电子设备及其驱动方法技术

可以提供一种包括半导体存储器的电子设备。半导体存储器可以包括写入电路，写入电路被配置用于产生第一电流。半导体存储器可以包括第一选择电路，第一选择电路被配置用于基于第一选择信号来将第一写入电路耦接到第一线。半导体存储器可以包括第二写入电路，第二写入电路被配置用于产生第二电流。半导体存储器可以包括第二选择电路，第二选择电路被配置用于基于第二选择信号来将第二写入电路耦接到第二线。半导体存储器可以包括存储单元，存储单元耦接在第一线与第二线之间。半导体存储器可以包括电压控制电路，电压控制电路被配置用于控制第二线的电压电平。

Electronic device and driving method thereof

An electronic device including a semiconductor memory can be provided. The semiconductor memory may include a write circuit that is configured to generate a first current. The semiconductor memory may include a first selection circuit configured to couple the first write circuit to the first line based on the first selection signal. The semiconductor memory may include a second write circuit, and the second write circuit is configured to generate a second current. The semiconductor memory may comprise a second selection circuit, and the second selection circuit is configured to couple the second write circuit to the second line based on the second selection signal. The semiconductor memory may include a storage unit coupled between the first line and the second line. The semiconductor memory may include a voltage control circuit configured to control the voltage level of the second line.

【技术实现步骤摘要】
电子设备及其驱动方法相关申请的交叉引用本申请要求2016年1月19日提交的专利技术名称为“电子设备”的第10-2016-0006406号韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。
本专利文件涉及存储电路或器件和它们在电子设备或系统中的应用。
技术介绍
近来，随着电子装置趋向于微型化、低功耗、高性能、多功能等，本领域需要能在诸如计算机、便携式通信设备等的各种电子装置中储存信息的半导体器件，且已经对半导体器件进行研究。这样的半导体器件包括能利用它们根据施加的电压或电流在不同的电阻状态之间切换的特性来储存数据的半导体器件，例如，RRAM(电阻式随机存取存储器)、PRAM(相变随机存取存储器)、FRAM(铁电随机存取存储器)、MRAM(磁随机存取存储器)、电熔丝等。
技术实现思路
本专利文件中公开的技术包括存储电路或器件及它们在电子设备或系统中的应用以及电子设备的各种实施方式，它们的写入操作性能得到改善。在实施例中，可以提供一种电子设备。电子设备可以包括半导体存储器。半导体存储器可以包括写入电路，写入电路被配置用于产生第一电流。半导体存储器可以包括第一选择电路，第一选择电路被配置用于基于第一选择信号来将第一写入电路耦接到第一线。半导体存储器可以包括第二写入电路，第二写入电路用于产生第二电流。半导体存储器可以包括第二选择电路，第二选择电路被配置用于基于第二选择信号来将第二写入电路耦接到第二线。半导体存储器可以包括存储单元，存储单元耦接在第一线与第二线之间。半导体存储器可以包括电压控制电路，电压控制电路被配置用于控制第二线的电压电平。以上电子设备的实施方式可以包括以下实施方式中的一个或更多个。第一写入电路块和第一选择块可以在第一电压域操作。第二写入电路块和第二选择块可以在第二电压域操作。第二电压域可以低于第一电压域。第一电压域可以包括介于接地电压与正电压之间的电压范围，第二电压域可以包括介于负电压与接地电压之间的电压范围。存储块可以包括：可变电阻元件，耦接到第一线；以及选择元件，耦接在可变电阻元件与第二线之间。第一电流可以包括用于控制可变电阻元件的电阻状态的写入电流，第二电流可以包括用于控制选择元件的开关操作的阈值电流。电压控制块可以耦接到第二线或者第二线与第二写入电路块之间的节点。电压控制块可以包括耦接在被提供偏置电压的偏置电压端子与第二线之间或者耦接在偏置电压端子与节点之间的二极管、二极管连接的PMOS晶体管以及二极管连接的NMOS晶体管中的一种。电压控制块可以包括预充电元件，用于基于预充电信号将被提供预充电电压的预充电电压端子耦接到第二线。电压控制电路可以配置成将第二线的电压电平限制为预定的电压电平。电子设备还可以包括微处理器，微处理器包括：控制单元，被配置成从微处理器的外部接收包括命令的信号，以及执行命令的提取、解码或者对微处理器的信号的输入或输出的控制；操作单元，被配置成基于控制单元解码命令的结果来执行操作；以及存储器单元，被配置成储存用于执行操作的数据、与执行操作的结果相对应的数据或者被执行操作的数据的地址，其中，半导体存储器是微处理器中的存储器单元的部件。电子设备还可以包括处理器，处理器包括：核心单元，被配置成基于从处理器的外部输入的命令来利用数据执行与命令相对应的操作；高速缓存存储器单元，被配置成储存用于执行操作的数据、与执行操作的结果相对应的数据或者被执行操作的数据的地址；以及总线接口，连接在核心单元与高速缓存存储器单元之间，以及被配置成在核心单元与高速缓存存储器单元之间传输数据，其中，半导体存储器是处理器中的高速缓存存储器单元的部件。电子设备还可以包括处理系统，处理系统包括：处理器，被配置成将由处理器接收的命令解码，以及基于将命令解码的结果来控制针对信息的操作；辅助存储设备，被配置成储存信息和用于将命令解码的程序；主存储设备，被配置成调用和储存来自辅助存储设备的程序和信息，使得处理器能在执行程序时利用程序和信息来执行操作；以及接口设备，被配置成执行处理器、辅助存储设备和主存储设备中的至少一个与外部之间的通信，其中，半导体存储器是处理系统中的辅助存储设备或主存储设备的部件。电子设备还可以包括数据储存系统，数据储存系统包括：储存设备，被配置成储存数据和不管电源如何也保留储存的数据；控制器，被配置成根据从外部输入的命令来控制数据向储存设备的输入以及数据从储存设备的输出；暂时储存设备，被配置成暂时储存在储存设备与外部之间交换的数据；以及接口，被配置成执行储存设备、控制器和暂时储存设备中的至少一个与外部之间的通信，其中，半导体存储器是数据储存系统中的储存设备或暂时储存设备的部件。电子设备还可以包括存储系统，存储系统包括：存储器，被配置成储存数据和不管电源如何也保留储存的数据；存储控制器，被配置成根据从外部输入的命令来控制数据向存储器的输入和数据从存储器的输出；缓冲存储器，被配置成缓冲在存储器与外部之间交换的数据；以及接口，被配置成执行存储器、存储控制器和缓冲存储器中的至少一个与外部之间的通信，其中，半导体存储器是存储系统中的存储器或缓冲存储器的部件。在实施例中，可以提供一种用于驱动包括半导体存储器的电子设备的方法。该方法可以包括：经由耦接到存储单元的一侧的第一线提供高电压，以及经由耦接到存储单元的另一侧的第二线提供低电压。该方法可以包括：控制第二电流流入存储单元中，第二电流用于控制存储单元中所包括的选择元件的开关操作。该方法可以包括：控制第二线具有处于高电压与低电压之间的预定电压。该方法可以包括：控制第一电流流入存储单元中，第一电流用于控制存储单元中所包括的可变电阻元件的电阻状态。以上方法的实施方式可以包括以下实施方式中的一个或更多个。高电压可以包括正电压，低电压可以包括负电压，预定电压可以包括接地电压。第一电流可以从耦接在第一线与高电压的供应端子之间的第一写入电路块产生，第二电流可以从耦接在第二线与低电压的供应端子之间的第二写入电路块产生。在实施例中，可以提供一种电子设备。电子设备可以包括半导体存储器。半导体存储器可以包括被配置用于产生第一电流的写入电路。半导体存储器可以包括被配置用于基于第一选择信号将第一写入电路耦接到第一线的第一选择电路。半导体存储器可以包括被配置用于产生第二电流的第二写入电路。半导体存储器可以包括被配置用于基于第二选择信号将第二写入电路耦接到第二线的第二选择电路。半导体存储器可以包括耦接在第一线与第二线之间的存储单元。半导体存储器可以包括电压控制电路，电压控制电路被配置用于防止在存储单元的写入操作期间泄漏电流从第一选择电路流到第一线。在附图、说明书和权利要求中更详细地描述这些和其它方面、实施方式和相关联的优点。附图说明图1是说明根据实施例的存储器件的示例的代表的电路图。图2是说明根据实施例的存储器件的示例的代表的电路图。图3是说明根据实施例的存储器件的示例的代表的电路图。图4是说明根据实施例的存储器件的示例的代表的电路图。图5是基于所公开技术的实施存储电路的微处理器的配置图的示例。图6是基于所公开技术的实施存储电路的处理器的配置图的示例。图7是基于所公开技术的实施存储电路的系统的配置图的示例。图8是基于所公开技术的实施存储电路的数据储存系统的配置图的示例。图9是基于所公本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子设备，包括半导体存储器，半导体存储器包括：写入电路，被配置用于产生第一电流；第一选择电路，被配置用于基于第一选择信号来将第一写入电路耦接到第一线；第二写入电路，被配置用于产生第二电流；第二选择电路，被配置用于基于第二选择信号来将第二写入电路耦接到第二线；存储单元，耦接在第一线与第二线之间；以及电压控制电路，被配置用于控制第二线的电压电平。

【技术特征摘要】
2016.01.19 KR 10-2016-00064061.一种电子设备，包括半导体存储器，半导体存储器包括：写入电路，被配置用于产生第一电流；第一选择电路，被配置用于基于第一选择信号来将第一写入电路耦接到第一线；第二写入电路，被配置用于产生第二电流；第二选择电路，被配置用于基于第二选择信号来将第二写入电路耦接到第二线；存储单元，耦接在第一线与第二线之间；以及电压控制电路，被配置用于控制第二线的电压电平。2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，第一写入电路和第一选择电路在第一电压域操作。3.根据权利要求2所述的电子设备，其中，第二写入电路和第二选择电路在第二电压域操作。4.根据权利要求3所述的电子设备，其中，第二电压域比第一电压域低。5.根据权利要求4所述的电子设备，其中，第一电压域包括介于接地电压与正电压之间的电压范围，以及第二电压域包括介于负电压与接地电压之间的电压范围。6.根据权利要求1所述的电子设备，其中，存储单元包括：可变电阻元件，耦接到第一线；以及选择元件，耦接在可变电阻元件与第二线之间。7.根据权利要求6所述的电子设备，其中，第一电流包括用于控制可变电阻元件的电阻状态的写入电流，以及第二电流包括用于控制选择元件的开关操作的阈值电流。8.根据权利要求1所述的电子设备，其中，电压控制电路耦接到第二线或者耦接到第二线与第二写入电路之间的节点。9.根据权利要求8所述的电子设备，其中，电压控制电路包括耦接在被提供偏置电压的偏置电压端子与第二线之间或者耦接在偏置电压端子与节点之间的二极管、二极管连接的PMOS晶体管和二极管连接的NMOS晶体管中的一个。10.根据权利要求8所述的电子设备，其中，电压控制电路包括预充电元件，用于基于预充电信号将被提供预充电电压的预充电电压端子耦接到第二线。11.根据权利要求1所述的电子设备，其中，电压控制电路被配置成将第二线的电压电平限制为预定的电压电平。12.根据权利要求1所述的电子设备，还包括微处理器，微处理器包括：控制单元，被配置成从微处理器的外部接收包括命令的信号，以及执行命令的提取、解码或者对微处理器的信号的输入或输出的控制；操作单元，被配置成基于控制单元解码命令的结果来执行操作；以及存储器单元，被配置成储存用于执行操作的数据、与执行操作的结果相对应的数据或者被执行操作的数据的地址，其中，半导体存储器是微处理器中的存储器单元的部件。13.根据权利要求1所述的电子设备，还包括处理器，处理器包括：核心单元，被配置成基于从处理器的外部输入的命令来利用数据执行与命令相对应的操作；高速缓存存储器单元，被配置成储存用于执行操作的数据、与执行操作的结果相对应的数据或者被执行操作的数据的地址；以及总线接口，连接在核心单元与高速缓存存储器单元之间，以及被配置成在核心单元与高速缓存存储器单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹正赫，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR