸没式光刻机，为防止晶圆边缘的光刻胶污染到曝光机腔体，并在曝光过程中带到晶圆表面形成缺陷，要求晶圆侧边要按照特定的结构分布不同的光刻胶层，光阻层的边缘要完全覆盖掉底部抗反射层，而又不能露到顶层防水层外，这就要求光阻层的边缘所处位置非常精确。目前对于晶圆侧边光阻的处理都是使用化学溶剂从晶圆背面冲洗至侧边，通过液体的特性，化学溶剂从晶背冲到晶圆边缘后，会冲洗掉下晶圆侧边和晶圆侧边最顶端的光阻并稍微卷到上晶圆侧边区，这样来达到清洗晶圆侧边光阻的目的。但是此种方法对于液体喷吐方向和流量以及晶圆放置位置的要求非常高，当喷吐流量过高就会冲洗到晶圆正面，太低又洗不干净晶圆侧边的光阻，另外晶圆洗晶圆侧边时会转动，如果晶圆的位置没有放到转动平台的正中央也会造成晶圆侧边的光阻层均一性不良。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶圆侧边去光阻方法，以解决现有技术中采用化学溶剂清洗晶圆侧边光阻时因液体喷吐流量过大或过小，液体喷吐方向的偏差以及晶圆放置位置的偏差而造成晶圆侧边光阻层均一性不良的问题。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种晶圆侧边去光阻方法，包括以下步骤：提供晶圆，所述晶圆具有相对的正面和背面以及连接所述正面和所述背面的侧边，所述晶圆上形成有光阻层；提供光源，使光至少照射到所述侧边且不照射到所述正面，引起光阻层的光学反应；去除反应掉的所述光阻层。本专利技术提供晶圆侧边去光阻方法利用光学原理，在晶圆背面增加一个光源，通过曝光，把晶圆侧边的光阻层通过光化学反应反应掉，然后去掉反应掉的光阻层。由于使用的是光学方法，可以非常精确的控制晶圆侧边上剩余光阻的形貌。而且，即使晶圆位置有偏移，但只要光的方向不变，就不会对晶圆侧边产生影响。可选的，所述光源为线光源或面光源，且与水平面具有一角度，通过调整所述角度调整所述晶圆侧边被光照射到的范围。可选的，所述光源为线光源或面光源，且与水平面具有一角度，通过调整所述角度调整所述晶圆侧边被光照射到的范围。可选的，通过调整所述晶圆侧边被光照射到的范围，以此来达到调整所述晶圆侧边剩余光阻高度的目的。可选的，所述晶圆上所述光阻层下方还形成有底部抗反射层，所述光阻层完全覆盖所述底部抗反射层。可选的，所述晶圆侧边分成依次相邻的三个部分，包括上晶圆侧边区、晶圆侧边顶端及下晶圆侧边区。可选的，在去除后所述光阻层的边缘落到所述上晶圆侧边区。可选的，所述光源包括汞灯。可选的，去除反应掉的所述光阻层之后，进行浸没式光刻。可选的，在去除反应掉的所述光阻层之后，进行浸没式光刻之前，还包括：形成防水层，所述防水层完全覆盖所述光阻层。可选的，当所述晶圆正面朝上水平放置时，所述光阻层边缘末端与所述防水层边缘末端在竖直方向上的高度差小于等于50μm。综上所述，在本专利技术提供的晶圆侧边去光阻方法中，提供晶圆，所述晶圆具有相对的正面和背面以及连接所述正面和所述背面的侧边，所述晶圆上形成有光阻层；提供光源，使光至少照射到所述侧边且不照射到所述正面，引起光阻层的光学反应；最后去除反应掉的所述光阻层。本专利技术所提供的方法使用光学原理，通过调整所述晶圆侧边被光照射到的范围，以此来达到调整所述晶圆侧边高度，最后去除反应掉的所述光阻，从而到达高精度控制光阻在晶圆侧边形貌的能力，而且，即使晶圆侧边位置有偏移，但只要光的方向不变，就不会对晶圆侧边产生影响。这种方法形成的光阻在晶圆侧边位置的准确性和边缘的均一性非常好。附图说明图1为本专利技术实施例提供的涂完光阻后的晶圆边缘示意图；图2为化学方法清洗晶圆侧边光阻的示意图；图3为本专利技术实施例提供的晶圆侧边去光阻方法的流程示意图；图4为本专利技术专利技术实施例提供的晶圆侧边去光阻方法的示意图；图5为本专利技术实施例提供的晶圆侧边的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的晶圆边缘光刻胶理想结构示意图；其中，11-晶圆，12-抗反射层，13-光阻层，14-光源，21-上晶圆侧边区，22-晶圆侧边顶端，23-下晶圆侧边区，24-晶圆，31-晶圆，32-抗反射层，33-光阻层，34-防水层，41-晶圆，42-抗反射层，43-光阻层，51-晶圆，52-抗反射层，53-光阻层，54-化学溶剂，55-喷头。具体实施方式下面将结合示意图对本专利技术的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。正如
技术介绍
中所述的，晶圆侧边去光阻是半导体制造产业中必不可少的步骤，参阅图1和图2，图1为涂完光阻层之后的晶圆边缘示意图，在所述晶圆41上形成抗反射层42和光阻层43，如图2所示，此时的晶圆已经形成抗反射层32和光阻层33，需要对光阻层的侧边进行去光阻处理，目前对晶圆侧边的处理都是使用化学溶剂54，在晶圆的背面使用喷头55喷洒化学溶剂54，使得化学溶剂54从晶圆41背面冲洗至侧边，但是此种方法对于液体喷吐方向和流量以及晶圆放置位置的要求非常高，当喷吐流量过高就会冲洗到晶圆正面，太低又洗不干净晶圆侧边的光阻，另外晶圆在清洗晶圆侧边的光阻时会转动，如果晶圆的位置没有放到转动平台的正中央也会造成晶圆侧边的光阻均一性不良。因此，在制造半导体器件时，为了解决上述问题，本专利技术提供了一种晶圆侧边去光阻方法。参阅图3，其为本专利技术实施例提供的晶圆侧边去光阻方法的流程示意图，如图3所示，所述晶圆侧边去光阻方法包括以下步骤:步骤S1：提供晶圆，所述晶圆具有相对的正面和背面以及连接所述正面和所述背面的侧边，所述晶圆上形成有光阻层；步骤S2：提供光源，使光至少照射到所述侧边且不照射到所述正面，引起光阻层的光学反应；步骤S3：去除反应掉的所述光阻层。参阅图4，为本专利技术实施例提供的晶圆侧边去光阻方法的示意图。结合图4，详细说明实施例中的晶圆侧边去光阻方法。在步骤S1中，在形成所述光阻层13之前，所述晶圆11上已经形成抗反射层12，所述抗反射层12位于所述光阻层13的下方，所述光阻层13完全覆盖底部抗反射层12。在步骤S2中，如图4所示，此时的晶圆上已经形成抗反射层12和光阻层13，所述光阻层13完全覆盖底部抗反射层12，然后需要使光照射到所述晶圆11侧边，直至所述光阻层13边缘落到所述上晶圆侧边区所需位置，则可停止光照。在一个实施例中，所述光照射所述晶圆11侧边的时间为6s。所述的光源14可以为功率在350～600mW/cm2范围内的光源，所述光源14照出的光可以与晶圆11侧边的光阻发生光化学反应，所述光源可以由汞灯提供，也可以由激光器提供，并不仅限于上述来源，只要满足能与晶圆11侧边发生光化学反应，以便后续去除光阻，其中，所述光源的放置位置可以是不受限制的，只需要保证所述光源发出的光最终照射到晶圆侧边且不照射到晶圆的正面，例如可以通过多个镜子来改变光的路径，使得光照射到晶圆侧边且不照射到晶圆的正面。在步骤S3中，所述光源14为线光源或面光源，且所述光源14与水平面成一定的角度δ，可以通过改变角度δ来调整所述所述晶圆侧边被光照射到的范围，以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆侧边去光阻方法，其特征在于，包括，提供晶圆，所述晶圆具有相对的正面和背面以及连接所述正面和所述背面的侧边，所述晶圆上形成有光阻层；提供光源，使光至少照射到所述侧边且不照射到所述正面，引起光阻层的光学反应；去除反应掉的所述光阻层。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆侧边去光阻方法，其特征在于，包括，提供晶圆，所述晶圆具有相对的正面和背面以及连接所述正面和所述背面的侧边，所述晶圆上形成有光阻层；提供光源，使光至少照射到所述侧边且不照射到所述正面，引起光阻层的光学反应；去除反应掉的所述光阻层。2.如权利要求1所述的晶圆侧边去光阻方法，其特征在于，所述光源为线光源或面光源，且与水平面具有一角度，通过调整所述角度调整所述晶圆侧边被光照射到的范围。3.如权利要求2所述的晶圆侧边去光阻方法，其特征在于，通过调整所述晶圆侧边被光照射到的范围，以调整所述晶圆侧边剩余光阻的高度。4.如权利要求1所述的晶圆侧边去光阻方法，其特征在于，所述晶圆上所述光阻层下方还形成有底部抗反射层，所述光阻层完全覆盖所述底部抗反射层。5.如权利要求1所述的晶圆侧边去光阻方...

【专利技术属性】
技术研发人员：周世均，陈力钧，朱骏，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31