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本发明公开了一种单面抛光超薄晶圆加工方法，包括如下步骤：首先将黏着介质涂布在第一片晶片的背面，另外一片晶片的背面与已经涂好黏着介质的晶片进行背对背黏合，形成一片复合晶片，复合晶片的厚度具有原本单面抛光晶片两倍的厚度，然后使用双面抛光工艺对复...
该专利属于福建晶安光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建晶安光电有限公司授权不得商用。

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