半导体存储器装置制造方法及图纸

半导体存储器装置，在通常读出或写入模式与自动再新模式中进行选择动作，包括：感测放大器，自存储器元件读出数据；第1开关元件，在第1期间，在将作为过驱动电压的第1电源电压连接于第1电源中间节点后，在第2期间，将作为阵列电压的第2电源电压连接于第1电源中间节点；第2开关元件，在感测放大器的驱动时将第4电源电压连接于感测放大器的第2电源中间节点；第1电容器，连接于过驱动电压且对过驱动电压进行充电；第3开关元件，在自动再新模式时导通；及电压产生部件，产生第3电源电压并经由第3开关元件与第1电源电压并联地施加。

Semiconductor memory device

A semiconductor memory device, which is selected in the usual readout or write mode and an automatic new mode, including the sensing amplifier, the readout data from the memory element, the first switch element, and the first power supply voltage as the overdrive voltage in the middle of the first power supply during the period of first, during the second period, The second power supply voltage as the array voltage is connected to the intermediate node of the first power supply; the second switch element connects the fourth power supply voltage to the second power intermediate node of the sensing amplifier when the sensing amplifier is driven; the first capacitor is connected to the overdrive voltage and recharged the overdrive voltage; the third switch element reacts automatically. The new mode is switched on; and the voltage generating component generates third power supply voltage and is applied in parallel with the first power supply voltage through the third switching element.

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器装置
本专利技术涉及一种例如同步动态随机存取存储器(SynchronousDynamicRandomAccessMemory，SDRAM)等半导体存储器装置。
技术介绍
图1是表示已知例1的SDRAM的存储器电路的构成例的电路图。在图1中，已知例1的存储器电路是包括存储器胞元MC、感测放大器(senseamplifier)SA30、过驱动电压产生器(overdrivevoltagegenerator，以下称为VOD电压产生器)11、阵列电压产生器(arrayvoltagegenerator，以下称为VARY电压产生器)12、开关元件13、开关元件14及具有电容C1的电容器15而构成。在图1中，存储器胞元MC包括构成存储器元件的存储器电容器(memorycapacitor)Ccell及选择用金属氧化物半导体(MetalOxideSemiconductor，MOS)晶体管Q10。存储器电容器Ccell的一端经由存储节点Ns而连接于MOS晶体管Q10的源极，其另一端连接于规定的电压VCP。MOS晶体管Q10的栅极连接于字线WL，其漏极连接于例如位线BLB。此处，在SDRAM的存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器装置，在通常读出或写入模式与自动再新模式中进行选择动作，包括：感测放大器，具有第1电源中间节点及第2电源中间节点，且自连接于字线及位线的存储器元件读出数据；第1开关元件，在所述感测放大器驱动时的第1期间，在将作为过驱动电压的第1电源电压连接于所述感测放大器的所述第1电源中间节点后，在所述感测放大器驱动时的第2期间，将比所述第1电源电压低的作为阵列电压的第2电源电压连接于所述感测放大器的所述第1电源中间节点；第2开关元件，在所述感测放大器的驱动时将规定的第4电源电压连接于所述感测放大器的所述第2电源中间节点；第1电容器，连接于所述过驱动电压且对所述过驱动电压进行充电；第3开关元件...

【技术特征摘要】
2016.11.04 JP 2016-2164491.一种半导体存储器装置，在通常读出或写入模式与自动再新模式中进行选择动作，包括：感测放大器，具有第1电源中间节点及第2电源中间节点，且自连接于字线及位线的存储器元件读出数据；第1开关元件，在所述感测放大器驱动时的第1期间，在将作为过驱动电压的第1电源电压连接于所述感测放大器的所述第1电源中间节点后，在所述感测放大器驱动时的第2期间，将比所述第1电源电压低的作为阵列电压的第2电源电压连接于所述感测放大器的所述第1电源中间节点；第2开关元件，在所述感测放大器的驱动时将规定的第4电源电压连接于所述感测放大器的所述第2电源中间节点；第1电容器，连接于所述过驱动电压且对所述过驱动电压进行充电；第3开关元件，在所述自动再新模式时导通；以及电压产生部件，产生与所述第1电源电压实质上相同的第3电源电压并经由所述第3开关元件与所述第1电源电压并联地施加。2.如权利要求1所述的半导体存储器装置，还包括第2电容器，所述第2电容器连接于所述第3电源电压且对所述第3电源电压进行充电。3.如权利要求2所述的半导体存储器装置，其中将在所述自动再新模式时所述半导体存储器装置中经启动的感测放大器的数量设为A、将在所述通常读出或写入模式时所述半导体存储器装置中经启动的感测放大器的数量设为N、将所述第1电容器的电容值设为C1、将所述第2电容器的电容值设为C2时，以满足下式的方式设定电容值C1、C2，A/N＝(C1+C2)/C1。4.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述第3开关元件为金属氧化物半导体晶体管。5.如权利要求2所述的半导体存储器装置，其中所述第3开关元件具有用于对所述第2电容器的电荷充分进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：广田彰宏，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71