闪速存储器制造技术

技术编号:17469583 阅读:71 留言:0更新日期:2018-03-15 06:25
本发明专利技术提供一种闪速存储器,其可以在读取错误发生之前的适当时间执行刷新操作。控制器执行第一读取操作,其中使作为读取目标的存储器单元取出位线中的一个的电位,使位线电位控制器以第一速度取出另一个位线的电位,并且同时使读出放大器读取数据;第二读取操作,其中使作为读取目标的存储器单元取出位线中的一个的电位,使位线电位控制器以比第一速度快的第二速度取出另一个位线的电位,并且同时使读出放大器读取数据;以及刷新操作,其中当通过第一读取操作读取的数据与通过第二读取操作读取的数据被确定为不同时,存储在作为读取目标的存储器单元中的数据被重写。

【技术实现步骤摘要】
闪速存储器相关申请的交叉引用包括说明书、附图和摘要的于2016年9月6日提交的日本专利申请No.2016-173341的公开内容通过引用整体并入本文。
本专利技术涉及闪速存储器。
技术介绍
闪速存储器用于诸如USB存储器和存储卡的存储器器件。除此之外,闪速存储器也安装在微控制器中以存储由微控制器使用的数据。闪速存储器是非易失性存储器,并且重写的数据被存储在存储器单元中。然而,取决于重写数据之后的条件,存储器单元中的阈值电压可能显著地变化,使得数据可能不再被正确地读取。例如,专利文献1公开了一种由温度传感器和定时器构成的非易失性存储器,其中定时器测量当用温度传感器测量的温度超过阈值温度时的时段,并且当测量的时段达到阈值时,执行刷新。作为另一示例,专利文献2公开了由非易失性存储器构成的设备。非易失性存储器由用于测量在对非易失性存储器执行写入操作之后经过的时间的计时器、用于测量非易失性存储器附近的温度的温度传感器、以及对非易失性存储器的写入操作次数计数的计数器构成。在对使用定时器测量的时段加权之后,基于利用温度传感器测量的温度和利用计数器计数的写入操作的次数,当利用定时器测量的加权经过时间本文档来自技高网...
闪速存储器

【技术保护点】
一种闪速存储器,包括:多个存储器单元;读出放大器,所述读出放大器在输入端子处耦合到一对位线,所述一对位线耦合到相互不同的所述存储器单元,并且所述读出放大器基于耦合到作为读取目标的所述存储器单元的所述位线中的一个位线的电位以及所述位线中的另一个位线的电位,来读取存储在作为读取目标的所述存储器单元中的数据;位线电位控制器,所述位线电位控制器控制所述位线的电位;以及控制器,其中,所述控制器执行第一读取操作,在所述第一读取操作中,使作为读取目标的所述存储器单元取出所述位线中的一个位线的电位,使所述位线电位控制器以第一速度取出所述位线中的另一个位线的电位,并且同时,使所述读出放大器读取所述数据,第二读取...

【技术特征摘要】
2016.09.06 JP 2016-1733411.一种闪速存储器,包括:多个存储器单元;读出放大器,所述读出放大器在输入端子处耦合到一对位线,所述一对位线耦合到相互不同的所述存储器单元,并且所述读出放大器基于耦合到作为读取目标的所述存储器单元的所述位线中的一个位线的电位以及所述位线中的另一个位线的电位,来读取存储在作为读取目标的所述存储器单元中的数据;位线电位控制器,所述位线电位控制器控制所述位线的电位;以及控制器,其中,所述控制器执行第一读取操作,在所述第一读取操作中,使作为读取目标的所述存储器单元取出所述位线中的一个位线的电位,使所述位线电位控制器以第一速度取出所述位线中的另一个位线的电位,并且同时,使所述读出放大器读取所述数据,第二读取操作,在所述第二读取操作中,使作为读取目标的所述存储器单元取出所述位线中的一个位线的电位,使所述位线电位控制器以比所述第一速度快的第二速度取出所述位线中的另一个位线的电位,并且同时,使所述读出放大器读取所述数据,第一数据比较操作,在所述第一数据比较操作中,将通过所述第一读取操作读取的所述数据与通过所述第二读取操作读取的所述数据彼此进行比较,以及第一刷新操作,在所述第一刷新操作中,当通过所述第一读取操作读取的所述数据与通过所述第二读取操作读取的所述数据被确定为彼此不同时,存储在作为读取目标的所述存储器单元中的所述数据被重写在作为读取目标的所述存储器单元中。2.根据权利要求1所述的闪速存储器,其中,当通过所述第一读取操作读取的所述数据与通过所述第二读取操作读取的所述数据被确定为相同时,所述控制器执行第三读取操作,在所述第三读取操作中,使作为读取目标的所述存储器单元取出所述位线中的一个位线的电位,使所述位线电位控制器以比所述第一速度慢的第三速度取出所述位线中的另一个位线的电位,并且同时,使所述读出放大器读取所述数据,以及将通过所述第一读取操作读取的所述数据与通过所述第三读取操作读取的所述数据彼此进行比较,以及其中,当通过所述第一读取操作读取的所述数据与通过所述第三读取操作读取的所述数据被确定为不同时,所述控制器执行所述第一刷新操作。3.根据权利要求1所述的闪速存储器,其中,在执行所述第一刷新操作之后,所述控制器对作为读取目标的所述存储器单元执行所述第一读取操作、所述第二读取操作和所述第一数据比较操作。4.根据权利要求2所述的闪速存储器,其中,在执行所述第一刷新操作之后,所述控制器对作为读取目标的所述存储器单元执行所述第一读取操作、所述第二读取操作、所述第一数据比较操作、所述第三读取操作和所述第二数据比较操作。5.根据权利要求1所述的闪速存储器,进一步包括:存储器阵列,所述存储器阵列包括多个存储器簇,在所述多个存储器簇中,多个所述存储器单元以矩阵布置,其中,为所述存储器簇的每一个提供所述位线,以及其中,所述位线的每一个经由位线选择切换元件耦合到公共位线,所述公共位线被布置为对于所述存储器簇是公共的。6.根据权利要求5所述的闪速存储器,其中,在所述存储器簇中,所述存储器单元在第一方向和第二方向上以矩阵来布置,其中,为在所述第二方向上被布置成一行的每个存储器单元提供多个所述位线,以及其中,所述位线的每一个经由读取存储器单元选择切换元件耦合到所述读出放大器的输入端子。7.根据权利要求6所述的闪速存储器,其中,为所述存储器簇的每一对提供所述读出放大器,以及其中,所述存储器簇的每一个的位线耦合到所述读出放大器的输入端子。8.根据权利要求6所述的闪速存储器,其中,在所述存储器簇的每一个中在所述第二方向上被布置成一行的所述存储器单元在数量上相同。9.一种闪速存储器,包括:多个存储器单元;读出放大器,所述读出放大器读取存储在所述存储器单元中的数据;位线电位控制器,所述位线电位控制器控制所述位线的电位;以及控制器,其中,通过将所述数据存储在所述存储器单元中的一个存储器单元中并且将通过反相所述数据而获得的反相数据存储在所述存储器单元中的另一个存储器单元中,来将所述数据存储在一对存储器单元中,其中,所述读出放大器在输入端子处耦合到一对位线,所述一对位线耦合到所述一对存储器单元,并且所述读出放大器基于耦合到所述存储器单元中的一个存储器单元的所述位线中的一个位线的电位以及耦合到所述存储器单元中的另一个存储器单元的所述位线中的另一个位线的电位,来读取存储在所述一对存储器单元中的所述数据,其中,所述控制器执行第四读取操作,在所述第四读取操作中,使所述存储器单元中的一个存储器单元取出所述位线中的一个位线的电位,使所述存储器单元中的另一个存储器单元取出所述位线中的另一个位线的电位,并且同时,使所述读出放大器读取所述数据,第五读取操作,在所述第五读取操作中,使所述存储器单元中的一个存储器单元取出所述位线中的一个位线的电位,使所述存储器单元中的另一个存储器单元和所述位线电位控制器取出所述位线中的另一个位线的电位,并且同时,使所述读出放大器读取所述数据,第三数据比较操作,在所述第三数据比较操作中,将通过所述第四读取操作读取的所述数据与通过所述第五读取操作读取的所述数据彼此进行比较,以及第二刷新操作,在所述第二刷新操作中,当在所述第三数据比较操作中通过所述第四读取操作读取的所述数据与通过所述第五读取操作读取的所述数据被确定为彼此不同时,存储在所述一对存储器单元中的所述数据和所述反相数据被重写在所述一对存储器单元中。10.根据权利要求9所述的闪速存储器,其中,当通过所述第四读取操作读取的所述数据与通过所述第五读取操作读取的所述数据被确定为相同时,所述控制器执行第六读取操作,在所述第六读取操作中,使所述存储器单元中的所述一个存储器单元和所述位线电位控制器取出所述位线中的所述一个位线的电位,使所述存储器单元中的另一个存储器单元取出所述位线中的另一个位线的电位,并且同时,使所述读出放大器读取所述数据,第四数据比较操作,在所述第四数据比较操作中,将通过所述第四读取操作读取的所述数据与通过所述第六读取操作读取的所述数据进行比较,以及当在所述第四数据比较操作中通过所述第四读取操作读取的所述数据与通过所述第六读取操作读取的所述数据被确定为彼此不同时,所述控制器执行所述第二刷新操作。11.根据权利要求9所述的闪速存储器,其中,在执行所述第二刷新操...

【专利技术属性】
技术研发人员:斋藤朋也藤户正道安藤公一桥本孝司
申请(专利权)人:瑞萨电子株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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