【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请涉及非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的操作。
技术介绍
1、本节提供与本公开相关联的技术相关的背景信息，并且由此不一定为现有技术。
2、半导体存储器装置已经变得越来越普遍用于各种电子设备。例如，非易失性半导体存储器用于蜂窝电话、数字相机、个人数字助理、移动计算设备、非移动计算设备以及其他设备。
3、电荷存储材料(诸如浮栅)或电荷俘获材料可用于这种存储器装置中以存储表示数据状态的电荷。电荷俘获材料可以被垂直布置在三维(3d)堆叠的存储器结构中，或者被水平布置在二维(2d)存储器结构中。3d存储器结构的一个示例是位成本可扩展(bics)体系结构，该体系结构包括交替的导电层和介电层的堆叠。
技术实现思路
1、本节提供了本公开的一般概述，并且不是其全部范围或其所有特征和优点的全面公开。
2、本公开的目的是提供解决和克服本文所述的缺点的存储器装置和操作该存储器装置的方法。
3、因此，本公开的一个方面是一种存储设备，该存储设备包括：非易失性存...
【技术保护点】
1.一种存储设备，所述存储设备包括：
2.根据权利要求1所述的存储设备，其中所述第一位线偏置模式是基于以下各项中的一者选择的：所述编程循环在编程循环序列中的位置；包括在所述一组状态中的多种状态；或者哪些状态被包括在所述一组状态中。
3.根据权利要求1所述的存储设备，其中所述第二位线偏置模式是基于以下各项中的一者选择的：所述另一编程循环在编程循环序列中的位置；包括在所述另一组状态中的多种状态；或者哪些状态被包括在所述另一组状态中。
4.根据权利要求1所述的存储设备，其中所述第一位线偏置模式的所述方案包括连续预充电与将要验证的每种状态相
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种存储设备，所述存储设备包括：
2.根据权利要求1所述的存储设备，其中所述第一位线偏置模式是基于以下各项中的一者选择的：所述编程循环在编程循环序列中的位置；包括在所述一组状态中的多种状态；或者哪些状态被包括在所述一组状态中。
3.根据权利要求1所述的存储设备，其中所述第二位线偏置模式是基于以下各项中的一者选择的：所述另一编程循环在编程循环序列中的位置；包括在所述另一组状态中的多种状态；或者哪些状态被包括在所述另一组状态中。
4.根据权利要求1所述的存储设备，其中所述第一位线偏置模式的所述方案包括连续预充电与将要验证的每种状态相关联的位线。
5.根据权利要求4所述的存储设备，其中所述第二位线偏置模式的所述方案包括同时预充电与将要验证的每种状态相关联的位线。
6.根据权利要求1所述的存储设备，其中所述第一位线偏置模式的所述方案包括同时预充电与将要验证的每种状态相关联的位线。
7.根据权利要求6所述的存储设备，其中所述第二位线偏置模式的所述方案包括连续预充电与将要验证的每种状态相关联的位线。
8.根据权利要求6所述的存储设备，其中所述第二位线偏置模式的所述方案包括同时预充电与除了擦除状态和已经验证的状态之外的所有状态相关联的位线。
9.一种操作非易失性半导体存储器设备的方法，所述方法包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一位线偏置模式是基于以下各项中的一者选择的：所述编程循环在编程循环序列中的位置；包括在所述一组状态中的多种状态；或者哪些状态被包括在所述一组状态中。
11.根据权利要求9所述的方法，其中所述第二位线偏置模式是基于...
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