一种降低编程干扰的控制方法及装置制造方法及图纸

本方案提供了一种降低编程干扰的控制方法及装置，该方法应用于存储器件，所述存储器件包括源极、漏极、顶栅和底栅，该控制方法在预充电阶段，在所述存储器件的漏极或顶栅上加载第一预设电压，在所述存储器件的源极或底栅上加载第二预设电压，以使所述存储器件中的沟道通过所述第一预设电压以及所述第二预设电压进行预充电。可见，本方案采用同时对沟道的两端进行预充电，使得沟道上不会有电流产生，因此，不会增加存储器件的功耗，并且，由于沟道上有电压输入，提高了沟道耦合电压，进一步降低了编程干扰。

A control method and device for reducing programming interference

This scheme provides a control method and device for reducing programming interference, this method is applied to the storage device, the storage device comprises a source electrode, a drain electrode, the top and bottom gate, the control method in the pre charging stage, in the storage device or the top gate drain load first preset voltage in the storage device, the source or the bottom gate load second preset voltage to the memory device in the channel by the first preset voltage and the second voltage preset pre charging. Visible, and two of the channel are precharged by using the scheme, the channel will not have current generation, therefore, does not increase the power consumption, and storage devices, because of the channel on the input voltage, improves the channel coupling voltage, further reducing the interference of programming.

【技术实现步骤摘要】
一种降低编程干扰的控制方法及装置
本专利技术涉及闪存存储器领域，更具体地说，涉及一种降低编程干扰的控制方法及装置。
技术介绍
NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，随着人们追求功耗低、质量轻和性能佳的非易失存储产品，在电子产品中得到了广泛的应用。目前，平面结构的NAND闪存已近实际扩展的极限，为了进一步的提高存储容量，降低每比特的存储成本，提出了3D结构的NAND存储器。在3DNAND存储器结构中，需要通过控制电路对各存储单元进行控制，如图1所示，开关管阵列对应存储单元阵列，在三维存储器中，存储单元A、存储单元B、存储单元C以及存储单元D均位于相同的字线(图1中，存储单元与字线WL2相连)。在编程时序段，被选中的存储单元对应的字线会被通高电压，例如，需要选中存储单元A，那么，会将WL2上加载高电压，这时，为了让不被选中存储单元B、存储单元C以及存储单元D不被编程，需要将存储单元B、C、D进行抑制。目前，是通过控制SSL以及GSL上的信号，对未被选中的存储单元，例如B、C、D，关断其对应串的SSL和GSL，这样这些串就会处于浮空状态，在栅端加上高压的时候，这些串对应的沟道会耦合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低编程干扰的控制方法，其特征在于，应用于存储器件，所述存储器件包括源极、漏极、顶栅、底栅和存储层，该控制方法包括：在预充电阶段，在所述存储器件的漏极和顶栅上加载第一预设电压，在所述存储器件的源极和底栅上加载第二预设电压，以使所述存储器件中的沟道通过所述第一预设电压以及所述第二预设电压进行预充电。

【技术特征摘要】
1.一种降低编程干扰的控制方法，其特征在于，应用于存储器件，所述存储器件包括源极、漏极、顶栅、底栅和存储层，该控制方法包括：在预充电阶段，在所述存储器件的漏极和顶栅上加载第一预设电压，在所述存储器件的源极和底栅上加载第二预设电压，以使所述存储器件中的沟道通过所述第一预设电压以及所述第二预设电压进行预充电。2.根据权利要求1所述的降低编程干扰的控制方法，其特征在于，还包括：在沟道打开阶段，通过字线对所述存储器件通入第三预设电压；在编程阶段，对选中的存储单元通第四预设电压，对未选中的存储单元通入所述第三预设电压。3.根据权利要求1所述的降低编程干扰的控制方法，其特征在于，所述第二预设电压与所述第一预设电压相同。4.根据权利要求1所述的降低编程干扰的控制方法，其特征在于，在预充电阶段，在所述存储器件的漏极以及顶栅上加载第一预设电压，在所述存储器件的源极、底栅以及衬底上均加载第二预设电压，以使所述存储器件中的沟道通过所述第一预设电压以及所述第二预设电压进行预充电。5.根据权利要求1所述的降低编程干扰的控制方法，其特征在于，所述第二预设电压与所述第一预设电压的差值为第一差值，所述第一差值不等于零。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘红涛，靳磊，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42