【技术实现步骤摘要】
一种避免数据干扰的闪存装置
本专利技术涉及数据存储
,尤其涉及一种避免数据干扰的闪存装置。
技术介绍
存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备,其被广泛应用于笔记本,智能手机以及各种终端设备上,其中存储器的类别中又包括非易失性的闪存装置,非易失性的闪存装置是由字线(WL)与位线(BL)组成的模型上排列起来的多个存储单元,它在无电源供应的情况下也可以维持已储存数据。这种闪存装置可以对存储单元进行反复的数据编程操作以及数据擦除操作。而在对存储单元执行数据编程操作或数据擦除操作过程中,可能对没有被选择的已编程存储单元的阈值电压的降低或者没有被选择的未编程存储单元的阈值电压的升高而产生的“数据干扰”现象,进而影响闪存装置的正常使用。
技术实现思路
针对现有技术中在对存储单元进行编程或者擦除存在的上述问题,现提供一种旨在对未进行擦除或者编程的存储单元进行检测,避免数据被干扰的闪存装置。具体技术方案如下:一种避免数据干扰的闪存装置,应用于闪存装置的修复,所述闪存装置包括存储阵列,所述存储阵列包括多个存储单元,每个所述存储单元分别对应一个存储地址,其特征在 ...
【技术保护点】
一种避免数据干扰的闪存装置,应用于闪存装置的修复,所述闪存装置包括存储阵列,所述存储阵列包括多个存储单元,每个所述存储单元分别对应一个存储地址,其特征在于,所述闪存装置包括:数据读取单元,与所述存储阵列连接,用以持续读取所述存储阵列中对应的所述存储单元中的读取数据,并将所述读取数据输出;数据修复地址形成单元,用以持续形成被读取的所述读取数据对应的所述存储地址;数据检测单元,与所述数据读取单元连接,用以对所述读取数据进行检测,以检测所述读取数据对应的所述存储地址上是否存在数据干扰,并输出检测结果;控制器,分别与数据修复地址形成单元、所述数据检测单元以及所述数据读取单元连接,所 ...
【技术特征摘要】
1.一种避免数据干扰的闪存装置,应用于闪存装置的修复,所述闪存装置包括存储阵列,所述存储阵列包括多个存储单元,每个所述存储单元分别对应一个存储地址,其特征在于,所述闪存装置包括:数据读取单元,与所述存储阵列连接,用以持续读取所述存储阵列中对应的所述存储单元中的读取数据,并将所述读取数据输出;数据修复地址形成单元,用以持续形成被读取的所述读取数据对应的所述存储地址;数据检测单元,与所述数据读取单元连接,用以对所述读取数据进行检测,以检测所述读取数据对应的所述存储地址上是否存在数据干扰,并输出检测结果;控制器,分别与数据修复地址形成单元、所述数据检测单元以及所述数据读取单元连接,所述控制器在所述检测结果表示所述存储地址上存在数据干扰时锁定对应的所述存储地址;所述控制器对被锁定的所述存储地址所对应的所述存储单元进行数据干扰排除操作。2.根据权利要求1所述的闪存装置,其特征在于,在所述检测结果表示所对应的所述存储地址上存在数据干扰时,所述控制器发送一锁定信号至所述数据修复地址形成单元;所述数据修复地址形成单元用以根据所述锁定信号,对当前的所述存储地址进行锁定,并将被锁定的所述存储地址发送至所述控制器;所述控制器根据所述检测结果以及被锁定的所述存储地址对应的所述存储单元进行擦除修复操作或者写入修复操作,以实现所述数据干扰排除操作。3.根据权利要求1所述的闪存装置,其特征在于,所述数据读取单元包括:列译码器,与所述控制器连接,用以根据所述控制器输出的一译码列地址对应生成一选择信号;读出放大器,一端与所述列译码器连接,另一端与所述存储阵列连接,用以根据所述选择信号读取对应的所述存储地址上保存的所述读取数据,并将所述读取数据输出至所述数据检测单元。4.根据权利要求1所述的闪存装置,其特征在于,所述控制器用以在所述数据检测装置获取所述读取数据后,输出一第一驱动信号以及一第二驱动信号;所述数据检测装置包括:第一数据确认器,一端与所述数据读取单元连接,另一端与所述控制器连接,在接收所述控制器输出所述第一驱动信号或者所述第二驱动信号后被激活;第一寄存器,与所述第一数据确认器连接,被所述第一驱动信号激活后的所述第一数据确认器将所述读取数据与一预设的第一基准电压进行比较,以输出一第一比较结果并保存于所述第一寄存器中;第二寄存器,与所述第一数据确认器连接,被所述第二驱动信号激活后的所述第一数据确认器将所述读取数据与一预设的第二基准电压进行比较,以输出一第二比较结果并保存于所述二寄存器中;第一数据比较器,所述第一数据比较器一端与所述第一寄存器以及所述第二寄存器连接,另一端与所述控制器连接;所述控制器用以在所述第一寄存器和所述第二寄存器中分别保存所述第一比较结果以及所述第二比较结果后,输出一第一比较信号至所述第一数据比较器,以激活所述第一数据比较器;被激活后的所述控...
【专利技术属性】
技术研发人员:王文静,康太京,李炯尚,朱家骅,谢莺霞,张纲,何峻,
申请(专利权)人:东芯半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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