【技术实现步骤摘要】
一种用于产生芯片的随机序列号的电路及包括该电路的芯片
本专利技术涉及半导体领域,具体而言涉及一种用于产生芯片的随机序列的电路及包括该电路的芯片。
技术介绍
在半导体领域中,一颗芯片从设计到封装上板需要经过一个很长的制造流程。如果给每颗芯片分配一个专门的用于识别的随机序列号,就可以利用这个随机序列号很快追溯到这颗芯片从前到后的所有制造数据。例如,这颗芯片在晶圆上的位置。芯片中的随机系列号的另外一个应用是在芯片安全方面,通过每个芯片内部IP(知识产权)产生的随机序列号作为加密密钥来加密芯片中的程序和存贮的数据,具有不易破解的特性。目前的技术是利用制造工艺中的mismatch(不匹配),用EFUSE(电可编程熔丝),SRAM(静态随机存取存储器),MOS管等单元产生随机的0或1信号,从而产生随机序列号。这样的电路通常比较复杂,不易制作。本专利技术提出一种新型的用于产生芯片的随机序列号的电路及包括该电路的芯片,以解决现有的技术问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试 ...
【技术保护点】
一种用于产生芯片的随机序列号的电路,其特征在于,所述电路包括第一输出端和第二输出端,其中,所述第一输出端和所述第二输出端基于所述芯片制造过程中的天线效应同时输出相反的数字信号。
【技术特征摘要】
1.一种用于产生芯片的随机序列号的电路,其特征在于,所述电路包括第一输出端和第二输出端,其中,所述第一输出端和所述第二输出端基于所述芯片制造过程中的天线效应同时输出相反的数字信号。2.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述电路还包括:第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管,其中,所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极相连接,并连接地电压;所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极通过金属导线直接相连;所述第一NMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的漏极,所述第二NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的漏极;所述第一PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管的栅极,所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极相连接,并连接电源电压;所述第一输出端从所述第二NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的漏极的连接节点接出;所述第二输出端从所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极的连接节点接出...
【专利技术属性】
技术研发人员:豆江华,湛兴龙,李智,朱澄宇,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,中芯国际集成电路制造北京有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。