一种晶片上沟槽的刻蚀方法技术

一种晶片上沟槽的刻蚀方法。涉及晶片加工工艺，尤其涉及一种晶片上沟槽的刻蚀方法。提供了一种沟槽底面圆滑、生长的氧化层均匀且刻蚀过程中腔体洁净、使用周期长的一种晶片上沟槽的刻蚀方法。包括如下步骤：1）在硅本体表面沉积硬质掩膜层；2）对所述的硬质掩模进行光罩，把不需要刻蚀的地方用保护层做阻挡；3）在没有保护层的区域进行刻蚀，直到露出硅本体表面；4）去除硅本体表面的光罩，并进行清洗，得到干净的表面；5）以硬质掩膜层做阻挡层，对硅本体进行刻蚀，得到所需要深沟槽。本发明专利技术保证了刻蚀用腔体干净整洁，使用周期长，能够加快刻蚀效率，可防止沉积物沉积到腔体和沟槽内影响性能。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片上沟槽的刻蚀方法
本专利技术涉及晶片加工工艺，尤其涉及一种晶片上沟槽的刻蚀方法。
技术介绍
沟槽结构在现今的半导体技术中得到较为广泛的应用。例如，沟槽可作为隔离结构以隔绝不同操作电压的电子器件。将其应用于硅锗双极互补金属氧化半导体工艺中可以减小基片NPN三极管的电容，提高器件的频率特性。又如，深沟槽可应用于超级结MOS晶体管，作为PN结通过耗尽态的电荷平衡达到高击穿电压性能。目前，超级结MOS晶体管制造过程中刻蚀和填充深沟槽的方法是：在p型硅衬底上生长一层n型外延层(单晶硅)，然后在该外延层上刻蚀深沟槽，然后再用p型单晶硅填充该深沟槽，最后用化学机械研磨(CMP)工艺进行表面平坦化。此时该深沟槽结构作为p型半导体柱，该深沟槽结构的两侧作为n型半导体柱，即得到了纵向交替排列的p型和n型半导体柱。该方法中将n型硅与p型硅交换，效果不变。在深沟槽的刻蚀工艺中，通常采用两步刻蚀法。第一步先刻蚀阻挡层(hardmask)，停在硅表面上。在光阻去除以后，再进行第二步深沟槽硅刻蚀。由于通常要达到20～40um(微米)的刻蚀深度，需要产生较长时间的等离子轰击，此时光阻已经去除，在刻蚀过程中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片上沟槽的刻蚀方法，包括如下步骤：1）在硅本体表面沉积硬质掩膜层；2）对所述的硬质掩模进行光罩，把不需要刻蚀的地方用保护层做阻挡；3）在没有保护层的区域进行刻蚀，直到露出硅本体表面；4）去除硅本体表面的保护层，并对光罩进行清洗，得到干净的表面；5）以硬质掩膜层做阻挡层，对硅本体进行刻蚀，得到所需要深沟槽；其特征在于，所述步骤5）中刻蚀硅本体的具体步骤为：5.1）去除硅本体表面的自然氧化层；5.2）利用复合气体一刻蚀需要的沟槽，此时沟槽的底面为平面；5.3）利用复合气体二刻蚀沟槽的底部，沟槽底面形成圆形底面。

【技术特征摘要】
1.一种晶片上沟槽的刻蚀方法，包括如下步骤：1）在硅本体表面沉积硬质掩膜层；2）对所述的硬质掩模进行光罩，把不需要刻蚀的地方用保护层做阻挡；3）在没有保护层的区域进行刻蚀，直到露出硅本体表面；4）去除硅本体表面的保护层，并对光罩进行清洗，得到干净的表面；5）以硬质掩膜层做阻挡层，对硅本体进行刻蚀，得到所需要深沟槽；其特征在于，所述步骤5）中刻蚀硅本体的具体步骤为：5.1）去除硅本体表面的自然氧化层；5.2）利用复合气体一刻蚀需要的沟槽，此时沟槽的底面为平面；5.3）利用复合气体二刻蚀沟槽的底部，沟槽底面形成圆形底面。2.根据权利要求1所述的一种晶片上沟槽的刻蚀方法，其特征在于，所述步骤5.1）中去除自...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁佳，曹俊，蒋方圆，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32