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一种反熔丝一次可编程存储器及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，衬底包括选择管区和电容区；在选择管区内形成改性层；形成第一栅介质层和第二栅介质层，第一栅介质层位于改性层上，第二栅介质层位于电容区上，且第一栅介质层的厚度大于第二栅介质层的...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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