控制压印材料扩散的方法技术

公开了控制压印材料扩散的方法。在可用于压印光刻的基板上具有限定压印场的位置，所述压印场还由内部区域、围绕所述内部区域的周边区域以及边界进一步限定，其中所述周边区域还包括流体控制特征。允许在压印场位置处沉积在基板上的可聚合材料在基板上扩散，其中流体控制凹凸特征使得可聚合材料的扩散重新定向，以在然后执行进一步的压印光刻技术时最小化可聚合材料扩散超过压印场边界。

【技术实现步骤摘要】
控制压印材料扩散的方法纳米制造包括具有大约100纳米或更小的特征的非常小的结构的制造。纳米制造具有相当大影响的一个应用是集成电路的处理。半导体处理工业持续努力以提高产量，同时增加在基板上形成的每单位面积的电路；因此纳米制造变得越来越重要。纳米制造提供更大的处理控制，同时允许所形成的结构的最小特征尺寸的持续减小。如今使用的示例性纳米制造技术通常被称为纳米压印光刻。纳米压印光刻在各种应用中是有用的，包括例如制造诸如CMOS逻辑、微处理器、NAND闪存、NOR闪存、DRAM存储器或其他存储器器件(诸如MRAM、3D交叉点存储器、Re-RAM、Fe-RAM、STT-RAM等)之类的集成器件的层。示例性的纳米压印光刻处理在诸如美国专利No.8,349,241、美国专利No.8,066,930和美国专利No.6,936,194的许多出版物中有详细描述，所有这些都通过引用并入本文。在上述美国专利中的每一个中公开的纳米压印光刻技术包括在可成形(例如可聚合)层中形成凹凸图案，并将对应于凹凸图案的图案转印到下面的基板中。图案化处理通常使用与基板间隔开的模板，其中可成形物例如通过液滴分配技术作为液体被施加到本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基板，在所述基板上具有限定具有边界的压印场的位置，所述压印场还由内部区域和围绕所述内部区域的周边区域进一步限定，其中所述周边区域还包括流体控制特征；在压印场位置处将可聚合材料沉积到基板上；以及允许可聚合材料在基板上扩散，其中流体控制凹凸特征使得可聚合材料的扩散重新定向，以最小化可聚合材料扩散超过压印场边界。

【技术特征摘要】
2016.10.13 US 15/292,6451.一种方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基板，在所述基板上具有限定具有边界的压印场的位置，所述压印场还由内部区域和围绕所述内部区域的周边区域进一步限定，其中所述周边区域还包括流体控制特征；在压印场位置处将可聚合材料沉积到基板上；以及允许可聚合材料在基板上扩散，其中流体控制凹凸特征使得可聚合材料的扩散重新定向，以最小化可聚合材料扩散超过压印场边界。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述压印场边界具有一个或更多个边缘，并且其中邻近每个所述边缘的流体控制特征按照平行于所述边缘的方向取向。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述流体控制特征还包括细长特征，所述细长特征的长度为所述细长特征的宽度的至少10或100或1000或10000倍。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述流体控制特征还包括线、线段或交错条。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括以下步骤：使得具有图案表面的压印光刻模板与所述基板上的可聚合材料接触以填充所述模板的凹凸图案，其中在所述图案表面上具有所述凹凸图案，并且其中压印光...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶正茂，N·昆斯纳塔迪诺夫，E·B·弗莱彻，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP