SiGe材料CMOS器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种SiGe材料CMOS器件及其制备方法，该制备方法包括：选取单晶Si衬底；制备Si1‑xGex/Si虚衬底；在所述Si1‑xGex/Si虚衬底表面生长P型Si1‑xGex沟道层；分别制备NMOS和PMOS以完成所述CMOS器件的制备。本发明专利技术提供的CMOS器件与传统Si基CMOS器件相比，具有载流子迁移率高，器件工作速度高，频率特性好，器件界面特性好等优点，从而能大大提高集成电路的工作频率，减小集成电路器件的物理尺寸，进而减小集成电路的面积等优点。

【技术实现步骤摘要】
SiGe材料CMOS器件及其制备方法
本专利技术属半导体器件
，特别涉及一种SiGe材料CMOS器件及其制备方法。
技术介绍
在当前信息爆炸的时代，集成电路扮演着不可或缺的角色。自从集成电路问世以来，短短几十年，取得了飞速的发展。集成电路的发展遵循一个非常重要的定律，即摩尔定律。一块集成电路上所集成的晶体管数目每18个月翻一倍，性能提高一倍，价钱减少一半。随着微电子技术的发展，晶体管的尺寸越来越接近其物理极限，如何使集成电路延续摩尔定律继续发展，是半导体领域需要解决的一个重大问题。集成电路主要由CMOS组成，而CMOS是由互补的NMOS和PMOS组成。集成电路的速度与MOS器件的载流子迁移率息息相关，而器件的尺寸又与集成电路的面积息息相关，如何提高MOS器件的沟道迁移率，缩小器件的尺寸是集成电路发展所急需解决的问题。为了解决芯片速度与面积的问题，引入新型的高迁移率材料是目前大规模集成电路研究的关键解决方案。因此，选用何种材料以及采用何种工艺以制备器件性能更优的CMOS变的越来越重要。
技术实现思路
为了提高CMOS器件的性能，本专利技术提供了一种SiGe材料CMOS器件及其制备方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SiGe材料CMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：S11、选取单晶Si衬底；S12、制备Si1‑xGex/Si虚衬底；S13、在所述Si1‑xGex/Si虚衬底表面生长P型Si1‑xGex沟道层；S14、分别制备NMOS和PMOS以完成所述CMOS器件的制备。

【技术特征摘要】
1.一种SiGe材料CMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：S11、选取单晶Si衬底；S12、制备Si1-xGex/Si虚衬底；S13、在所述Si1-xGex/Si虚衬底表面生长P型Si1-xGex沟道层；S14、分别制备NMOS和PMOS以完成所述CMOS器件的制备。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S12包括：S121、在所述Si衬底表面生长Si1-xGex外延层；S122、在所述Si1-xGex外延层表面生长SiO2保护层；S123、连续晶化包括所述Si衬底、所述Si1-xGex外延层、所述SiO2保护层的整个衬底材料；S124、刻蚀所述SiO2保护层以形成所述Si1-xGex/Si虚衬底材料。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，S121包括：在400℃～500℃温度下，利用磁控溅射方法，以纯度为99.999％本征Si1-xGex为靶材料，在所述Si衬底表面生长所述Si1-xGex外延层；其中，所述Si1-xGex外延层的厚度为300～500nm。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述Si1-xGex外延层中x取值范围为0.7～0.9。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，S123包括：S1231、将包括所述Si衬底、所述Si1-xGex外延层、所述SiO2保护层的整个衬底材料加热至600℃～650℃；S1232、连续激光照射包括所述Si衬底、所述Si1-xGex外延层、所述SiO2保护层的整个衬底材料；所述激光照射参数为：激光波长为795...

【专利技术属性】
技术研发人员：左瑜，
申请(专利权)人：西安科锐盛创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61