【技术实现步骤摘要】
一种半导体芯片的清洗方法
本专利技术涉及半导体工艺领域,尤其涉及一种半导体芯片的清洗方法。
技术介绍
由于科技的日新月异,半导体芯片已愈朝微小化加以发展,而芯片多半是具有不同的功效的电子组件,这些电子组件通常是使用焊锡加以焊接在设有电子回路的基板上,这样可使电子组件正常的运作,然而由于电子组件的微小化,芯片生产过程中产生的杂质会严重影响芯片的质量。因此,去除芯片生产过程中的杂质就是十分必要的。
技术实现思路
本专利技术针对上述问题,提出一种半导体芯片的清洗方法,能够有效彻底清洗芯片表面的杂质,提高了芯片的质量,提高了成品率。本专利技术提供了一种半导体芯片的清洗方法,包括以下步骤:将所述待清洗的芯片置放于有机溶剂中进行有机溶剂清洗,以去除杂质,所述有机溶剂清洗过程中,加载有超声波;对芯片进行热处理,以使有机溶剂残留物挥发;热处理后冷却;加水至沸腾,水蒸汽上升,在接触到冷状态下的需要被清洗的组件时,蒸汽冷凝在组件表面,凝结成液态下滑的同时带下组件表面的污染物和残留物,落回到加热槽,之后水再被加热气化上升与冷组件进行接触变成液体滴下,以此循环直至芯片清洗干净为止。进一步的,还包括对芯片进行干燥处理。进一步的,所述有机溶剂是胺碱。进一步的,有机溶剂清洗过程中,有机溶剂的温度范围为50℃~80℃。进一步的,有机溶剂清洗过程中,待清洗的芯片在有机溶剂中清洗时间为5-30分钟。本专利技术提供的一种半导体芯片的清洗方法,方法简单易行,能够有效彻底清洗芯片表面的杂质,提高了芯片的质量,提高了成品率,大大的降低了生产成本。具体实施方式为使本专利技术解决的技术问题、采用的技术方案和 ...
【技术保护点】
一种半导体芯片清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:将所述待清洗的芯片置放于有机溶剂中进行有机溶剂清洗,以去除杂质,所述有机溶剂清洗过程中,加载有超声波;对芯片进行热处理,以使有机溶剂残留物挥发;热处理后冷却;加水至沸腾,水蒸汽上升,在接触到冷状态下的需要被清洗的组件时,蒸汽冷凝在组件表面,凝结成液态下滑的同时带下组件表面的污染物和残留物,落回到加热槽,之后水再被加热气化上升与冷组件进行接触变成液体滴下,以此循环直至芯片清洗干净为止。
【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:将所述待清洗的芯片置放于有机溶剂中进行有机溶剂清洗,以去除杂质,所述有机溶剂清洗过程中,加载有超声波;对芯片进行热处理,以使有机溶剂残留物挥发;热处理后冷却;加水至沸腾,水蒸汽上升,在接触到冷状态下的需要被清洗的组件时,蒸汽冷凝在组件表面,凝结成液态下滑的同时带下组件表面的污染物和残留物,落回到加热槽,之后水再被加热气化上升与冷组件进行接触变成液体滴下,以此循环直...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙兴宁,
申请(专利权)人:奕铭大连科技发展有限公司,
类型:发明
国别省市:辽宁,21
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