一种改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置，包括炉管以及设置在炉管反应腔一侧的氮气喷淋装置，炉管内设有晶舟，其特征在于，氮气喷淋装置和晶舟之间设有导向装置，导向装置使氮气喷淋装置吹出的氮气的吹扫方向朝向晶舟的舟脚的下方。本发明专利技术通过在氮气喷淋装置和晶舟之间安装一层阻隔网，使吹出的氮气方向朝向晶舟的下方，避免气体对舟脚的吹扫从而改善因舟脚掉落微粒造成的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置
本专利技术涉及氮化硅沉积工艺的
，尤其涉及一种氮化硅沉积装置。
技术介绍
随着半导体工艺的发展，在满足工艺要求精度的同时，产品工艺过程的耗费和产品良率也是重要的营运指标。现有的HCD氮化硅沉积工艺机台，通常需要晶舟装载进入炉管内进行作业，装载区的3点钟方向的氮气喷淋装置会将舟脚上附着的微粒吹落到产品晶圆上，形成缺陷，导致产品良率的损失。请参见图1所示，随着机台累积膜厚的增加，舟脚上附着的微粒也会随之增多，那么在晶圆上形成缺陷的数目也会增大，从而导致产品良率的降低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置。为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：一种改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置，包括炉管以及设置在炉管反应腔一侧的氮气喷淋装置，所述炉管内设有晶舟，其特征在于，所述氮气喷淋装置和所述晶舟之间设有导向装置，所述导向装置使所述氮气喷淋装置吹出的氮气的吹扫方向朝向所述晶舟的舟脚的下方。上述的改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置，其中，所述导向装置为阻隔网，所述阻隔网包括固定在所述炉管反应腔内的框架结构以及两端与所述框架结构固定连接的若干导向叶片，若干所述导向叶片的下侧均朝向所述舟脚的下方。上述的改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置，其中，所述阻隔网还包括两端与所述框架结构固定连接的若干导流板，若干所述导流板均竖直设置，每一所述导流板的下端均与一所述导向叶片上端一体式连接。上述的改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置，其中，若干所述导向叶片沿竖直方向排列。上述的改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置，其中，若干所述导向叶片相互平行。上述的改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置，其中，所述框架结构为矩形框架。上述的改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置，其中，每一所述导向叶片与所述框架结构之间的角度可调节。上述的改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置，其中，每一所述导向叶片分别通过一转轴与所述框架结构可转动连接。本专利技术由于采用了上述技术，使之与现有技术相比具有的积极效果是：(1)本专利技术通过在氮气喷淋装置和晶舟之间安装一层阻隔网，使吹出的氮气方向朝向晶舟的下方，避免气体对舟脚的吹扫从而改善因舟脚掉落微粒造成的缺陷。附图说明图1是本专利技术的改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置的晶圆缺陷累积示意图。图2是本专利技术的改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置的示意图。图3是本专利技术的改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置的阻隔网的主视图。图4是本专利技术的改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置的阻隔网的侧视图。附图中：1、炉管；11、反应腔；12、热交换器；2、氮气喷淋装置；3、晶舟；4、阻隔网；41、框架结构；42、导向叶片；43、导流板。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为本专利技术的限定。图2是本专利技术的改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置的示意图，图3是本专利技术的改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置的阻隔网的主视图，图4是本专利技术的改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置的阻隔网的侧视图，请参见图2至图4所示，示出了一种较佳实施例的改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置，包括炉管1以及设置在炉管1的反应腔11一侧的氮气喷淋装置2，炉管1内设有晶舟3，氮气喷淋装置2和晶舟3之间设有导向装置，导向装置使氮气喷淋装置2吹出的氮气的吹扫方向朝向晶舟3的舟脚的下方。此外，作为一种较佳的实施例，导向装置为阻隔网4，阻隔网4包括固定在炉管1的反应腔11内的框架结构41以及两端与框架结构41固定连接的若干导向叶片42，若干导向叶片42的下侧均朝向舟脚的下方，从而避免吹出的氮气对晶舟3的舟脚形成吹扫，导致舟脚上的微粒被吹落至产品晶圆上形成缺陷，达到改善机台颗粒状况以及提高产品良率的效果。另外，作为一种较佳的实施例，阻隔网4还包括两端与框架结构41固定连接的若干导流板43，若干导流板43均竖直设置，每一导流板43的下端均与一导向叶片42上端一体式连接。氮气喷淋装置2吹出的氮气经过导流板43的阻挡向下运动，经过导向叶片42的斜向下方向的导向，吹向晶舟3的舟脚的下方。另一方面，作为一种较佳的实施例，氮气喷淋装置2吹出的氮气经导流板43和导向板31从晶舟3的下方经过，继而从反应腔11的另一侧吹出，再经过设置于反应腔11下方的热交换器12进行冷却，最后回到氮气喷淋装置2的进气口循环。以上所述仅为本专利技术较佳的实施例，并非因此限制本专利技术的实施方式及保护范围。本专利技术在上述基础上还具有如下实施方式：本专利技术的进一步实施例中，为了适应不同的反应腔高度和晶舟的设置高度，阻隔网4的导向叶片42与导流板43之间通过转轴可转动地密封连接，用于调整导向叶片42与竖直的导流板43之间的角度，从而调整吹出的氮气的风向以确保不对舟脚形成吹扫。本专利技术的进一步实施例中，每一导向叶片42的转轴的一端均设有一齿轮，若干导向叶片42之间通过一齿轮带同步传动，以实现同时调整若干导向叶片42的角度。本专利技术的进一步实施例中，请继续参见图2至图4所示，若干导向叶片42沿竖直方向排列。本专利技术的进一步实施例中，若干导向叶片42相互平行。本专利技术的进一步实施例中，阻隔网4的框架结构41为矩形框架，此外框架结构41也可以根据炉管的形状等实际情况选择圆环形、椭圆形等其他形状。本专利技术的进一步实施例中，阻隔网4的材料、大小、长短等均可以根据实际情况具体选择。本专利技术的进一步实施例中，同一炉管1内的反应腔11的壁上可设置若干阻隔网4。以上所述仅为本专利技术较佳的实施例，并非因此限制本专利技术的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本专利技术说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本专利技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置，包括炉管以及设置在炉管反应腔一侧的氮气喷淋装置，所述炉管内设有晶舟，其特征在于，所述氮气喷淋装置和所述晶舟之间设有导向装置，所述导向装置使所述氮气喷淋装置吹出的氮气的吹扫方向朝向所述晶舟的舟脚的下方。

【技术特征摘要】
1.一种改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置，包括炉管以及设置在炉管反应腔一侧的氮气喷淋装置，所述炉管内设有晶舟，其特征在于，所述氮气喷淋装置和所述晶舟之间设有导向装置，所述导向装置使所述氮气喷淋装置吹出的氮气的吹扫方向朝向所述晶舟的舟脚的下方。2.根据权利要求1所述的改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置，其特征在于，所述导向装置为阻隔网，所述阻隔网包括固定在所述炉管反应腔内的框架结构以及两端与所述框架结构固定连接的若干导向叶片，若干所述导向叶片的下侧均朝向所述舟脚的下方。3.根据权利要求2所述的改善HCD氮化硅沉积工艺过程缺陷状况的装置，其特征在于，所述阻隔网还包括两端与所述框架结构固定连接的若干导流板，若干所述导流板均竖直...

【专利技术属性】
技术研发人员：张卫涛，张召，王智，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31