在存储器编程期间斜变抑制电压制造技术

抑制电压是被施加到邻近于使存储器单元在程序操作期间写入的程序字线的字线的电压。可以在程序脉冲期间斜升用于程序操作的抑制电压。作为施加导致初始升压通道电势由于泄露而急剧地减少的恒定的高抑制电压的替代，系统可以更低地开始使抑制电压并在程序脉冲期间斜升抑制电压。斜升可以是在程序脉冲期间的持续斜变或处于有限离散步骤。这样的抑制电压的斜变可以提供程序干扰和抑制干扰之间的更好的权衡。

【技术实现步骤摘要】
在存储器编程期间斜变抑制电压本案为分案申请。其母案的专利技术名称为“在存储器编程期间斜变抑制电压”，申请日为2015年3月27日，申请号为201580010729.X。
本专利技术的实施例一般涉及存储器设备，并且更特别地涉及在存储器编程期间斜升抑制电压以改进程序干扰和抑制干扰之间的权衡。版权通知/许可本专利文献的公开内容的部分可包含受版权保护的材料。版权所有人不反对任何人对专利文献或专利公开内容的复制，因为其出现在专利与商标局专利文件或记录中，但是版权所有人另外保留对其的所有版权权利。版权通知适用于如下面描述的、和在关于其的附图中的所有数据，以及适用于下面描述的任何软件：版权©2014，英特尔公司，保留所有权利。
技术介绍
计算设备依赖于储存设备以存储在计算设备中使用的代码和数据。固态存储器设备提供了不具有在常规旋转磁盘储存设备中使用的机械部分的非易失性储存。常见的固态储存技术是闪速存储器，并且更具体地，基于NAND的闪速存储器是尤其常见的。通过在被编程的字线上施加高电压来对诸如闪速存储器的固态存储器进行写入或编程。被编程的单元位于被编程的字线和被选择的位线的交叉点处。被抑制的单元位本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器设备，包括：一个或多个非易失性存储器单元阵列；以及对一个或多个非易失性存储器单元阵列执行读取和程序操作的电路，该电路用于：向所选字线施加程序电压（Vpgm）；以及向相邻未选字线施加第一电压并且在所选字线被偏置到Vpgm的同时连续地从第一电压斜升到第二电压。

【技术特征摘要】
2014.03.27 US 14/2282451.一种存储器设备，包括：一个或多个非易失性存储器单元阵列；以及对一个或多个非易失性存储器单元阵列执行读取和程序操作的电路，该电路用于：向所选字线施加程序电压（Vpgm）；以及向相邻未选字线施加第一电压并且在所选字线被偏置到Vpgm的同时连续地从第一电压斜升到第二电压。2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述电路施加第一电压并且在相邻所选字线的多个字线上连续地斜升到第二电压。3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中第一和第二电压具有低于Vpgm的幅值。4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中第一电压具有大于0的幅值。5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述电路在向所选的字线施加程序电压之前开始从第一电压斜升。6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中存储器设备包括NAND存储器设备。7.一种系统，包括：存储器设备，包括：一个或多个非易失性存储器单元阵列；以及对一个或多个非易失性存储器单元阵列执行读取和程序操作的电路，该电路用于：向所选字线施加程序电压（Vpgm）；以及向相邻未选字线施加第一电压并且在所选字线被偏置到Vpgm的同时连续地从第一电压斜升到第二电压；以及电压供应，用于向存储器设备提供一个或多个电压电平以使能读取和程序操作的执行。8.根据权利要求7所述的系统，其中电压供应用于提供程序电压（V...

【专利技术属性】
技术研发人员：S拉瓦德，P卡拉瓦德，N米尔克，K帕拉特，SS拉胡纳桑，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US