用于减小存储器中首次读取效应的虚拟电压制造技术

提供了用于提高存储器单元的读取操作的准确度的技术，其中，存储器单元的阈值电压(Vth)可以取决于所述读取操作何时发生而漂移。一方面，虚拟电压被施加至字线，从而引起字线的向上耦合与弱编程。这可以发生在自上一次编程或读取操作之后过去指定时间量时，或在检测到存储器设备的上电事件时。还可以考虑许多读取错误。所述虚拟电压与编程或读取操作的通过电压类似但不进行读出。字线电压因此被设置在经一致向上耦合的电平，从而使得读取操作一致。所述向上耦合由于字线与沟道之间的电容性耦合而发生。

Virtual voltage for reducing the first read effect in memory

A technique for improving the accuracy of a read operation of a memory cell is provided, in which the threshold voltage (Vth) of the memory cell can be determined by the time when the read operation occurs. On the one hand, the virtual voltage is applied to the word line, resulting in the upward coupling and weak programming of the word line. This can occur after the last programming or read operation, when the specified amount of time was passed, or when the power event of the memory device was detected. A lot of read errors can also be considered. The virtual voltage is similar to the through voltage of the programming or read operation, but does not read out. The word line voltage is thus set at a uniformly upward coupling level so that the read operation is consistent. The upward coupling occurs due to capacitive coupling between the word line and the channel.

【技术实现步骤摘要】
用于减小存储器中首次读取效应的虚拟电压
技术介绍
本技术涉及存储器设备的操作。半导体存储器设备已经变得越来越流行用于各电子设备。例如，非易失性半导体存储器用于蜂窝电话、数码相机、私人数量助理、移动计算设备、非移动计算设备和其他设备。电荷储存材料(比如浮栅)或电荷俘获材料可以用于此类存储器设备中，从而存储代表数据状态的电荷。电荷俘获材料可以被竖直地安排在三维(3D)堆叠的存储器结构中、或水平地安排在二维(2D)存储器结构中。3D存储器结构的一个示例是包括一摞交替的导电层和电介质层的位成本可缩放(BiCS)架构。存储器设备包括可以安排成串的存储器单元，例如，其中，选择栅晶体管被设置在串的末端以将串的沟道选择性地连接至源线或位线。然而，运行此类存储器设备存在各种挑战。附图说明图1是示例存储器设备的框图。图2A描绘了图1的存储器结构126的示例2D配置中的多块存储器单元。图2B描绘了NAND串中的示例电荷俘获存储器单元的截面视图，作为图2A中的存储器单元的示例。图2C描绘了图2B的结构沿着线429的截面视图。图2D描绘了示例存储器单元500。图3是图1的存储器结构126的示例3D配置中包括块组的存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：存储器单元块，所述存储器单元被安排成串并连接至字线集合；以及控制电路，所述控制电路被配置成：判定是否已经满足了触发对所述字线进行向上耦合的条件，并且如果已经满足了所述条件则进行对所述字线的向上耦合，其中，为了进行对所述字线的所述向上耦合，所述控制电路被配置成施加电压脉冲至每个字线并随后使每个字线的电压浮置。

【技术特征摘要】
2016.04.18 US 15/131,3921.一种装置，包括：存储器单元块，所述存储器单元被安排成串并连接至字线集合；以及控制电路，所述控制电路被配置成：判定是否已经满足了触发对所述字线进行向上耦合的条件，并且如果已经满足了所述条件则进行对所述字线的向上耦合，其中，为了进行对所述字线的所述向上耦合，所述控制电路被配置成施加电压脉冲至每个字线并随后使每个字线的电压浮置。2.如权利要求1所述的装置，其中：在所述电压脉冲过程中不感测所述存储器单元。3.如权利要求1所述的装置，其中：所述控制电路被配置成：当读取命令未针对所述块而挂起时并且当编程命令未针对所述块而挂起时，实现对所述字线的所述向上耦合。4.如权利要求1所述的装置，其中：使用不同的验证电压将所述存储器单元编程至不同的数据状态；并且所述电压脉冲的幅度至少与所述不同验证电压中的最高验证电压一样高。5.如权利要求1所述的装置，其中：为了将所述电压脉冲施加至所述字线，所述控制电路被配置成命令电压驱动器将所述字线的电压从初始电平增大至升高电平，并且然后将所述字线的所述电压从所述升高电平降低至最终电平；并且为了使所述字线的所述电压浮置，所述控制电路被配置成：在命令所述电压驱动器将所述字线的所述电压从所述升高电平降低至所述最终电平之后，将所述电压驱动器与所述字线断开连接指定时间。6.如权利要求1所述的装置，其中：所述存储器单元被编程至不同数据状态，所述数据状态包括一个或多个较低数据状态、一个或多个中间范围数据状态以及一个或多个较高数据状态；并且所述控制单元被配置成：如果尚未满足触发对所述字线进行所述向上耦合的所述条件则使用基线读取电压集合来读取所述存储器单元，并且如果已经满足了触发对所述字线进行所述向上耦合的所述条件则使用经调整的读取电压集合来读取所述存储器单元，其中，在所述经调整的读取电压集合中，所述一个或多个较低数据状态的读取电压低于所述基线读取电压集合中的读取电压，并且所述一个或多个较高数据状态的读取电压高于所述基线读取电压集合中。7.如权利要求1所述的装置，其中：当自所述存储器单元的上一次感测操作之后的时间超过指定时间时，满足所述条件。8.如权利要求1所述的装置，其中：当检测到上电事件时，满足所述条件。9.如权利要求1所述的装置，其中：所述控制电路被配置成：至少针对所述存储器单元的子集执行读取操作，并确定所述读取操作中的错误数量；并且当所述错误数量超过指定数量时，满足所述条件。10.如权利要求1所述的装置，其中：当所述控制电路进入空闲状态时，满足所述条件。11.如权利要求1所述的装置，其中：所述字线包括堆叠中被电介质层隔开的多个导电层；所述存储器单元在所述堆叠中沿...

【专利技术属性】
技术研发人员：L庞，PL柯，J袁，C邝，Y董，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US