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本实用新型提供一种晶体管结构、存储单元及存储器阵列，所述晶体管结构包括硅衬底，形成于硅衬底中的隔离结构、有源区域及相互平行、且穿过有源区域和隔离结构的凹槽结构，凹槽结构包括在有源区域和硅衬底中具有第一深度区间的第一凹槽及在隔离结构中具有第二...
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