自适应温度和存储器参数抑制制造技术

本发明专利技术涉及自适应温度和存储器参数抑制。一种具有存储器的存储设备可以修改抑制以减少交叉温度影响。对抑制的决定可以基于存储器设备的温度(即温度抑制)或者可以基于存储器设备的健康状况、使用率或性能(例如热计数或误码率)。可以考虑存储器设备的健康状况、使用率或性能(例如热计数或误码率)来实施温度抑制。同样，基于存储器设备的健康状况、使用或性能的抑制可以利用存储器设备的温度来优化抑制时间。例如，可修改测试模式矩阵(TMM)以取决于温度。

Adaptive temperature and memory parameter suppression

The invention relates to adaptive temperature and memory parameter suppression. A memory - based storage device can be modified to reduce the impact of cross temperature. The decision of suppression can be based on the temperature of the memory device (i.e., temperature suppression), or based on the health status, usage rate or performance of the memory device (such as heat count or bit error rate). It is possible to consider the health, utilization, or performance of the memory device (such as heat count or bit error rate) to carry out the temperature suppression. Similarly, the memory device's health, use or performance suppression can be used to optimize the suppression time by using the temperature of the memory device. For example, the test pattern matrix (TMM) can be modified to depend on the temperature.

【技术实现步骤摘要】
自适应温度和存储器参数抑制
本申请总体涉及温度对存储器设备的影响。更具体地，本申请涉及基于存储器设备的使用率、健康状况或使用年限来调整温度抑制(throttling)并基于温度调整存储器参数。
技术介绍
诸如闪存之类的非易失性存储器系统已被广泛地用于消费产品中。闪存可以以不同的形式找到，例如以便携式存储卡的形式，其可以在主机设备之间携带或作为嵌入在主机设备中的固态盘(“SSD”)。这种存储器的耐久性和可靠性的一个考虑因素是交叉温度(crosstemperature)。交叉温度(即X温度)可以是数据编程和读取之间的温度范围或温度波动。例如，当在高温(热)时将数据写入存储器设备，但是然后在低温(冷)下读取时，可能会引起高X温度。同样地，在冷温下写入并且在高温下读取是高的交叉温度。对于存储器设备(例如NAND闪存)，X温度可以是限制的可靠性机制。高X温度可导致错误。具体地，X温度误码率(BER)随着较大的X温度增量增加。通过解决X温度可以提高存储器耐久性和性能。
技术实现思路
一种具有存储器的存储设备可以修改抑制以降低交叉温度影响。对抑制的决定可以基于存储器设备温度(即温度抑制)或者可以基于存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在存储器设备中进行温度抑制的方法，所述方法包括：确定所述存储器设备的健康状况值；基于所述存储器设备的所述健康状况值来修改温度抑制阈值；以及当所述存储器设备的温度超过所述温度抑制阈值时抑制所述存储器设备。

【技术特征摘要】
2016.08.15 US 15/237,1391.一种用于在存储器设备中进行温度抑制的方法，所述方法包括：确定所述存储器设备的健康状况值；基于所述存储器设备的所述健康状况值来修改温度抑制阈值；以及当所述存储器设备的温度超过所述温度抑制阈值时抑制所述存储器设备。2.根据权利要求1所述的方法，其中从所述存储器设备中的温度传感器测量所述温度。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述健康状况值包括所述存储器设备的使用率，进一步地，其中所述使用率包括编程/擦除周期的数量，即PE周期的数量。4.根据权利要求3所述的方法，其中当所述PE周期低时所述温度抑制阈值增大。5.根据权利要求3所述的方法，其中所述温度抑制阈值随所述PE周期增加而逐渐减小。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述抑制包括所述存储器设备的性能的降低。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述性能降低包括降低编程速度、延迟命令执行或修改命令处理。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器设备包括NAND存储器，并且所述抑制包括抑制存储器设备参数，所述存储器设备参数包括以下各项中的至少一个：时钟速率、闪存总线速度、通信方法、命令类型、命令设置、命令验证、速度裕度或操作电压。9.一种用于控制存储器设备抑制的方法，所述方法包括：测量所述存储器设备的使用率值；接收所述存储器设备的温度值；以及比较存储器使用率抑制阈值与所述使用率值，其中所述存储器使用率抑制阈值取决于所述存储器设备的所述温度值。10.根据权利要求9所述的方法，还包括：当所述使用率值超过所述存储器使用率抑制阈值时抑制所述存储器设备。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述使...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·盖胡，PL·科，P·罗伊斯维，C·N·Y·叶，J·万，Y·李，
申请(专利权)人：闪迪技术有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US