一种高粘附力速显影性干膜抗蚀剂制造技术

技术编号:17778537 阅读:37 留言:0更新日期:2018-04-22 06:28
本发明专利技术公开了一种高粘附力速显影性感光干膜抗蚀剂,所述它由溶剂和溶解在溶剂中的浓度为30‑50wt%的抗蚀核心组分组成;所述抗蚀核心组分包含碱可溶性树脂、烯属光聚合性不饱和单体、光聚合引发剂、染色剂和添加剂,所述烯属光聚合不饱和单体包括含环糊精基团的烯属不饱和双键化合物、含有双酚A结构的丙烯酸化合物、含有聚乙二醇链段的二甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯以及含有磷酸基团的丙烯酸羟乙基酯化合物。本发明专利技术所制得的感光干膜抗蚀剂具备高粘附力与快速显影的特点,有效地减少了电镀过程中渗镀、短路的现象,大大提升了电路板生产过程的效率与良品率。

【技术实现步骤摘要】
一种高粘附力速显影性干膜抗蚀剂
本专利技术涉及一种抗蚀剂,尤其涉及一种高粘附力速显影干膜抗蚀剂。
技术介绍
近年来,随着印刷电路趋向集成化、智能化、小型化以及多功能化高速发展,在实际应用中对于高密度、窄配线的集成电路需求越来越大。这就对感光干膜精细分辨率、优异的粘附力、更高显影效率等方面提出了更高的要求。常规的印刷电路板制备过程中,通过碱性显影液将未曝光部分的感光树脂组合物分散或溶解从线路板上除去的过程叫显影工序。一般情况下,显影时间过长可能会导致显影过度,这是由于抗蚀图形与显影液接触时间过久,使其与基板的粘附力减弱,甚至严重的会导抗蚀线路从基板上浮起,在后期电镀与蚀刻工艺中,处理液浸透到抗蚀图形与基板之间,最终导致短路现象。若显影时间过短,那么会导致显影不净,抗蚀图案分辨率下降。此外,较快的显影时间也有助于缩短产品生产周期,增加效益。为了改善干膜抗蚀剂的粘附力与显影速度,很多研究工作者付出了很多努力,如使用硅烷偶联剂的粘性增强剂,但由于粘性增强剂自身化学性质不够稳定从而破坏干膜抗蚀剂的储存稳定性。专利CN200480012068报道了利用含有磷酸酯的丙烯酸树脂来提升感光干膜抗蚀剂的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高粘附力速显影性感光干膜抗蚀剂,其特征在于:它由溶剂和溶解在溶剂中的抗蚀核心组分组成;所述抗蚀核心组分的浓度为30‑50wt%,包含碱可溶性树脂、烯属光聚合性不饱和单体、光聚合引发剂、染色剂和添加剂,它们在抗蚀核心组分中的含量分别为30‑70wt%、15‑60wt%、0.1‑10wt%、0.1‑5wt%、0.01‑1wt%,所述烯属光聚合不饱和单体包括具有下述通式(I)所示的含环糊精基团的烯属不饱和双键化合物、含有双酚A结构的丙烯酸化合物、含有聚乙二醇链段的二甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯以及含有磷酸基团的丙烯酸羟乙基酯化合物,且它们在烯属光聚合性不饱和单体中的含量分别为10‑50w...

【技术特征摘要】
1.一种高粘附力速显影性感光干膜抗蚀剂,其特征在于:它由溶剂和溶解在溶剂中的抗蚀核心组分组成;所述抗蚀核心组分的浓度为30-50wt%,包含碱可溶性树脂、烯属光聚合性不饱和单体、光聚合引发剂、染色剂和添加剂,它们在抗蚀核心组分中的含量分别为30-70wt%、15-60wt%、0.1-10wt%、0.1-5wt%、0.01-1wt%,所述烯属光聚合不饱和单体包括具有下述通式(I)所示的含环糊精基团的烯属不饱和双键化合物、含有双酚A结构的丙烯酸化合物、含有聚乙二醇链段的二甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯以及含有磷酸基团的丙烯酸羟乙基酯化合物,且它们在烯属光聚合性不饱和单体中的含量分别为10-50wt%、10-30wt%、5-15wt%、15-60wt%、1-3wt%。式中,R1和R2分别独立地选自氢、甲基;圆环表示D-吡喃葡萄糖单元连接的环,n表示D-吡喃葡萄糖单元的个数,可以为6-12的任意一个整数。2.根据权利要求1所述的高粘附力速显影性感光干膜抗蚀剂,其特征在于:所述n优选为6-8。3.根据权利要求2所述的高粘附力速显影性感光干膜抗蚀剂,其特征在于:所述n进一步优选为7。4.根据权利要求1所述的高粘附力速显影性感光干膜抗蚀剂,其特征在于,所述碱可溶性树脂...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱薛妍李志强李伟杰周光大林建华
申请(专利权)人:浙江福斯特新材料研究院有限公司
类型:发明
国别省市:浙江,33

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