半导体装置的制造方法制造方法及图纸

在硅衬底(10)之上形成SiO2膜(31)，该SiO2膜(31)具有至少1个开口部(OP)。形成构造体(41)，该构造体(41)设置在硅氧化膜(31)之上，在开口部(OP)处到达至硅衬底(10)，由与硅氧化膜(31)相比不易被氢氟酸蚀刻的材料制作。对设置有硅氧化膜(31)以及构造体(41)的硅衬底(10)，进行使用了氢氟酸的湿式蚀刻。在进行湿式蚀刻的工序中，硅氧化膜(31)与构造体(41)的界面被暴露于氢氟酸。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法
本专利技术涉及半导体装置的制造方法，特别是涉及使用了湿式蚀刻的半导体装置的制造方法。
技术介绍
就半导体装置的制造方法而言，有时需要对Si(硅)衬底的表面进行洁净化。具体而言，有时需要将自然氧化膜或异物从Si衬底的表面去除。例如，Si表面之上的异物有可能成为杂质添加时的异常扩散的原因。例如，根据日本特开平8-339996号公报(专利文献1)，在Si衬底之上形成SiO2膜(硅氧化膜)。然后，在硅氧化膜之上形成SiOx膜(x>2)。然后，在硅氧化膜以及SiOx膜的层叠结构形成开口部。伴随开口部的形成工序，在开口部处在Si衬底之上形成自然氧化膜。使用氢氟酸将该自然氧化膜去除。由此，在开口部处得到被氢末端化的洁净的Si表面。专利文献1：日本特开平8-339996号公报
技术实现思路
根据上述公报所记载的技术，硅氧化膜的表面被SiOx膜(x>2)覆盖，由此相对于由氢氟酸引起的蚀刻得到保护。然而，在上述公报的技术中，氢氟酸沿硅氧化膜与SiOx膜的界面侵入，由此，SiOx膜有可能从硅氧化膜剥离。更为通常地进行说明的话，则如下所述。首先，在Si衬底之上设置硅氧化膜。然后，在硅氧化膜之上设置构造体，该构造体是由与硅氧化膜相比不易被氢氟酸蚀刻的材料制作的。在对以上述方式准备好的Si衬底进行使用了氢氟酸的蚀刻的情况下，氢氟酸沿硅氧化膜与构造体的界面侵入，由此构造体有可能从硅氧化膜剥离。就该剥离而言，如果其在半导体装置的制造时产生，则导致成品率的降低，另外，如果在制造后产生，则导致产品寿命的降低。本专利技术就是为了解决上述的课题而提出的，其目的在于提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法能够针对使用了氢氟酸的蚀刻，对设置在硅氧化膜之上的构造体的剥离进行抑制。本专利技术的半导体装置的制造方法具有下述工序。在硅衬底之上形成硅氧化膜，该硅氧化膜具有至少1个开口部。形成构造体，该构造体设置在硅氧化膜之上，在开口部处到达至硅衬底，由与硅氧化膜相比不易被氢氟酸蚀刻的材料制作。对设置有硅氧化膜以及构造体的硅衬底，进行使用了氢氟酸的湿式蚀刻。在进行湿式蚀刻的工序中，硅氧化膜与构造体的界面被暴露于氢氟酸。专利技术的效果根据本专利技术的半导体装置的制造方法，第一，设置在硅氧化膜之上的构造体在硅氧化膜的开口部处到达至硅衬底。由此，在设置构造体的面，设置由开口部形成的凹凸。第二，由与硅氧化膜相比不易被氢氟酸蚀刻的材料制作的构造体向硅氧化膜的开口部内延伸。由此，从硅氧化膜与构造体的界面侵入的氢氟酸的行进被开口部内的构造体阻碍。由此，构造体从硅氧化膜的剥离得到抑制。本专利技术的目的、特征、方案以及优点通过以下的详细说明和附图变得更清楚。附图说明图1是概略地表示本专利技术的实施方式1的半导体装置的结构的局部剖视图。图2是概略地表示本专利技术的实施方式1的半导体装置的制造方法的结构的流程图。图3是概略地表示本专利技术的实施方式1的半导体装置的制造方法的一个工序的局部剖视图。图4是概略地表示本专利技术的实施方式1的半导体装置的制造方法的一个工序的局部剖视图。图5是概略地表示对比例的半导体装置的制造方法的一个工序的局部剖视图。图6是概略地表示对比例的半导体装置的制造方法的一个工序的局部剖视图。图7是概略地表示对比例的半导体装置的制造方法的一个工序的局部剖视图。图8是概略地表示本专利技术的实施方式2的半导体装置的结构的局部剖视图。图9是概略地表示本专利技术的实施方式2的半导体装置的制造方法的一个工序的局部剖视图。图10是概略地表示本专利技术的实施方式2的半导体装置的制造方法的一个工序的局部剖视图。图11是概略地表示本专利技术的实施方式3的半导体装置的结构的局部剖视图。图12是概略地表示本专利技术的实施方式3的半导体装置的制造方法的一个工序的局部剖视图。图13是概略地表示本专利技术的实施方式3的半导体装置的制造方法的一个工序的局部剖视图。图14是概略地表示本专利技术的实施方式4的半导体装置的结构的局部剖视图。图15是概略地表示本专利技术的实施方式4的半导体装置的制造方法的一个工序的局部剖视图。图16是概略地表示本专利技术的实施方式4的半导体装置的制造方法的一个工序的局部剖视图。图17是概略地表示本专利技术的实施方式5的半导体装置的结构的局部剖视图。图18是概略地表示本专利技术的实施方式5的半导体装置的制造方法的一个工序的局部剖视图。图19是概略地表示本专利技术的实施方式5的半导体装置的制造方法的一个工序的局部剖视图。图20是概略地表示本专利技术的实施方式6的半导体装置的结构的局部剖视图。图21是概略地表示本专利技术的实施方式6的半导体装置的制造方法的一个工序的局部剖视图。图22是概略地表示本专利技术的实施方式6的半导体装置的制造方法的一个工序的局部剖视图。图23是概略地表示本专利技术的实施方式7的半导体装置的结构的局部剖视图。图24是概略地表示本专利技术的实施方式7的半导体装置的制造方法的一个工序的局部剖视图。图25是概略地表示本专利技术的实施方式7的半导体装置的制造方法的一个工序的局部剖视图。图26是概略地表示本专利技术的实施方式8的半导体装置的结构的局部剖视图。图27是概略地表示本专利技术的实施方式8的半导体装置的制造方法的一个工序的局部剖视图。图28是概略地表示本专利技术的实施方式8的半导体装置的制造方法的一个工序的局部剖视图。图29是概略地表示本专利技术的实施方式9的半导体装置的结构的局部剖视图。图30是概略地表示本专利技术的实施方式9的半导体装置的制造方法的一个工序的局部剖视图。图31是概略地表示本专利技术的实施方式9的半导体装置的制造方法的一个工序的局部剖视图。具体实施方式下面，基于附图对本专利技术的实施方式进行说明。此外，在以下附图中，对相同或者相当的部分标注相同的参照标号，不重复其说明。<实施方式1>图1是概略地表示本实施方式的二极管91(半导体装置)的结构的局部剖视图。具体而言，二极管91是作为电力用半导体装置的pin二极管。二极管91具有：Si衬底10(硅衬底)、阳极层11、阴极层12、阳极电极膜21、阴极电极膜22、SiO2膜31(硅氧化膜)、以及保护构造体41(构造体)。Si衬底10是由Si制作的单晶衬底。阳极层11是设置在Si衬底10的上表面(一个面)的中央部(图中，左侧)之上的p型杂质扩散层。阴极层12是设置在Si衬底10的下表面(另一个面)之上的n型杂质扩散层。阳极电极膜21设置在阳极层11之上。阳极电极膜21的端部远离Si衬底10的端部(图中，右端)。阴极电极膜22设置在阴极层12之上。阳极电极膜21以及阴极电极膜22的材料优选为相对于Si得到良好的欧姆接触性的材料，例如是Al(铝)、或者Al-Si等铝合金。在Si衬底10的上表面中的、设置有阳极层11的中央部的周围的外周部之上，设置有SiO2膜31。SiO2膜31具有开口部OP。开口部OP既可以呈线状延伸、或者也可以通过局部的孔构成。保护构造体41设置在SiO2膜31之上，向阳极电极膜21的端部之上延伸。由此，保护构造体41将阳极电极膜21局部地覆盖，具体而言，将阳极电极膜21的外周部覆盖。保护构造体41在开口部OP处到达至Si衬底10。保护构造体41中的与阳极电极膜21接触的部分优选由绝缘体制作。另外，保护构造体41的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置(91～99)的制造方法，其具有下述工序：在硅衬底(10)之上形成硅氧化膜(31～33)的工序，该硅氧化膜(31～33)具有至少1个开口部(OP，OQ，OR)；形成构造体(41～49)的工序，该构造体(41～49)设置在所述硅氧化膜之上，在所述开口部处到达至所述硅衬底，由与所述硅氧化膜相比不易被氢氟酸蚀刻的材料制作；以及对设置有所述硅氧化膜以及所述构造体的所述硅衬底，进行使用了氢氟酸的湿式蚀刻的工序，在进行所述湿式蚀刻的工序中，所述硅氧化膜与所述构造体的界面被暴露于氢氟酸。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置(91～99)的制造方法，其具有下述工序：在硅衬底(10)之上形成硅氧化膜(31～33)的工序，该硅氧化膜(31～33)具有至少1个开口部(OP，OQ，OR)；形成构造体(41～49)的工序，该构造体(41～49)设置在所述硅氧化膜之上，在所述开口部处到达至所述硅衬底，由与所述硅氧化膜相比不易被氢氟酸蚀刻的材料制作；以及对设置有所述硅氧化膜以及所述构造体的所述硅衬底，进行使用了氢氟酸的湿式蚀刻的工序，在进行所述湿式蚀刻的工序中，所述硅氧化膜与所述构造体的界面被暴露于氢氟酸。2.根据权利要求1所述的半导体装置(91～99)的制造方法，其中，所述构造体包含绝缘膜，在进行所述湿式蚀刻的工序中，所述硅氧化膜与所述绝缘膜的界面被暴露于氢氟酸。3.根据权利要求2所述的半导体装置(91，92，95，96，98)的制造方法，其中，所述绝缘膜在所述开口部处到达至所述硅衬底。4.根据权利要求3所述的半导体装置(92，96，98)的制造方法，其中，所述至少1个开口部包含多个开口部。5.根据权利要求4所述的半导体装置(98)的制造方法，其中，所述绝缘膜包含第1膜(48i)和第2膜(48j)，该...

【专利技术属性】
技术研发人员：加地考男，吉浦康博，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP