【技术实现步骤摘要】
一种单面抛光超薄晶圆加工方法
本专利技术涉及晶片抛光
，具体为一种单面抛光超薄晶圆加工方法。
技术介绍
目前国外对于LT晶片加工的主流方法为双面抛光后进行单面粗化来达到制程应用的需求，但此种工艺需对芯片进行双面抛光加工，加工时间与成本上升许多，且难以保证单面粗化的过程对于晶片另一表面不会造成损伤。国内另有一种现有工法为单面抛光制程，该制程利用上蜡或者吸附垫方式将晶片固定住，然而此作法做出来的晶片平坦度水准较双抛工艺差，常常造成后段黄光微影制程的困扰，致使晶片上的图形精度表现不佳甚至短路。双抛工艺受限夹治具的刚性强度要求，晶片越往薄化发展代表对应的夹具需要更薄，此时夹具刚性已无法提供稳定的加工保证，成品率将大幅降低或者加工成本会大幅上升。使用上蜡将晶片固定的作法也容易因为上下蜡制程普遍需要升温或降温促使身为压电材料的LT晶片发生破碎，尤其是晶片厚度较薄时。使用吸附垫方式将晶片固定的作法也无法将晶片做薄，主要原因为LT晶片材质易碎薄化过程中背面使用软的吸附垫晶片容易造成形变发生碎片。上述的几项传统加工工艺无法达到钽酸锂(LiTaO3；LT)晶片厚度＜200um，...
【技术保护点】
一种单面抛光超薄晶圆加工方法，其特征在于：包括如下步骤：首先将黏着介质涂布在第一片晶片的背面，另外一片晶片的背面与已经涂好黏着介质的晶片进行背对背黏合，形成一片复合晶片，复合晶片的厚度具有原本单面抛光晶片两倍的厚度，然后使用双面抛光工艺对复合晶片进行双面抛光加工，加工完成后再将晶片之间的黏着介质去除，即可完成两片平坦度极佳的单面抛光产品。
【技术特征摘要】
1.一种单面抛光超薄晶圆加工方法，其特征在于：包括如下步骤：首先将黏着介质涂布在第一片晶片的背面，另外一片晶片的背面与已经涂好黏着介质的晶片进行背对背黏合，形成一片复合晶片，复合晶片的厚度具有原本单面抛光晶片两倍的厚度，然后使用双面抛光工艺对复合晶片进行双面抛光加工，加工完成后再将晶片之间的黏着介质去除，即可完成两片平坦度极佳的单面抛光产品。2.根据权利要求1所述的一种单面抛光超薄晶圆加工方法，其特征在于：所述黏着介质采用粘胶剂或胶水，其中粘胶剂采用热塑性粘胶剂、热固性粘胶剂、合成橡胶型粘胶剂、橡胶树脂剂中的一种。3.根据权利要求2所述的一种单面抛光超薄晶圆加工方法，其特征在于：所述胶水采用聚硫橡胶、硅橡胶、聚氨酯橡胶、氯丁橡胶、丁基橡胶、不饱和聚醋树脂、聚酸丙烯酸醋、环氧丙烯酸醋、聚氨醋丙烯酸醋中的一种。4....
【专利技术属性】
技术研发人员：陈铭欣，刘明章，王士玮，吴柯宏，李源萍，林永活，王海呈，
申请(专利权)人：福建晶安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35
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