一种三维存储器及其读取方法和读取电路技术

本发明专利技术公开了一种三维存储器及其读取方法和读取电路，所述三维存储器包括存储串阵列，所述存储串阵列包括多个存储串，且所述存储串包括串联的多个存储单元，在对三维存储器读取过程中，控制未选中存储串中的预设存储单元在输入验证电压后产生的耦合电势，与未选中存储串中其余存储单元在输入串导通电压后产生的耦合电势之间电势差在预设范围内，使得未选中存储串中的各区域电势较为均衡，改善电子由电势低的预设存储单元向相邻电势高的存储单元流动的情况，进而改善预设存储单元出现热载流子注入效应的情况，提高三维存储器的可靠性。

A three dimensional memory and its reading method and reading circuit

The invention discloses a three-dimensional memory and reading method and circuit, the three-dimensional memory includes a memory array string, the string memory array includes a plurality of memory strings, and the storage string includes a plurality of memory cells connected in series, in the reading of the three-dimensional memory process, coupling voltage control unselected preset storage unit in the series of storage in voltage input validation, and the remaining unselected memory string in the input string of potential difference between the coupling potential generated turn-on voltage after a preset range, which is not selected in each region on the storage potential is more balanced, low potential by improving electronic preset storage unit to the storage unit the flow of the high potential of adjacent, and then improve the default storage unit of hot carrier injection effect, improve the reliability of three-dimensional storage.

【技术实现步骤摘要】
一种三维存储器及其读取方法和读取电路
本专利技术涉及存储器
，更为具体的说，涉及一种三维存储器及其读取方法和读取电路。
技术介绍
NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储器设备，随着人们追求低功耗、轻质量和更好性能的非易失存储产品，NAND存储器设备在电子产品中得到了广泛的应用。目前，平面结构的NAND闪存已经达到了实际扩展的极限，为了进一步提高存储容量，降低每比特的存储成本，提出了3DNANFD存储器(三维存储器)。现有的三维存储器包括有存储串阵列，存储串阵列包括有多个存储串，且每个存储串包括有串联的多个存储晶体管。现有技术在对三维存储器进行数据的读取过程中，会对选中存储串进行读取，而同时也会对未选中存储串进行电压的输入，具体为对未选中存储串中随机的存储晶体管的控制端输入验证电压，同时对未选中存储串的其余存储晶体管输入串导通电压，其中，验证电压为在读取过程中呈上升趋势的电压。现有的读取方法经常导致未选中的存储串中的存储单元在输入验证电压的时候，存储晶体管内产生热载流子注入效应，降低三维存储器的可靠性。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种三维存储器及其读取方法和读取电路，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维存储器的读取方法，所述三维存储器包括存储串阵列，所述存储串阵列包括多个存储串，且所述存储串包括串联的多个存储单元，其特征在于，包括：关闭所述存储串阵列中的未选中的存储串；控制所述未选中存储串中的预设存储单元在输入验证电压后产生的耦合电势，与所述未选中存储串中其余存储单元在输入串导通电压后产生的耦合电势之间电势差在预设范围内。

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的读取方法，所述三维存储器包括存储串阵列，所述存储串阵列包括多个存储串，且所述存储串包括串联的多个存储单元，其特征在于，包括：关闭所述存储串阵列中的未选中的存储串；控制所述未选中存储串中的预设存储单元在输入验证电压后产生的耦合电势，与所述未选中存储串中其余存储单元在输入串导通电压后产生的耦合电势之间电势差在预设范围内。2.根据权利要求1所述的三维存储器的读取方法，其特征在于，对所述预设存储单元输入所述验证电压为：对所述预设存储单元输入电压值呈下降趋势的验证电压。3.根据权利要求2所述的三维存储器的读取方法，其特征在于，所述读取方法包括第一验证阶段、第二验证阶段和第三验证阶段；其中，在所述第一阶段，对所述预设存储单元输入第一预设验证电压；在所述第二阶段，对所述预设存储单元输入第二预设验证电压；及，在所述第三阶段，对所述预设存储单元输入第三预设验证电压，其中，所述第一预设验证电压大于所述第二预设验证电压，且所述第二预设验证电压大于所述第三预设验证电压。4.根据权利要求1所述的三维存储器的读取方法，其特征在于，所述存储串还包括第一端部选择单元和第二端部选择单元，所述第一端部选择单元串接于所述串联的多个存储单元的输入端部，且所述第二端部选择单元串接于所述串联的多个存储单元的输出端部；其中，所述第一选择单元的输入端连接位线，所述第二选择单元的输出端连接共源线。5.根据权利要求4所述的三维存储器的读取方法，其特征在于，关闭所述存储串阵列中的未选中的存储串为：关断所述存储串阵列中的未选中的存储串中的第一选择单元和第二选择单元。6.根据权利要求4所述的三维存储器的读取方法，其特征在于，所述存储单元为存储晶体管；及，所述第一端部选择单元和所述第二端部选择单元均为选择晶体管。7.一种三维存储器的读取电路，所述三维存储器包括存储串阵列，所述存储串阵列包括多个存储串，且所述存储串包括串联的多个存储单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘红涛，靳磊，姜丹丹，邹兴奇，张瑜，张城绪，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42