存储器件制造技术

一种存储器件，可以包括：第一单元块到第N单元块；第一位线感测放大器到第(N-1)位线感测放大器，其中的第K位线感测放大器将第K单元块的位线和第(K+1)单元块的位线之间的电势差放大；一个或更多个第一最外位线感测放大器，适用于将第一节点和第一单元块的位线之间的电势差放大，其中，用于驱动第一节点的驱动能力与用于驱动第一单元块的位线的驱动能力不同；以及一个或更多个第二最外位线感测放大器，适用于将第二节点和第N单元块的位线之间的电势差放大，其中，用于驱动第二节点的驱动能力与用于驱动第N单元块的位线的驱动能力不同。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2014年12月8日提交的第10-2014-0174704号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请通过引用整体合并于此。
本专利文件涉及一种存储器件。
技术介绍
诸如双数据率同步动态随机存取存储器(DDRSDRAM)包括大量的存储单元。随着存储器件的集成度的快速提高，在存储器件中包括的存储单元的数量也已增加。安置这样的存储单元以形成阵列，该阵列称作单元块。存储器件的结构可以划分成折叠式位线结构和开放式位线结构。基于安置在存储器件的核心区中的位线感测放大器，折叠式位线结构包括安置在同一单元块中的驱动位线和参考位线。驱动位线指在其中驱动数据的位线，参考位线指在放大操作期间作为参考的位线。因此，由于在驱动位线和参考位线中反射相同的噪声，所以从驱动位线产生的噪声与从参考位线产生的噪声可以抵消。通过这种噪声的抵消，折叠式位线结构有助于支持稳定的器件操作。基于位线感测放大器，开放式位线结构包括安置在不同的单元块中的驱动位线和参考位线。因此，由于在驱动位线中产生的噪声与在参考位线中产生的噪声不同，所以开放式位线结构更容易受这样的噪声影响。在折叠式位线结构中，单位存储单元被设计为具有8F2结构，在开放式位线结构中，单位存储单元被设计为具有6F2结构。这种单位存储单元结构是确定存储器件的尺寸的因素。基于相同的数据储存容量，具有开放式位线结构的存储器件可以被设计得比具有折叠式位线结构的存储器件小。图1是描述具有折叠式位线结构的存储器件的示图。参见图1，具有折叠式位线结构的存储器件可以包括第一单元块110和第二单元块120以及感测放大器130。第一单元块110和第二单元块120中的每个可以包括用于储存数据的多个存储单元阵列。第一单元块110可以包括第一位线BL1和第一位线条BLB1，第二单元块120可以包括第二位线BL2和第二位线条BLB2。感测放大器130响应于第一位线分离信号BISH和第二位线分离信号BISL来感测并放大第一位线BL1和第一位线条BLB1的电压电平，或者感测并放大第二位线BL2和第二位线条BLB2的电压电平。感测放大器130包括晶体管和锁存型感测放大电路，晶体管响应于第一位线分离信号BISH和第二位线分离信号BISL而导通，锁存型感测放大电路执行感测放大操作。如上所述，折叠式位线结构包括安置在一个单元块中的驱动位线和参考位线。例如，当将第一位线分离信号BISH激活到逻辑高电平而将第二位线分离信号BISL去激活到逻辑低电平时，数据沿着激活的字线WL传送至第一位线BL1或第一位线条BLB1。此时，数据所传送至的位线变成驱动位线，与数据所传送至的位线成对的位线变成参考位线。然后，感测放大器130的感测放大电路感测经由第一位线BL1和第一位线条BLB1而传送的数据，并将感测的数据放大到与上拉电源电压RTO和下拉电源电压SB相对应的电压电平，其中，上拉电源电压RTO和下拉电源电压SB作为电源被提供给感测放大电路。图2是描述具有开放式位线结构的存储器件的示图。参见图2，具有开放式位线结构的存储器件包括第一单元块210和第二单元块220以及感测放大器230。第一单元块210和第二单元块220中的每个包括用于储存数据的多个存储单元阵列。第一单元块210包括安置于其中的第一位线BL1，第二单元块220包括安置于其中的第一位线条BLB1。感测放大器230用来感测并放大第一位线BL1和第一位线条BLB1的电压电平。感测放大器230与图1的感测放大电路具有相同的结构。如上所述，开放式位线结构包括安置在一个单元块中的驱动位线以及安置在另一个单元块中的参考位线。例如，当将数据驱动到第一位线BL1时，安置在第二单元块220中的第一位线条BLB1变成参考位线，当将数据驱动到第一位线条BLB1时，安置在第一单元块210中的第一位线BL1变成参考位线。因此，开放式位线结构不需要额外的晶体管以分别操作用于第一单元块210和第二单元块220的感测放大器230，感测放大器230仅需要根据激活的字线WL来感测并放大第一位线BL1和第一位线条BLB1的电压电平。然而，具有开放式位线结构的存储器件需要将安置在最外部分的位线感测放大器的负载差异最小化。
技术实现思路
各种实施例针对一种存储器件，其中，安置在单元块结构的最外部分的位线感测放大器的驱动能力被设置为比安置在单元块之间的位线感测放大器的驱动能力大，由此将在放大最外单元块的数据时由于负载差异而导致的噪声最小化。此外，各种实施例针对一种存储器件，该存储器件能够通过从单元块结构去除虚设单元块而减小具有开放式位线结构的单元块结构的面积。在实施例中，存储器件可以包括：第一单元块到第N单元块，其中，N是大于2的自然数；第一位线感测放大器到第(N-1)位线感测放大器，其中的第K位线感测放大器将第K单元块的位线和第(K+1)单元块的位线之间的电势差放大，其中，K是从1到N-1的自然数；一个或更多个第一最外位线感测放大器，适用于将第一节点和第一单元块的位线之间的电势差放大，其中，用于驱动第一节点的驱动能力与用于驱动第一单元块的位线的驱动能力不同；以及一个或更多个第二最外位线感测放大器，适用于将第二节点和第N单元块的位线之间的电势差放大，其中，用于驱动第二节点的驱动能力与用于驱动第N单元块的位线的驱动能力不同。在实施例中，存储器件可以包括：第一单元块到第N单元块，其中，N是大于2的自然数；第一位线感测放大器到第(N-1)位线感测放大器，其中的第K位线感测放大器将第K单元块的位线和第(K+1)单元块的位线之间的电势差放大，其中，K是从1到N-1的自然数；一个或更多个第一最外位线感测放大器，适用于将第一节点和第一单元块的位线之间的电势差放大，并包括耦接在第一节点和第一单元块的位线之间的三个或更多个反相器；以及一个或更多个第二最外位线感测放大器，适用于将第二节点和第N单元块的位线之间的电势差放大，并包括耦接在第二节点和第N块的位线之间的三个或更多个反相器。在实施例中，存储器件可以包括：多个单元块；多个放大单元，安置在多个单元块之中的两个相邻单元块之间，并包括一个或更多个位线感测放大器，每个位线感测放大器适用于将两个相邻单元块的位线之间的电势差放大；以及第一最外放大单元和第二最外放大单元，分别安置在单元块的最上部分和最下部分，第一最外放大单元和第二最外放大单元中的每个包括一个或更多个最外位线感测放大器，每个最外位线感测放大器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器件，包括：第一单元块到第N单元块，其中，N是大于2的自然数；第一位线感测放大器到第N‑1位线感测放大器，其中的第K位线感测放大器将第K单元块的位线与第K+1单元块的位线之间的电势差放大，其中，K是从1到N‑1的自然数；一个或更多个第一最外位线感测放大器，适用于将第一节点与第一单元块的位线之间的电势差放大，其中，用于驱动第一节点的驱动能力与用于驱动第一单元块的位线的驱动能力不同；以及一个或更多个第二最外位线感测放大器，适用于将第二节点与第N单元块的位线之间的电势差放大，其中，用于驱动第二节点的驱动能力与用于驱动第N单元块的位线的驱动能力不同。

【技术特征摘要】
2014.12.08 KR 10-2014-01747041.一种存储器件，包括：
第一单元块到第N单元块，其中，N是大于2的自然数；
第一位线感测放大器到第N-1位线感测放大器，其中的第K位线感测放大器将第K
单元块的位线与第K+1单元块的位线之间的电势差放大，其中，K是从1到N-1的自然
数；
一个或更多个第一最外位线感测放大器，适用于将第一节点与第一单元块的位线之
间的电势差放大，其中，用于驱动第一节点的驱动能力与用于驱动第一单元块的位线的
驱动能力不同；以及
一个或更多个第二最外位线感测放大器，适用于将第二节点与第N单元块的位线之
间的电势差放大，其中，用于驱动第二节点的驱动能力与用于驱动第N单元块的位线的
驱动能力不同。
2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，第一单元块到第N单元块具有开放式位
线结构。
3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，第一单元块到第N单元块顺序地安置，
第K位线感测放大器安置在第K单元块与第K+1单元块之间，
第一最外位线感测放大器安置在第一位线感测放大器的基于第一单元块的对侧，以
及
第二最外位线感测放大器安置在第N-1位线感测放大器的基于第N单元块的对侧。
4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，第一最外位线感测放大器响应于第一节
点与第一单元块的位线之间的电势差而驱动第一节点和第一单元块的位线，其中，用于
驱动第一单元块的位线的驱动能力比用于驱动第一节点的驱动能力大，以及
第二最外位线感测放大器响应于第二节点与第N单元块的位线之间的电势差而驱动
第二节点和第N单元块的位线，其中，用于驱动第N单元块的位线的驱动能力比用于驱
动第二节点的驱动能力大。
5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，第一最外位线感测放大器包括：
两个或更多个第一反相器，具有耦接到第一节点的输入端子以及耦接到第一单元块
的位线的输出端子；以及
一个或更多个第二反相器，具有耦接到第一单元块的位线的输入端子以及耦接到第
一节点的输出端子，其中，第一反相器的数量大于第二反相器的数量，以及
第二最外位线感测放大器包括：
两个或更多个第三反相器，具有耦接到第二节点的输入端子以及耦接到第N单元块
的位线的输出端子；以及
一个或更多个第四反相器，具有耦接到第N单元块的位线的输入端子以及耦接到第
二节点的输出端子，其中，第三反相器的数量大于第四反相器的数量。
6.根据权利要求4所述的存储器件，其中，第一最外位线感测放大器包括：
第一反相器，具有偶接到第一节点的输入端子以及耦接到第一单元块的位线的输出
端子；以及
第二反相器，具有耦接到第一单元块的位线的输入端子以及耦接到第一节点的输出
端子，其中，第一反相器的驱动能力大于第二反相器的驱动能力，以及
第二最外位线感测...

【专利技术属性】
技术研发人员：金东槿，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR