半导体存储设备及其操作方法技术

半导体存储设备及其操作方法。本技术涉及一种电子设备，更具体地，涉及一种半导体存储设备及其操作方法。具有改进的可靠性的半导体存储设备包括地址解码器，所述地址解码器向联接至多个存储单元中的所选择的存储单元的所选择的字线施加编程电压；读写电路，所述读写电路向联接至所选择的存储单元的位线施加编程许可电压或编程禁止电压；以及控制逻辑，所述控制逻辑控制所述读写电路，以在施加所述编程电压时，向联接至所选择的存储单元的所述位线依次施加所述编程许可电压和所述编程禁止电压。

Semiconductor memory device and operation method thereof

Semiconductor memory device and operation method thereof. The invention relates to an electronic device, more specifically, a semiconductor memory device and an operation method thereof. A semiconductor memory device with improved reliability comprises an address decoder, the address decoder applied programming voltage to a selected word line of a selected memory cell connected to a storage unit in the read-write circuit; the read bit line to write circuit connected to the selected storage unit applied voltage programming license prohibit or programming voltage; and control logic, the control logic circuit to control the read and write, in applying the programming voltage to the storage unit, coupled to the bit line selection followed by applying the programming voltage and the prohibition of licensing programming voltage.

【技术实现步骤摘要】
半导体存储设备及其操作方法
各个实施方式总体上涉及电子设备，更具体地，涉及一种半导体存储设备及其操作方法。
技术介绍
半导体存储设备是利用由诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)以及磷化铟(InP)的材料形成的半导体具体实现的存储设备。半导体存储设备分为易失性存储设备和非易失性存储设备。易失性存储设备在断电时丢失存储的数据。易失性存储设备的示例包括静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)以及同步DRAM(SDRAM)。非易失性存储设备无论通电/断电条件均保持存储的数据。非易失性存储设备的示例包括只读存储器(ROM)、掩码ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)以及铁电RAM(FRAM)。闪存分为NOR型存储器和NAND型存储器。
技术实现思路
各个实施方式涉及具有改进的可靠性的半导体存储设备及其操作方法。根据一个实施方式，一种包含多个存储单元的半导体存储设备的操作方法可包括向联接至所述多个存储单元中的所选择的存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包含多个存储单元的半导体存储设备的操作方法，所述方法包括以下步骤：向联接至所述多个存储单元中的所选择的存储单元的所选择的字线施加编程电压；并且在施加所述编程电压时，向联接至所选择的存储单元的位线依次施加编程许可电压和编程禁止电压。

【技术特征摘要】
2016.03.08 KR 10-2016-00277671.一种包含多个存储单元的半导体存储设备的操作方法，所述方法包括以下步骤：向联接至所述多个存储单元中的所选择的存储单元的所选择的字线施加编程电压；并且在施加所述编程电压时，向联接至所选择的存储单元的位线依次施加编程许可电压和编程禁止电压。2.根据权利要求1所述的方法，其中，向联接至所选择的存储单元的所述位线依次施加所述编程许可电压和所述编程禁止电压的步骤包括以下步骤：在施加所述编程许可电压之后施加所述编程禁止电压，或者在施加所述编程禁止电压之后施加所述编程许可电压。3.根据权利要求1所述的方法，其中，向联接至所选择的存储单元的所述位线依次施加所述编程许可电压和所述编程禁止电压的步骤包括以下步骤：在施加所述编程电压的第一时段期间施加所述编程许可电压，并且在第二时段期间施加所述编程禁止电压。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一时段和所述第二时段具有相同的持续时间。5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一时段和所述第二时段中的一个时段具有比另一时段更长的持续时间。6.根据权利要求3所述的方法，其中，在施加所述编程电压的时段期间依次重复所述第一时段和所述第二时段。7.根据权利要求3所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在向联接至所述多个存储单元中的所选择的存储单元的所选择的字线施加所述编程电压之前，通过第一验证电压和大于所述第一验证电压的第二验证电压来验证所选择的存储单元的编程状态。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所选择的存储单元具有高于所述第一验证电压并且低于所述第二验证电压的阈值电压。9.根据权利要求7所述的方法，其中，当所选择的存储单元的阈值电压更接近所述第一验证电压并且所述阈值电压介于所述第一验证电压和所述第二验证电压之间时，所述第一时段增大。10.根据权利要求7所述的方法，其中，当所选择的存储单元的阈值电压更接近所述第二验证电压并且所述阈值电压介于所述第一验证电压和所述第二验证电压之间时，所述第二时段增大。11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述编程许可电压是地电压。12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述编程禁止电压是电源电压。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：李熙烈，许惠银，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR