反熔丝一次可编程存储器及其形成方法技术

一种反熔丝一次可编程存储器及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，衬底包括选择管区和电容区；在选择管区内形成改性层；形成第一栅介质层和第二栅介质层，第一栅介质层位于改性层上，第二栅介质层位于电容区上，且第一栅介质层的厚度大于第二栅介质层的厚度；形成第一栅结构和第二栅结构，第一栅结构位于第一栅介质层上，第二栅结构位于第二栅介质层上；在第一栅结构两侧的选择管区内形成源漏掺杂层。通过改性层选择管区内的特性，使得第一栅介质层在改性层上的生长速度大于第二栅介质层在电容区上的生长速度。因此可以通过一次生长工艺同时形成厚度不同的第一栅介质层和第二栅介质层，以此简化工艺制程，降低制作成本，提高制作效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种反熔丝一次可编程存储器及其形成方法。

技术介绍

1、嵌入式非易失性存储器(envm)技术已被采用在诸如后硅验证，存储器修复，在线现场试验和安全id存储之类的应用场景。envm也是用于自我修复应用的关键组件，其中关于时间相关的故障机制(诸如电路老化)的信息必须在系统断电周期期间被保留。反熔丝一次可编程(one time programmable，otp)存储器已被广泛用于标准逻辑过程中的存储器修复。

2、反熔丝在本机未编程状态下是不导电的，并且在被编程时变得导电，因此被称为反熔丝。在集成电路中，反熔丝通常由夹在两个导体之间的薄介电层构成。为了编程反熔丝，在两个导体之间施加高电压。这导致薄介电层的物理和永久击穿以及两个导体之间的电流传导路径的形成。因此，反熔丝可以用作存储器元件。反熔丝的编程状态表示数据“1”和未编程状态“0"，反之亦然。一旦被编程，反熔丝存储器就不能恢复到未编程状态，即，它是一次性可编程(otp)存储器。即使在电源被关闭之后，反熔丝也保持导电或不导电状态，从而使数据非易失性。因此，反熔丝存储器本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种反熔丝一次可编程存储器的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述反熔丝一次可编程存储器的形成方法，其特征在于，在所述选择管区内形成改性层的方法包括：在所述衬底上形成第一图形化层，所述第一图形化层暴露出部分所述选择管区表面；以所述第一图形化层为掩膜，对所述选择管区注入改性离子，形成所述改性层。

3.如权利要求2所述反熔丝一次可编程存储器的形成方法，其特征在于，所述改性离子包括：砷、磷或硼。

4.如权利要求1所述反熔丝一次可编程存储器的形成方法，其特征在于，所述第一栅介质层和所述第二栅介质层的形成工艺包括：炉管工艺。</p>

5.如权...

【技术特征摘要】

1.一种反熔丝一次可编程存储器的形成方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述反熔丝一次可编程存储器的形成方法，其特征在于，在所述选择管区内形成改性层的方法包括：在所述衬底上形成第一图形化层，所述第一图形化层暴露出部分所述选择管区表面；以所述第一图形化层为掩膜，对所述选择管区注入改性离子，形成所述改性层。

3.如权利要求2所述反熔丝一次可编程存储器的形成方法，其特征在于，所述改性离子包括：砷、磷或硼。

4.如权利要求1所述反熔丝一次可编程存储器的形成方法，其特征在于，所述第一栅介质层和所述第二栅介质层的形成工艺包括：炉管工艺。

5.如权利要求1所述反熔丝一次可编程存储器的形成方法，其特征在于，所述第一栅介质层的材料包括：氧化硅；所述第二栅介质层的材料包括：氧化硅。

6.如权利要求1所述反熔丝一次可编程存储器的形成方法，其特征在于，所述第一栅结构包括：第一栅极、以及位于所述第一栅极侧壁的第一侧墙；所述第二栅结构包括：第二栅极、以及位于所述第二栅极侧壁的第二侧墙。

7.如权利要求6所述反熔丝一次可编程存储器的形成方法，其特征在于，所述第一栅结构和所述第二栅结构的形成方法包括：在所述衬底上形成栅极材料层；在所述栅极材料层上形成第二图形化层；以所述第二图形化层为掩膜刻蚀所述栅极材料层，直至暴露出所述衬底的表面为止，形成所述第一栅极和所述第二栅极；在所述第一栅极的侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：周欣，朱宏亮，张党柱，郑昊琦，王凤娇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：