一种NAND Flash电压自动补偿方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种NAND Flash电压自动补偿方法和装置，芯片存储技术领域。所述方法，包括：检测目标NAND Flash的温度状态电压；所述温度状态电压用于表征所述目标NAND Flash的温度状态；根据所述温度状态电压以及预设的参考电压获取对所述目标NAND Flash中各存储单元的当前判定电压进行调整的调整量；根据所述调整量对所述目标NAND Flash中各存储单元的当前判定电压进行补偿调整，得到各所述存储单元的目标判定电压。解决了在不同温度条件下现有的NAND Flash中的各存储单元所存储的数据所代表的阈值电压范围出现偏移，使得读取存储单元中的数据时，容易会出现误判的技术问题。取得了避免因温度变化导致的误判，提高数据读写准确度的有益效果。

Automatic compensation method and device for NAND Flash voltage

The invention discloses a NAND Flash voltage automatic compensation method and apparatus, field chip storage technology. The method comprises the following steps: detecting the temperature state of target NAND Flash voltage; the temperature voltage for temperature characterization of the target NAND Flash; according to the temperature voltage and the reference voltage preset access to the storage unit of the target NAND Flash in the adjustment of the current adjustment to determine the voltage; according to the adjustment of the storage unit of the target NAND in Flash current to determine the voltage compensation adjustment by each of the storage unit to determine target voltage. To solve the threshold voltage range represents the storage unit under different temperature conditions existing in Flash NAND stored data deviation, the read data in the memory cell, prone to technical problems misjudgment. The utility model avoids the misjudgment caused by the temperature change and improves the accuracy of data reading and writing.

【技术实现步骤摘要】
一种NANDFlash电压自动补偿方法和装置
本专利技术涉及芯片存储
，具体涉及一种NANDFlash电压自动补偿方法和装置。
技术介绍
根据实现的技术架构的不同，闪存芯片可以分为NORflash、NANDflash和DINORflash等几种类型。相比于其他几种类型的闪存，NANDflash能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快，因此，它是实现大容量数据存储器的理想数据存储介质。NANDFLASH作为一种非易失性存储介质，它以半导体作为记忆载体，比传统的存储设备更能承受温度的变化、机械的振动和冲击，可靠性更高，易于实现高速度、低功耗的存储系，是解决大容量存储技术的理想方案。NANDFLASH中是通过区分CELL(存储单元)导通的阈值电压的差异来存储不同的数据的，不同数据存储在CELL中所代表的就是CELL导通的阈值电压不同。因为工艺，操作等影响，相同的数据在不同的CELL上存储时，CELL的阈值电压可能会有一些差异，不可能完全相同，所以只能选定一个电压范围作为CELL所代表的数据，这个电压范围越精确集中，CELL上存储数据的分辨率也就越好，能够存储的数据个数也越多。但是在不同的温度下，半导体器件的特性会随着温度的变化而变化，进而导致CELL的导通的阈值电压发生变化，使得CELL中存储的数据所代表的阈值电压范围出现偏移，使得读取CELL数据时，对CELL的数据可能会出现错误的判断。
技术实现思路
鉴于上述问题，提出了本专利技术以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种NANDFlash电压自动补偿方法和相应的一种NANDFlash电压自动补偿装置。依据本专利技术的一个方面，提供了一种NANDFlash电压自动补偿方法，包括：检测目标NANDFlash的温度状态电压；所述温度状态电压用于表征所述目标NANDFlash的温度状态；根据所述温度状态电压以及预设的参考电压获取对所述目标NANDFlash中各存储单元的当前判定电压进行调整的调整量；根据所述调整量对所述目标NANDFlash中各存储单元的当前判定电压进行补偿调整，得到各所述存储单元的目标判定电压。可选地，根据所述温度状态电压以及预设的参考电压获取对所述目标NANDFlash中各存储单元的当前判定电压进行调整的调整量的步骤，包括：计算所述温度状态电压与所述参考电压之间的第一差值；对所述第一差值进行模数变换，得到对所述目标NANDFlash中各存储单元的当前判定电压进行调整的调整量。可选地，如果所述温度状态电压与所述目标NANDFlash的温度成正比关系，那么所述根据所述调整量对所述目标NANDFlash中各存储单元的当前判定电压进行补偿调整，得到各所述存储单元的目标判定电压的步骤，包括：针对所述目标NANDFlash中各存储单元，分别计算各所述存储单元的当前判定电压与所述调整量的差值，得到所述存储单元的目标判定电压。可选地，如果所述温度状态电压与所述目标NANDFlash的温度成反比关系，那么所述根据所述调整量对所述目标NANDFlash中各存储单元的当前判定电压进行补偿调整，得到各所述存储单元的目标判定电压的步骤，包括：针对所述目标NANDFlash中各存储单元，分别计算各所述存储单元的当前判定电压与所述调整量之和，得到所述存储单元的目标判定电压。可选地，根据所述调整量对所述目标NANDFlash中各存储单元的当前判定电压进行补偿调整，得到各所述存储单元的目标判定电压的步骤之后，还包括：对所述目标判定电压进行数模转换，得到所述存储单元的最终判定电压。根据本专利技术的另一方面，提供了一种NANDFlash电压自动补偿装置，包括：温度状态电压检测模块，用于检测目标NANDFlash的温度状态电压；所述温度状态电压用于表征所述目标NANDFlash的温度状态；调整量获取模块，用于根据所述温度状态电压以及预设的参考电压获取对所述目标NANDFlash中各存储单元的当前判定电压进行调整的调整量；电压补偿调整模块，用于根据所述调整量对所述目标NANDFlash中各存储单元的当前判定电压进行补偿调整，得到各所述存储单元的目标判定电压。可选地，所述调整量获取模块，包括：第一差值获取子模块，用于计算所述温度状态电压与所述参考电压之间的第一差值；模数变换子模块，用于对所述第一差值进行模数变换，得到对所述目标NANDFlash中各存储单元的当前判定电压进行调整的调整量。可选地，如果所述温度状态电压与所述目标NANDFlash的温度成正比关系，那么所述电压补偿调整模块，包括：第一调整子模块，用于针对所述目标NANDFlash中各存储单元，分别计算各所述存储单元的当前判定电压与所述调整量的差值，得到所述存储单元的目标判定电压。可选地，如果所述温度状态电压与所述目标NANDFlash的温度成反比关系，那么所述电压补偿调整模块，包括：第二调整子模块，用于针对所述目标NANDFlash中各存储单元，分别计算各所述存储单元的当前判定电压与所述调整量之和，得到所述存储单元的目标判定电压。可选地，还包括：数码转换模块，用于对所述目标判定电压进行数模转换，得到所述存储单元的最终判定电压。根据本专利技术的一种NANDFlash电压自动补偿方法和装置，可以检测目标NANDFlash的温度状态电压；所述温度状态电压用于表征所述目标NANDFlash的温度状态；根据所述温度状态电压以及预设的参考电压获取对所述目标NANDFlash中各存储单元的当前判定电压进行调整的调整量；根据所述调整量对所述目标NANDFlash中各存储单元的当前判定电压进行补偿调整，得到各所述存储单元的目标判定电压。由此解决了在不同温度条件下现有的NANDFlash中的各存储单元所存储的数据所代表的阈值电压范围出现偏移，使得读取存储单元中的数据时，容易会出现误判的技术问题。取得了避免因温度变化导致的误判，提高数据读写准确度的有益效果。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本专利技术的具体实施方式。附图说明通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：图1示出了根据本专利技术一个实施例的一种NANDFlash电压自动补偿方法的步骤流程图；图1A示出了根据本专利技术一个实施例的一种NANDFlash物理存储单元的阵列组织结构示意图；图1B示出了根据本专利技术一个实施例的一种NANDFLASH的存储结构示意图；图1C示出了根据本专利技术一个实施例的一种阈值电压与判定电压的分布示意图；图1D示出了根据本专利技术一个实施例的一种存储单元的阈值电压在不同温度条件下的变化情况示意图；图2示出了根据本专利技术一个实施例的一种NANDFlash电压自动补偿方法的步骤流程图；图2A示出了根据本专利技术一种用于对目标NANDFlash进行电压自动补偿的结构示意图；图3示出了根据本专利技术一个实施例的一种NANDFlash电压自动补偿方法的步骤流程本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种NAND Flash电压自动补偿方法，包括：检测目标NAND Flash的温度状态电压；所述温度状态电压用于表征所述目标NAND Flash的温度状态；根据所述温度状态电压以及预设的参考电压获取对所述目标NAND Flash中各存储单元的当前判定电压进行调整的调整量；根据所述调整量对所述目标NAND Flash中各存储单元的当前判定电压进行补偿调整，得到各所述存储单元的目标判定电压。

【技术特征摘要】
1.一种NANDFlash电压自动补偿方法，包括：检测目标NANDFlash的温度状态电压；所述温度状态电压用于表征所述目标NANDFlash的温度状态；根据所述温度状态电压以及预设的参考电压获取对所述目标NANDFlash中各存储单元的当前判定电压进行调整的调整量；根据所述调整量对所述目标NANDFlash中各存储单元的当前判定电压进行补偿调整，得到各所述存储单元的目标判定电压。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述温度状态电压以及预设的参考电压获取对所述目标NANDFlash中各存储单元的当前判定电压进行调整的调整量的步骤，包括：计算所述温度状态电压与所述参考电压之间的第一差值；对所述第一差值进行模数变换，得到对所述目标NANDFlash中各存储单元的当前判定电压进行调整的调整量。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，如果所述温度状态电压与所述目标NANDFlash的温度成正比关系，那么所述根据所述调整量对所述目标NANDFlash中各存储单元的当前判定电压进行补偿调整，得到各所述存储单元的目标判定电压的步骤，包括：针对所述目标NANDFlash中各存储单元，分别计算各所述存储单元的当前判定电压与所述调整量的差值，得到所述存储单元的目标判定电压。4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，如果所述温度状态电压与所述目标NANDFlash的温度成反比关系，那么所述根据所述调整量对所述目标NANDFlash中各存储单元的当前判定电压进行补偿调整，得到各所述存储单元的目标判定电压的步骤，包括：针对所述目标NANDFlash中各存储单元，分别计算各所述存储单元的当前判定电压与所述调整量之和，得到所述存储单元的目标判定电压。5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，根据所述调整量对所述目标NANDFlash中各存储单元的当前判定电...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏志强，刘会娟，张现聚，邓龙利，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11