一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法技术

本发明专利技术公开了一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法，其特征在于，包括：衬底介质层、薄膜电阻层、掩蔽层、介质层、隔离层和金属层。进行以下步骤：1)在衬底介质层上淀积一层电阻薄膜层。2)在所述电阻薄膜层上淀积一层掩蔽层。3)通过ICP干法刻蚀的方法去除电阻薄膜层和掩蔽层，形成电阻图形。4)在所述电阻图形上淀积一层介质层。利用光刻刻蚀工艺去除多余的介质层，保留端头介质层。5)利用刻蚀工艺去除薄膜电阻层上多余的掩蔽层，保留端头介质层保护下的掩蔽层。6)在电阻图形上淀积隔离层，并在电阻端头刻蚀形成连接孔。7)淀积金属层，填充连接孔，引出电阻。

A method of making thin film resistance by ICP dry etching

The invention discloses a method for making thin film resistors by dry etching of ICP, which is characterized by comprising: substrate dielectric layer, film resistor layer, masking layer, dielectric layer, isolation layer and metal layer. The following steps are carried out: 1) a layer of resistance film is deposited on the substrate medium layer. 2) a layer of masking is deposited on the resistance film layer. 3) the resistance film layer and masking layer are removed by the dry etching method of ICP, and the resistance figure is formed. 4) a layer of medium is deposited on the resistance figure. The superfluous media layer is removed by photolithography etching, and the end media layer is retained. 5) use the etching process to remove the superfluous masking layer on the film resistance layer, and retain the masking layer under the protection of the end medium layer. 6) the isolation layer is deposited on the resistance figure, and the connection hole is formed by etching at the end of the resistance. 7) deposit the metal layer, fill the connection hole, lead the resistance.

【技术实现步骤摘要】
一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法
本专利技术涉及半导体集成电路领域，具体是一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法。
技术介绍
CRSI薄膜电阻较扩散电阻和注入电阻相比，具有温度系数更低、寄生参量更小和阻值范围更宽等优点，因此成为了高精度集成电路和模块电路精密电阻网络的基础。随着集成电路向高精度、高稳定性方向的进一步发展，对组成精密电阻网络的CRSI薄膜电阻的制备工艺提出了更高的要求。CRSI通常采用湿法刻蚀工艺，但湿法刻蚀对关键尺寸的控制性差，限制了CrSi薄膜的应用。而授予AbbasALI等人的美国专利US20110086488AL公布了一种利用Cl2和O2刻蚀SICR、SICRC、SICRCO、CRON等薄膜的方法，采用反应离子刻蚀(RIE)工艺，刻蚀速率较慢(60秒内刻蚀34nm的SICRC，反应速率为0.57nm/Sec)，且对衬底的损伤控制困难。与RIE工艺相比，ICP等离子体中被加工基片带有自偏压，在加工过程中，通过控制基片射频自偏压的大小可以控制等离子体对基片轰击能量的大小，克服了离子轰击能量和等离子体密度不能独立控制的缺点。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决现有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法，其特征在于，包括：衬底介质层(1)、薄膜电阻层(2)、掩蔽层(3)、介质层(4)、隔离层(5)和金属层(6)；进行以下步骤：1)在衬底介质层(1)上淀积一层电阻薄膜层(2)；2)在所述电阻薄膜层(2)上淀积一层掩蔽层(3)；3)通过ICP干法刻蚀的方法去除电阻薄膜层(2)和掩蔽层(3)，形成电阻图形；4)在所述电阻图形上淀积一层介质层(4)；利用光刻刻蚀工艺去除多余的介质层(4)，保留端头介质层(4)；5)利用刻蚀工艺去除薄膜电阻层(2)上多余的掩蔽层(3)，保留端头介质层(4)保护下的掩蔽层(3)；6)在电阻图形上淀积隔离层(5)，并在电阻端头刻蚀形成...

【技术特征摘要】
1.一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法，其特征在于，包括：衬底介质层(1)、薄膜电阻层(2)、掩蔽层(3)、介质层(4)、隔离层(5)和金属层(6)；进行以下步骤：1)在衬底介质层(1)上淀积一层电阻薄膜层(2)；2)在所述电阻薄膜层(2)上淀积一层掩蔽层(3)；3)通过ICP干法刻蚀的方法去除电阻薄膜层(2)和掩蔽层(3)，形成电阻图形；4)在所述电阻图形上淀积一层介质层(4)；利用光刻刻蚀工艺去除多余的介质层(4)，保留端头介质层(4)；5)利用刻蚀工艺去除薄膜电阻层(2)上多余的掩蔽层(3)，保留端头介质层(4)保护下的掩蔽层(3)；6)在电阻图形上淀积隔离层(5)，并在电阻端头刻蚀形成连接孔；7)淀积金属层(6)，填充连接孔，引出电阻。2.根据权利要求1所述的一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法，其特征在于：所述步骤1)中的电阻薄膜层(2)为含Cr的金属薄膜，包括CrSi。3.根据权利要求1所述的一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法，其特征在于：所述步骤2)中的掩蔽层(...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭亿文，冉明，王学毅，王飞，崔伟，
申请(专利权)人：重庆中科渝芯电子有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆,50