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本申请涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：栅极结构，其包括在第一方向上延伸的导电层；沟道结构，其位于栅极结构中并且从栅极结构的表面突出；狭缝结构，其位于栅极结构之间并且包括从栅极结构的表面突出的突起；以及压应力源，其连接到狭缝结...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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