使表面平面化的方法技术

本发明专利技术涉及使表面平面化的方法。在实施例中，一种使表面平面化的方法包括：将第一层应用于包括突出区域的表面以使得所述第一层覆盖所述表面和所述突出区域，所述突出区域包括上表面上的终止层和至少一个化合物半导体；移除在所述突出区域上方的所述第一层的部分并且在突出区域上方的第一层中形成凹陷，所述突出区域保持被所述第一层的材料覆盖；以及逐步移除所述第一层的最外表面以产生平面化表面，所述平面化表面包括所述突出区域的上表面上的所述终止层和所述第一层的外表面。

A method of surface planarization

The present invention relates to a method of surface planarization. In one embodiment, a method of surface planarization includes: the first layer is applied to the surface including prominent region so that the first layer covered on the surface and the stress area, the projecting area including the terminating layer on the surface and at least one compound semiconductor; the first layer remove outburst area above the first layer and in a prominent upper region formed in the depression, the prominent region held by the first layer and the outer surface of the cover material; gradually removing the first layer to produce a planar surface, the planar surface comprising prominent zones. On the surface of the outer surface of the termination layer and the first layer.

【技术实现步骤摘要】
使表面平面化的方法
技术介绍
至今，在功率电子应用中使用的晶体管已经通常利用硅（Si）半导体材料来制造。用于功率应用的常见晶体管器件包括硅CoolMOS®、硅功率MOSFET和硅绝缘栅双极晶体管（IGBTs）。最近，碳化硅（SiC）功率器件已经被考虑。三族氮化物半导体器件（诸如氮化镓（GaN）器件）现在正显现为有吸引力的候选者来承载大电流密度，支持高击穿电压并且提供非常低的接通电阻、超快开关时间和经改善的功率效率。
技术实现思路
在实施例中，使表面平面化的方法包括：将第一层应用于包括突出区域的表面以使得所述第一层覆盖所述表面和所述突出区域，所述突出区域包括上表面上的终止层和至少一个化合物半导体；移除在所述突出区域上方的所述第一层的部分并且在突出区域上方的第一层中形成凹陷，所述突出区域保持被所述第一层的材料覆盖；以及逐步移除所述第一层的最外表面以产生平面化表面，所述平面化表面包括所述突出区域的上表面上的所述终止层和所述第一层的外表面。在实施例中，制造半导体晶片的方法包括：将绝缘层沉积到包括台面（mesa）的衬底上以使得用所述绝缘层来覆盖所述衬底的上表面和所述台面，所述台面包括布置在至少一个三族氮本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种使表面平面化的方法，所述方法包括：将第一层应用于包括突出区域的表面以使得所述第一层覆盖所述表面和所述突出区域，所述突出区域包括上表面上的终止层和至少一个化合物半导体；移除在所述突出区域上方的所述第一层的部分并且在所述突出区域上方的所述第一层中形成凹陷，所述突出区域保持被所述第一层的材料覆盖；以及逐步移除所述第一层的最外表面以产生平面化表面，所述平面化表面包括所述突出区域的上表面上的所述终止层和所述第一层的外表面。

【技术特征摘要】
2016.09.22 US 15/2733031.一种使表面平面化的方法，所述方法包括：将第一层应用于包括突出区域的表面以使得所述第一层覆盖所述表面和所述突出区域，所述突出区域包括上表面上的终止层和至少一个化合物半导体；移除在所述突出区域上方的所述第一层的部分并且在所述突出区域上方的所述第一层中形成凹陷，所述突出区域保持被所述第一层的材料覆盖；以及逐步移除所述第一层的最外表面以产生平面化表面，所述平面化表面包括所述突出区域的上表面上的所述终止层和所述第一层的外表面。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述终止层包括具有比所述第一层的材料大1000的蚀刻选择率，所述第一层的材料具有更高的蚀刻速率。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述终止层包括碳。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述终止层包括非晶氢化碳。5.根据权利要求1所述的方法，其中通过化学机械抛光逐步移除所述第一层的最外表面。6.根据权利要求5所述的方法，其中使用基于胶体硅石的研磨液来逐步移除所述第一层。7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述突出区域上方的第一层中的凹陷具有比所述突出区域的侧向面积更小的侧向面积。8.一种制造半导体晶片的方法，所述方法包括：将绝缘层沉积到包括台面的衬底上以使得用所述绝缘层来覆盖所述衬底的上表面和所述台面，所述台面包括布置在至少一个三族氮化物上的终止层；在所述绝缘层上形成在所述台面上方具有开口的结构化掩模，所述开口具有比所述台面的侧向面积更小的侧向面积；移除在所述开口内的所述绝缘层的部分并且减小布置在所述台面上方的所述绝缘层的部分的厚度；以及逐步移除所述掩模和所述绝缘层的部分以产生包括所述终止层的表面和所述绝缘层的表面的平面化表面。9.根据权利要求8所述的方法，其中通过化学机械抛光来逐步移除所述绝缘层的部分。10.根据权利要求8所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：A比尔纳，H布雷希，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE