本发明公开利用支撑条的动态随机存取存储器单元阵列及其制作方法。根据本发明的动态随机存取存储器单元阵列的制作方法生成的动态随机存取存储器单元阵列的动态随机存取存储器单元对各自的第一动态随机存取存储器单元及第二动态随机存取存储器单元共享支撑...

本发明公开了减少高电压晶体管的数量的NAND闪存装置，包括：偶数位线；奇数位线；共源极线；存储阵列，包括偶单元串及奇单元串，偶单元串及奇单元串分别包括多个单元晶体管、源选择晶体管以及漏极选择晶体管，多个单元晶体管以NAND串的形态配置，...

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三维堆叠的闪存结构，包括：基板；支撑板，形成于基板的上表面，由半导体材料制备形成；第一侧面结构；第二侧面结构；第一侧面结构包括上下堆叠的多个第一晶体管控制结构，且相邻的第一晶体管控制结构之间通过第一...

本发明提供了一种减少设计面积的动态随机存储器单元及其制造方法，应用于半导体存储装置制造领域，其中，每一所述动态随机存储器单元包括一晶体管、一电容器，所述晶体管的栅电极于字线电压的控制下导通位线与所述电容器之间的传送通道；每一对所述动态随...

本发明提供了一种避免数据干扰的闪存装置，应用于闪存装置的修复，其中存储阵列包括多个存储单元，其中，闪存装置包括，数据读取单元，用以持续读取存储阵列中对应的存储单元中的读取数据并输出；数据修复地址形成单元，用以持续形成被读取的读取数据对应...

本发明提供了一种避免数据擦除出错的闪存装置，应用于闪存单元的擦除，存储阵列中包括多个存储单元，包括：数据擦除单元内预先由高至低形成多个等级的擦除电压并根据外部输入的擦除信号输出一个等级的擦除电压以对被激活的存储单元进行数据擦除；数据检测...