【技术实现步骤摘要】
本公开的实施方式涉及电子装置，更具体地，涉及一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、半导体装置的集成度主要由单位存储器单元所占据的面积确定。最近，随着在基板上以单层形成存储器单元的半导体装置的集成度的改进达到极限，已提出在基板上层叠存储器单元的三维半导体装置。此外，为了改进这种半导体装置的操作可靠性，已开发了各种结构和制造方法。
技术实现思路
1、在实施方式中，一种半导体装置可包括：栅极结构，其包括在第一方向上延伸的导电层；沟道结构，其位于栅极结构中并且从栅极结构的表面突出；狭缝结构，其位于栅极结构之间并且包括从栅极结构的表面突出的突起；以及压应力源，其连接到狭缝结构的突起并且在第一方向上延伸。
2、在实施方式中，一种半导体装置可包括：源极结构，其位于基板上；栅极结构，其位于基板上，包括在第一方向上延伸的栅极线，并且被设置为在垂直于第一方向的第二方向上彼此相邻；狭缝结构，其位于栅极结构之间并且沿着垂直于第一方向和第二方向二者的第三方向突出到源极结构中；以及氧化图案，其位于源...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述压应力源包括绝缘材料。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述狭缝结构的所述突起包括突出表面和侧壁，并且
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述压应力源包括掺杂剂。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述压应力源包括硼B、磷P或砷As、或其组合。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极结构在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此相邻。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述压应力源包括绝缘材料。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述狭缝结构的所述突起包括突出表面和侧壁，并且
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述压应力源包括掺杂剂。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述压应力源包括硼b、磷p或砷as、或其组合。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极结构在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此相邻。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述狭缝结构包括：
9.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述狭缝结构包括绝缘层。
11.一种半导体装置，该半导体装置包括：
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述氧化图案连接到所述狭缝结构。
13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述氧化图案包括掺杂剂。
14.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述氧化图案包括硼b、磷p或砷as、或其组合。
15.一种半导体装置的制造方法，所述制造方法包括以...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴在永，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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