【技术实现步骤摘要】
一种减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域,且特别涉及一种减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法。
技术介绍
现有的离子注入工艺是以光刻胶层为掩膜进行的。在离子注入工艺尤其是大剂量的离子注入工艺后,光刻胶的材质会发生变化,在光刻胶层表面形成一层很硬的交联层。在进行离子注入工艺之后,需要通过灰化(Ash)工艺将位于光刻胶层表面的交联层去除,然后再利用湿法刻蚀工艺将残留的光刻胶层完全去除。在灰化工艺过程中,对半导体衬底造成了损失,并且会在半导衬底上形成电荷污染,会造成最终形成的半导体器件的漏电流增加,比如在CMOS图像传感器中造成暗电流等缺陷。随着半导体工艺技术节点持续缩减,超浅结技术被广泛引用,灰化工艺对器件的性能造成的缺陷越来越明显。现有技术是在侧墙刻蚀工艺之后有数道离子注入工艺,在光刻胶剥离工艺常有工艺更新,不同的光刻胶剥离工艺对晶圆表面的膜影响不同,在后续湿法工艺的作用下导致原注入的离子损失不同,从而对器件造成影响。因此,需要一种针对离子注入工艺后的光刻胶层的去除方法,能够将光刻胶层去除,并且不会损伤半导体衬底,不会造成半导体衬底的电荷污染和缺陷。
技术实现思路
本专利技术提出一种减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法,减少甚至避免光刻胶剥离工艺或者光刻胶工艺变化时对器件的影响。为了达到上述目的,本专利技术提出一种减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法,包括下列步骤:提供半导体衬底,侧墙刻蚀形成浅沟槽隔离结构;在上述结构上生长致密氧化物薄膜层;进行光刻胶旋涂与曝光工艺处理;进行离子注入工艺处理;进行光刻胶玻璃工艺处理后 ...
【技术保护点】
一种减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法,其特征在于,包括下列步骤:提供半导体衬底,侧墙刻蚀形成浅沟槽隔离结构;在上述结构上生长致密氧化物薄膜层;进行光刻胶旋涂与曝光工艺处理;进行离子注入工艺处理;进行光刻胶玻璃工艺处理后进行湿法清洗处理;去除所述致密氧化物薄膜层。
【技术特征摘要】
1.一种减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法,其特征在于,包括下列步骤:提供半导体衬底,侧墙刻蚀形成浅沟槽隔离结构;在上述结构上生长致密氧化物薄膜层;进行光刻胶旋涂与曝光工艺处理;进行离子注入工艺处理;进行光刻胶玻璃工艺处理后进行湿法清洗处理;去除所述致密氧化物薄膜层。2.根据权利要求1所述的减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法,其特征在于,所述致密氧化物薄膜层的厚度为10~30埃。3.根据权利要求1所述的减少光刻...
【专利技术属性】
技术研发人员:孟祥国,李全波,陆连,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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