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本发明涉及一种SiGe材料CMOS器件及其制备方法，该制备方法包括：选取单晶Si衬底；制备Si1‑xGex/Si虚衬底；在所述Si1‑xGex/Si虚衬底表面生长P型Si1‑xGex沟道层；分别制备NMOS和PMOS以完成所述CMOS器件的...
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