一种单面抛光超薄晶圆加工方法技术

本发明专利技术公开了一种单面抛光超薄晶圆加工方法，包括如下步骤：首先将黏着介质涂布在第一片晶片的背面，另外一片晶片的背面与已经涂好黏着介质的晶片进行背对背黏合，形成一片复合晶片，复合晶片的厚度具有原本单面抛光晶片两倍的厚度，然后使用双面抛光工艺对复合晶片进行双面抛光加工，加工完成后再将晶片之间的黏着介质去除。本发明专利技术可以完全免除传统工艺需要再透过单面粗化的作法才能得到高平坦度的晶片水准，以达到高产出、工艺简化、成本降低的目的，解决了传统加工工艺无法达到钽酸锂(LiTaO3；LT)晶片厚度＜200um，平坦度在5mm

【技术实现步骤摘要】
一种单面抛光超薄晶圆加工方法
本专利技术涉及晶片抛光
，具体为一种单面抛光超薄晶圆加工方法。
技术介绍
目前国外对于LT晶片加工的主流方法为双面抛光后进行单面粗化来达到制程应用的需求，但此种工艺需对芯片进行双面抛光加工，加工时间与成本上升许多，且难以保证单面粗化的过程对于晶片另一表面不会造成损伤。国内另有一种现有工法为单面抛光制程，该制程利用上蜡或者吸附垫方式将晶片固定住，然而此作法做出来的晶片平坦度水准较双抛工艺差，常常造成后段黄光微影制程的困扰，致使晶片上的图形精度表现不佳甚至短路。双抛工艺受限夹治具的刚性强度要求，晶片越往薄化发展代表对应的夹具需要更薄，此时夹具刚性已无法提供稳定的加工保证，成品率将大幅降低或者加工成本会大幅上升。使用上蜡将晶片固定的作法也容易因为上下蜡制程普遍需要升温或降温促使身为压电材料的LT晶片发生破碎，尤其是晶片厚度较薄时。使用吸附垫方式将晶片固定的作法也无法将晶片做薄，主要原因为LT晶片材质易碎薄化过程中背面使用软的吸附垫晶片容易造成形变发生碎片。上述的几项传统加工工艺无法达到钽酸锂(LiTaO3；LT)晶片厚度＜200um，平坦度在5mm2＜0.5um，PLTV＞95％稳定产品品质要求，且加工效率低，工艺复杂，生产成本高，为此，我们提出一种单面抛光超薄晶圆加工方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种单面抛光超薄晶圆加工方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种单面抛光超薄晶圆加工方法，包括如下步骤：首先将黏着介质涂布在第一片晶片的背面，另外一片晶片的背面与已经涂好黏着介质的晶片进行背对背黏合，形成一片复合晶片，复合晶片的厚度具有原本单面抛光晶片两倍的厚度，然后使用双面抛光工艺对复合晶片进行双面抛光加工，加工完成后再将晶片之间的黏着介质去除，即可完成两片平坦度极佳的单面抛光产品。优选的，所述黏着介质采用粘胶剂或胶水，其中粘胶剂采用热塑性粘胶剂、热固性粘胶剂、合成橡胶型粘胶剂、橡胶树脂剂中的一种。优选的，胶水采用聚硫橡胶、硅橡胶、聚氨酯橡胶、氯丁橡胶、丁基橡胶、不饱和聚醋树脂、聚酸丙烯酸醋、环氧丙烯酸醋、聚氨醋丙烯酸醋中的一种。优选的，所述胶水中添加一种光引发剂，当晶片抛光后放置于UV光下进行照射，胶中的光引发剂分子吸收紫外光能后被激发，激发态的分子共价键断裂而生成自由基，以便晶片分离。优选的，所述光引发剂包含裂解型光引发剂、提氢型光引发剂、离子型光引发剂。优选的，所述黏着介质采用粘胶剂时，通过滚筒将粘胶剂平整的粘贴在第一片晶片的表面，然后将第二片晶片粘贴在第一片晶片的表面，形成复合晶片。优选的，所述黏着介质采用胶水时，首先将胶水均匀的涂抹在第一片晶片的表面，然后将第二片晶片粘贴在第一片晶片的表面，形成复合晶片。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术可以免除传统工艺需要再透过单面粗化的作法才能得到高平坦度的晶片水准，以达到高产出(提升2倍)、工艺简化、成本降低的目的，解决了传统加工工艺无法达到钽酸锂(LiTaO3；LT)晶片厚度＜200um，平坦度在5mm2＜0.5um，PLTV＞95％稳定产品品质要求，且加工效率低，工艺复杂，生产成本高的问题。具体实施方式下面对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术提供一种技术方案：一种单面抛光超薄晶圆加工方法，包括如下步骤：首先将黏着介质涂布在第一片晶片的背面，另外一片晶片的背面与已经涂好黏着介质的晶片进行背对背黏合，形成一片复合晶片，复合晶片的厚度具有原本单面抛光晶片两倍以上的厚度，然后使用双面抛光工艺对复合晶片进行双面抛光加工，加工完成后再将晶片之间的黏着介质去除，即可完成两片平坦度极佳的单面抛光产品。实施例一：首先将黏着介质涂布在第一片晶片的背面，另外一片晶片的背面与已经涂好黏着介质的晶片进行背对背黏合，形成一片复合晶片，复合晶片的厚度具有原本单面抛光晶片两倍的厚度，然后使用双面抛光工艺对复合晶片进行双面抛光加工，加工完成后再将晶片之间的黏着介质去除，即可完成两片平坦度极佳的单面抛光产品。实施例二：在实施例一中，再加上下述工序：黏着介质采用粘胶剂或胶水，其中粘胶剂采用热塑性粘胶剂、热固性粘胶剂、合成橡胶型粘胶剂、橡胶树脂剂中的一种，胶水采用聚硫橡胶、硅橡胶、聚氨酯橡胶、氯丁橡胶、丁基橡胶、不饱和聚醋树脂、聚酸丙烯酸醋、环氧丙烯酸醋、聚氨醋丙烯酸醋中的一种；胶水中添加一种光引发剂，当晶片抛光后放置于UV光下进行照射，胶中的光引发剂分子吸收紫外光能后被激发，激发态的分子共价键断裂而生成自由基，以便晶片分离；光引发剂包含裂解型光引发剂、提氢型光引发剂、离子型光引发剂。首先将黏着介质涂布在第一片晶片的背面，另外一片晶片的背面与已经涂好黏着介质的晶片进行背对背黏合，形成一片复合晶片，复合晶片的厚度具有原本单面抛光晶片两倍以上的厚度，然后使用双面抛光工艺对复合晶片进行双面抛光加工，加工完成后再将晶片之间的黏着介质去除，即可完成两片平坦度极佳的单面抛光产品；其中黏着介质采用粘胶剂或胶水，其中粘胶剂采用热塑性粘胶剂、热固性粘胶剂、合成橡胶型粘胶剂、橡胶树脂剂中的一种，胶水采用聚硫橡胶、硅橡胶、聚氨酯橡胶、氯丁橡胶、丁基橡胶、不饱和聚醋树脂、聚酸丙烯酸醋、环氧丙烯酸醋、聚氨醋丙烯酸醋中的一种；胶水中添加一种光引发剂，当晶片抛光后放置于UV光下进行照射，胶中的光引发剂分子吸收紫外光能后被激发，激发态的分子共价键断裂而生成自由基，以便晶片分离；光引发剂包含裂解型光引发剂、提氢型光引发剂、离子型光引发剂。实施例三：在实施例二中，再加上下述工序：黏着介质采用粘胶剂时，通过滚筒将粘胶剂平整的粘贴在第一片晶片的表面，然后将第二片晶片粘贴在第一片晶片的表面，形成复合晶片。首先将黏着介质涂布在第一片晶片的背面，另外一片晶片的背面与已经涂好黏着介质的晶片进行背对背黏合，形成一片复合晶片，复合晶片的厚度具有原本单面抛光晶片两倍的厚度，然后使用双面抛光工艺对复合晶片进行双面抛光加工，加工完成后再将晶片之间的黏着介质去除，即可完成两片平坦度极佳的单面抛光产品；其中黏着介质采用粘胶剂或胶水，其中粘胶剂采用热塑性粘胶剂、热固性粘胶剂、合成橡胶型粘胶剂、橡胶树脂剂中的一种，胶水采用聚硫橡胶、硅橡胶、聚氨酯橡胶、氯丁橡胶、丁基橡胶、不饱和聚醋树脂、聚酸丙烯酸醋、环氧丙烯酸醋、聚氨醋丙烯酸醋中的一种；胶水中添加一种光引发剂，当晶片抛光后放置于UV光下进行照射，胶中的光引发剂分子吸收紫外光能后被激发，激发态的分子共价键断裂而生成自由基，以便晶片分离；光引发剂包含裂解型光引发剂、提氢型光引发剂、离子型光引发剂；当黏着介质采用粘胶剂时，通过滚筒将粘胶剂平整的粘贴在第一片晶片的表面，然后将第二片晶片粘贴在第一片晶片的表面，形成复合晶片。实施例四：在实施例三中，再加上下述工序：当黏着介质采用胶水时，首先将胶水均匀的涂抹在第一片晶片的表面，然后将第二片晶片粘贴在第一片晶片的表面，形成复合晶片。首先将黏着介质涂布在第一片晶片的背面，另外一片晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单面抛光超薄晶圆加工方法，其特征在于：包括如下步骤：首先将黏着介质涂布在第一片晶片的背面，另外一片晶片的背面与已经涂好黏着介质的晶片进行背对背黏合，形成一片复合晶片，复合晶片的厚度具有原本单面抛光晶片两倍的厚度，然后使用双面抛光工艺对复合晶片进行双面抛光加工，加工完成后再将晶片之间的黏着介质去除，即可完成两片平坦度极佳的单面抛光产品。

【技术特征摘要】
1.一种单面抛光超薄晶圆加工方法，其特征在于：包括如下步骤：首先将黏着介质涂布在第一片晶片的背面，另外一片晶片的背面与已经涂好黏着介质的晶片进行背对背黏合，形成一片复合晶片，复合晶片的厚度具有原本单面抛光晶片两倍的厚度，然后使用双面抛光工艺对复合晶片进行双面抛光加工，加工完成后再将晶片之间的黏着介质去除，即可完成两片平坦度极佳的单面抛光产品。2.根据权利要求1所述的一种单面抛光超薄晶圆加工方法，其特征在于：所述黏着介质采用粘胶剂或胶水，其中粘胶剂采用热塑性粘胶剂、热固性粘胶剂、合成橡胶型粘胶剂、橡胶树脂剂中的一种。3.根据权利要求2所述的一种单面抛光超薄晶圆加工方法，其特征在于：所述胶水采用聚硫橡胶、硅橡胶、聚氨酯橡胶、氯丁橡胶、丁基橡胶、不饱和聚醋树脂、聚酸丙烯酸醋、环氧丙烯酸醋、聚氨醋丙烯酸醋中的一种。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：陈铭欣，刘明章，王士玮，吴柯宏，李源萍，林永活，王海呈，
申请(专利权)人：福建晶安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35