3D NAND闪存的错误缓解制造技术

公开了NAND单元错误补救技术。所述补救技术适用于3D NAND。在一个示例中，存储设备可以包括处理器以及包括NAND闪存的存储器设备。所述处理器被配置成用于检测与所述NAND闪存的第一页相关联的错误状况，并且判定所述错误状况是与读取干扰相关联还是与保持错误相关联。所述处理器被配置成用于：如果所述错误状况与所述读取干扰相关联，则发起关于所述页的刷新操作，以便将存储在所述第一页处的数据写入所述NAND闪存的第二页；以及如果所述错误状况与所述保持错误相关联，则发起关于所述页的重新编程操作，以便将存储在所述第一页处的所述数据重新写入所述NAND闪存的所述第一页。

【技术实现步骤摘要】
3DNAND闪存的错误缓解
本公开总体上涉及用于对闪存单元进行重新编程和/或刷新的系统和机制。
技术介绍
计算机或其他电子设备中使用的存储设备可以包括非易失性存储器或易失性存储器中的一者或两者。非易失性存储器使得在电力丢失的情况下能够进行数据存储，不论电力丢失是计划的或非计划的。因此，非易失性存储器设备已经发展成用于广泛电子应用的流行存储器类型。例如，非易失性存储器设备(包括闪存设备)通常被结合到如固态驱动器(SSD)等固态存储设备中。由于与闪存单元相关联的保持限制，闪存设备被配置成用于在所存储的数据变“冷”之后刷新单元。刷新闪存单元涉及从某个位置(例如，页)处读取冷数据、使用错误校正码(ECC)对数据进行解码、对数据进行编码、以及将数据重新编程到新位置(例如，新页)。
技术实现思路
本公开总体上涉及用于更新由闪存单元存储的数据的系统和技术。本公开的一些方面涉及如通过对已经达到或正接近预定错误校正码(ECC)限制的特定单元进行刷新或重新编程来选择性地更新由闪存单元存储的数据。可以通过从闪存单元中读取数据并且将数据写入不同闪存单元中来刷新闪存单元(或者更准确地，与闪存单元相关联的数据)。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：由一个或多个处理器检测与NAND闪存的第一页相关联的错误状况；由所述一个或多个处理器判定所述错误状况是与读取干扰相关联还是与保持错误相关联；如果所述错误状况与所述读取干扰相关联，则由所述一个或多个处理器发起关于所述页的刷新操作，以便将存储在所述第一页处的数据写入所述NAND闪存的第二页；以及如果所述错误状况与所述保持错误相关联，则由所述一个或多个处理器发起关于所述页的重新编程操作，以便将存储在所述第一页处的所述数据重新写入所述第一页。

【技术特征摘要】
2016.09.06 US 15/257,5981.一种方法，包括：由一个或多个处理器检测与NAND闪存的第一页相关联的错误状况；由所述一个或多个处理器判定所述错误状况是与读取干扰相关联还是与保持错误相关联；如果所述错误状况与所述读取干扰相关联，则由所述一个或多个处理器发起关于所述页的刷新操作，以便将存储在所述第一页处的数据写入所述NAND闪存的第二页；以及如果所述错误状况与所述保持错误相关联，则由所述一个或多个处理器发起关于所述页的重新编程操作，以便将存储在所述第一页处的所述数据重新写入所述第一页。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述错误状况与所述保持错误相关联，所述方法进一步包括：读取存储在所述第一页处的所述数据；对从所述第一页中读取的所述数据进行解码；对经解码数据进行编码；以及将经编码数据写入所述第一页。3.如权利要求2所述的方法，其中：对从所述第一页中读取的所述数据进行解码包括使用第一错误校正码(ECC)对所述数据进行解码，并且对所述经解码数据进行编码包括使用第二错误校正码(ECC)对所述经解码数据进行编码。4.如权利要求1所述的方法，其中，所述错误状况与所述读取干扰相关联，并且其中，所述页是读取受扰页，所述方法进一步包括：基于确定页块包括读取受扰页，由所述一个或多个处理器将所述页块放置在由所述一个或多个处理器监测的刷新队列中；由所述一个或多个处理器读取包括所述读取受扰页的所述页块；对从所述第一页中读取的所述数据进行解码；对经解码数据进行编码；将经编码数据写入所述第二页；以及擦除所述旧块。5.如权利要求4所述的方法，进一步包括：由所述一个或多个处理器对存储在所述页块中的数据进行解码；以及由所述一个或多个处理器对经解码数据进行编码以便形成编码数据块。6.如权利要求4所述的方法，其中，将所述页块放置在所述刷新队列中包括将所述页块放置在所述刷新队列的尾部，所述方法进一步包括：在刷新包括在所述刷新队列中的任何其他块之前刷新定位在所述刷新队列的头部的块。7.如权利要求6所述的方法，进一步包括：响应于所述刷新队列中的块数量大于等于阈值块数量，刷新定位在所述刷新队列的所述头部的所述块。8.如权利要求1所述的方法，其中，判定所述错误状况是与读取干扰相关联还是与保持错误相关联包括：读取与所述页相关联的虚拟单元数据；响应于从所述页中读取的所述虚拟单元数据匹配第一模式，确定所述错误状况与所述读取干扰相关联；以及响应于从所述页中读取的所述虚拟单元数据匹配第二模式，确定所述错误状况与所述保持错误相关联。9.一种设备，包括：存储器设备，所述存储器设备包括NAND闪存；以及一个或多个处理器，所述一个或多个处理器被配置成用于：检测与所述NAND闪存的第一页相关联的错误状况；判定所述错误状况是与读取干扰相关联还是与保持错误相关联；如果所述错误状况与所述读取干扰相关联，则发起关于所述页的刷新操作，以便将存储在所述第一页处的数据写入所述NAND闪存的第二页；以及如果所述错误状况与所述保持错误相关联，则发起关于所述页的重新编程操作，以便将存储在所述第一页处的所述数据重新写入所述NAND闪存的所述第一页。10.如权利要求9所述的设备，其中，所述错误状况与所述保持错误相关联，并且其中，所述一个或多个处理器被进一步配置成用于：读取存储在所述第一页处的所述数据；对从所述第一页中读取的所述数据进行解码；对经解码数据进行编码；以及将经编码数据写入所述第一页。11.如权利要求10所述的设备，其中：为了对从所述第一页...

【专利技术属性】
技术研发人员：SH宋，V杜贝科，Z班迪克，
申请(专利权)人：西部数据技术公司，
类型：发明
国别省市：美国,US