一种晶体管结构、存储单元及存储器阵列制造技术

本实用新型专利技术提供一种晶体管结构、存储单元及存储器阵列，所述晶体管结构包括硅衬底，形成于硅衬底中的隔离结构、有源区域及相互平行、且穿过有源区域和隔离结构的凹槽结构，凹槽结构包括在有源区域和硅衬底中具有第一深度区间的第一凹槽及在隔离结构中具有第二深度区间的第二凹槽，且第一深度区间小于第二深度区间；形成于凹槽结构内侧及底部的阻挡层；及填充凹槽结构以形成凹槽栅极，且硅衬底依循导电层位于第一凹槽内的底部轮廓提供一深度小于第二深度区间的弧形沟道鳍结构，有源区域的上表面分别于凹槽栅极两侧形成源极区和漏极区。通过本实用新型专利技术解决了现有存储器阵列因埋入式栅极字线长短不一而产生的短通道效应或驱动电流过小的问题。

A transistor structure, memory cell and memory array

The utility model provides a transistor structure, a storage unit and a memory array. The transistor structure comprises a silicon substrate, an isolated structure formed in a silicon substrate, an active region and a groove structure that is parallel to each other, and through the active region and isolation structure. The groove structure is included in the active area and the silicon substrate. The first groove in a deep section and a second groove in the second depth interval in the isolation structure, and the first depth section is less than second depth interval; the barrier layer formed at the inner and bottom of the groove structure; and filling the groove structure to form a groove gate, and the silicon substrate is based on the bottom wheel in the first groove in accordance with the conductive layer. The outline provides an arc groove fin structure with a depth less than second depth intervals, and the upper surface of the active region forms a source and drain region on both sides of the groove gate respectively. The utility model solves the problem of short channel effect or too small driving current due to the different length of buried grid word line in the existing memory array.

【技术实现步骤摘要】
一种晶体管结构、存储单元及存储器阵列
本技术属于集成电路制造
，特别是涉及一种晶体管结构、存储单元及存储器阵列。
技术介绍
动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory，简称：DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每一个存储单元主要由一个晶体管与一个由晶体管所操控的电容器所构成，且存储单元会排列成阵列形式，每一个存储单元通过字线与位线彼此电性连接。随着电子产品日益朝向轻、薄、短、小发展，动态随机存取存储器组件的设计也必须符合高集成度、高密度的要求朝小型化发展的趋势发展，为提高动态随机存取存储器的积集度以加快组件的操作速度，以及符合消费者对于小型化电子装置的需求，近年来发展出埋入式栅极字线动态随机存取存储器，以满足上述种种需求。然而，在上述这种结构中，随着动态随机存储器的阵列不断减小，因所述埋入式栅极字线的长短不一致而导致所述存储器阵列问题频发；对于较短的埋入式栅极字线，所述存储器阵列容易产生短通道效应、且不容易保持足够的刷新时间；而对于较长的埋入式栅极字线，则会因长通道而产生驱动电流过小的问题。鉴于此，有必要设计一种新的晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体管结构，其特征在于，所述晶体管结构包括：硅衬底，所述硅衬底中形成有若干相互平行的隔离结构以及由所述隔离结构隔离的有源区域，所述硅衬底还具有；若干相互平行的凹槽结构，所述凹槽结构穿过所述有源区域和位于所述有源区域之间的所述隔离结构，其中，所述凹槽结构包括在所述有源区域和所述硅衬底中且具有第一深度区间的第一凹槽及在所述隔离结构中且具有第二深度区间的第二凹槽，且所述第一深度区间小于所述第二深度区间；阻挡层，形成于所述凹槽结构内侧及底部；及依次填充所述凹槽结构的导电层和绝缘层，以形成凹槽栅极，并且，所述硅衬底依循所述导电层位于所述第一凹槽内的底部轮廓提供一深度小于所述第二深度区间的弧形沟道鳍结...

【技术特征摘要】
1.一种晶体管结构，其特征在于，所述晶体管结构包括：硅衬底，所述硅衬底中形成有若干相互平行的隔离结构以及由所述隔离结构隔离的有源区域，所述硅衬底还具有；若干相互平行的凹槽结构，所述凹槽结构穿过所述有源区域和位于所述有源区域之间的所述隔离结构，其中，所述凹槽结构包括在所述有源区域和所述硅衬底中且具有第一深度区间的第一凹槽及在所述隔离结构中且具有第二深度区间的第二凹槽，且所述第一深度区间小于所述第二深度区间；阻挡层，形成于所述凹槽结构内侧及底部；及依次填充所述凹槽结构的导电层和绝缘层，以形成凹槽栅极，并且，所述硅衬底依循所述导电层位于所述第一凹槽内的底部轮廓提供一深度小于所述第二深度区间的弧形沟道鳍结构，其中，所述有源区域的上表面分别于所述凹槽栅极两侧形成源极区和漏极区。2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述第一深度区间小于所述第二深度区间的差值介于1至60nm，在所述有源区域和所述硅衬底中相邻的两个第一凹槽的第一深度区间的差值小于20nm。3.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，所述第一深度区间为80nm～...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：睿力集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34