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本方案提供了一种降低编程干扰的控制方法及装置，该方法应用于存储器件，所述存储器件包括源极、漏极、顶栅和底栅，该控制方法在预充电阶段，在所述存储器件的漏极或顶栅上加载第一预设电压，在所述存储器件的源极或底栅上加载第二预设电压，以使所述存储器件...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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