半导体空腔的临时机械稳定制造技术

一种用于制作电子器件的方法包括：提供半导体晶片；在所述半导体晶片中形成多个空腔；将稳定化材料填充到所述空腔中；通过将盖片施加在所述半导体晶片上来制作临时面板，所述盖片覆盖所述空腔；将所述临时面板单个化地分割成多个半导体器件；通过将所述半导体器件嵌入包封材料中来制作嵌入式晶片；将每一个半导体器件的所述盖片去除；以及将所述嵌入式晶片单个化地分割成多个电子器件。

Temporary mechanical stability of a semiconductor cavity

Includes a method for making electronic devices providing a semiconductor wafer; forming a plurality of cavities in the semiconductor wafer; the stabilized material is filled into the cavity; on the semiconductor wafer to make temporary panel by applying will cover, the cover plate covering the cavity; the temporary one of the panel is divided into a plurality of semiconductor devices; to make embedded chip by using the semiconductor device embedded within an encapsulating material; every semiconductor device of the cover removal; and the single chip embedded to is divided into a plurality of electronic devices.

【技术实现步骤摘要】
半导体空腔的临时机械稳定
本公开涉及一种用于制作电子器件的方法。
技术介绍
例如，麦克风、压力和气体传感器在诸如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、汽车和医疗设备等的电子设备中使用。这种器件现在可以被构造为硅微机电系统(MEMS：micro-electro-mechanicalsystem)。例如，在麦克风中，背部容积空间形成在MEMS声音装置的下方或后方。例如，术语“背部容积空间”可以指与MEMS声音部件、例如声波可能作用的膜相反的空间，并且也可以称为背侧空腔。背部容积空间在一侧由MEMS膜限制，在另一侧由覆盖麦克风空腔的盖或罩限制。例如，如前所述，可以以半导体晶片、例如硅晶片作为开始在晶片级基础上制作MEMS器件。在例如通过刻蚀在半导体晶片中形成空腔之后，由于所述半导体晶片的低的机械稳定性，特别是如果所述空腔被刻蚀至先前已经制作在所述半导体晶片的主面上的薄MEMS结构，则可能会出现问题。对于所述半导体晶片的进一步加工，机械稳定性的这些问题可能会变成阻碍。
技术实现思路
根据本公开的第一方面，一种用于制作电子器件的方法包括：提供半导体晶片；在所述半导体晶片中形成多个空腔；将稳定化材料填充到所述空腔中；通过将盖片施加在所述半导体晶片上来制作临时面板，所述盖片覆盖所述空腔；将所述临时面板单个化地分割成多个半导体器件；通过将所述半导体器件嵌入包封材料中来制作嵌入式晶片；将每一个半导体器件的所述盖片去除；以及将所述嵌入式晶片单个化地分割成多个电子器件。根据本公开的第二方面，一种用于制作电子器件的方法包括：提供包括多个空腔的半导体晶片；将稳定化材料填充到所述空腔中；将所述半导体晶片单个化地分割成多个半导体器件；通过将所述半导体器件嵌入包封材料中来制作嵌入式晶片；将所述稳定化材料从所述空腔中去除；以及将所述嵌入式晶片单个化地分割成多个电子器件。本领域技术人员在阅读以下详细描述并考虑到附图后会认识到附加的特征和优点。附图说明包括附图以提供对示例的进一步理解，附图并入到说明书中并构成说明书的一部分。附图说明了示例，并与下面的描述一起用于解释示例的原理。由于参考以下详细描述变得更好理解，可以更好地明白其它示例和示例的许多预期优点。图1示出了用于说明根据第一方面的用于制作电子器件的示例性方法的流程图。图2示出了用于说明根据第二方面的用于制作电子器件的示例性方法的流程图。图3包括图3A至3G，并且示出了用于说明根据一个示例的用于制作电子器件的方法的示意性侧剖视图。具体实施方式现在参考附图描述各方面和示例，其中，在全文中通常使用相同的附图标记来指代相同的元件。在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节，以提供对示例的一个或两个以上方面的透彻理解。然而，对于本领域技术人员来说，可以以较小程度的具体细节来实施示例的一个或两个以上方面是显而易见的。在其它情况下，以示意图形式示出了已知的结构和元件，以便于描述示例的一个或两个以上方面。应当理解，在不脱离本公开的范围的情况下，可以利用其它示例，并且可以进行结构或逻辑上的改变。还应指出，附图不是按比例的或不是必须按比例的。同样在附图中，为了清楚起见，线、层和/或区域的厚度可能被夸大。在下面的详细描述中，参考了构成说明书的一部分的附图，所述附图通过图示说明可以实施本公开的具体方面。在这点上，可以参考所描述的图的取向来使用诸如“顶”、“底”、“前”、“后”等方向性术语。由于所描述的器件的部件可以以多个不同的取向定位，所以方向性术语可以用于说明的目的，而不是限制。应当理解，在不脱离本公开的范围的情况下，可以利用其它方面，并且可以进行结构或逻辑上的改变。因此，以下详细描述不应被认为是限制性的，并且本公开的范围由所附权利要求限定。此外，虽然可能仅针对几个实施方式中的一个来公开了示例的特定特征或方面，但是也可以根据需要将这样的特征或方面与其它实施方式的一个或两个以上其它特征或方面组合，这对于任何给定或特定应用可能是有利的。此外，就详细描述或权利要求书中使用的术语“包括”、“具有”、“带有”或其它变体的术语而言，这些术语旨在以类似于术语“包括”的方式是开放式。可以使用术语“耦合”和“连接”以及其派生词。应当理解，这些术语可以用于指示两个元件彼此协作或相互作用，而不管它们彼此是直接的物理接触或电接触，还是彼此不直接接触。用于描述元件之间的关系的其它词应该以类似的方式来解释(例如，“在…之间”与“直接在…之间”，“相邻”与“紧邻”等)。另外，术语“示例性”仅仅意味着作为一个示例，而不是最佳或最优。因此，以下详细描述不应被认为是限制性的，并且本公开的范围由所附权利要求限定。本文使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，并不旨在限制示例实施例。如本文所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另有明确指示。进一步理解，术语“包含”、“包含…”、“包括”和/或“包括…”在本文中使用时，指定所述特征、整体结构、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除存在或附加一个或两个以上其它特征、整体结构、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组合。除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与示例性实施例所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将进一步理解，术语、例如在通常使用的字典中定义的那些术语应被解释为具有与其在相关领域的背景下的含义一致的意义，并且不会以理想化的或过度正式的方式解释，除非本文明确定义。一种用于制作电子器件的方法的示例包括在一个特定场景下将半导体器件嵌入包封材料中。包封材料可以是任何电绝缘材料，例如任何种类的模制材料、任何种类的树脂材料或任何种类的环氧树脂材料、双马来酰亚胺或氰酸酯。包封材料也可以是聚合物材料、聚酰亚胺材料或热塑性材料。包封材料还可以包括任何上述材料，并且还包括嵌入其中的填充材料，例如导热增加物。这些填料增加物可以由SiO、SiC、Al2O3、ZnO、AlN、BN、MgO、Si3N4或陶瓷或诸如Cu、Al、Ag或Mo的金属材料制成。此外，填料增加物可具有纤维的形状，例如可以由碳纤维或纳米管制成。包封材料还可能包括用于调节制造性能的其它添加剂。就用于制作电子器件的方法被描述为具有特定顺序的方法步骤而言，应当提及的是，技术人员就可以采用任何其它合适顺序的方法步骤。图1示出了用于说明根据第一方面的用于制作电子器件的示例性方法的流程图。图1的方法100包括提供半导体晶片(110)，在所述半导体晶片中形成多个空腔(120)，将稳定化材料填充到所述空腔中(130)，通过将覆盖所述空腔的盖片施加在所述半导体晶片上来制作临时面板(140)，将所述临时面板单个化地分割成多个半导体器件(150)，通过将所述半导体器件嵌入包封材料中来制作嵌入式晶片(160)，将每一个所述半导体器件的所述盖片去除(170)，以及将所述嵌入式晶片单个化地分割成多个电子器件(180)。根据第一方面的方法100的一个示例，在去除所述盖片之后，所述稳定化材料也将从所述空腔中被去除。根据其另一个示例，所述稳定化材料将通过借助于液体、特别是借助于丙酮或甲苯冲洗空腔而被去除。根据第一方面的方法100的一个示例，根据所述方法的后续步骤的预期工艺温度选择稳定化材料的种类。根据第一方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制作电子器件的方法，所述方法包括：提供半导体晶片；在所述半导体晶片中形成多个空腔；将稳定化材料填充到所述空腔中；通过将盖片施加到所述半导体晶片上来制作临时面板，所述盖片覆盖所述空腔；将所述临时面板单个化地分割成多个半导体器件；通过将所述半导体器件嵌入包封材料中来制作嵌入式晶片；将每一个所述半导体器件的所述盖片去除；以及将嵌入式晶片单个化地分割成多个电子器件。

【技术特征摘要】
2016.09.23 DE 102016117990.61.一种用于制作电子器件的方法，所述方法包括：提供半导体晶片；在所述半导体晶片中形成多个空腔；将稳定化材料填充到所述空腔中；通过将盖片施加到所述半导体晶片上来制作临时面板，所述盖片覆盖所述空腔；将所述临时面板单个化地分割成多个半导体器件；通过将所述半导体器件嵌入包封材料中来制作嵌入式晶片；将每一个所述半导体器件的所述盖片去除；以及将嵌入式晶片单个化地分割成多个电子器件。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：在去除所述盖片之后，将所述稳定化材料从所述空腔中去除。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述稳定化材料具有在40℃至160℃范围内的熔化温度Ts。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述稳定化材料被配置为：在40℃至160℃范围内的温度Ta下其物理状态从非晶态变为粘弹性或反之。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述稳定化材料包括热塑性材料、聚合物、蜡、聚乙烯、聚丁二烯、反式-1，4-聚丁二烯、聚丙烯、非晶态聚合物和共济失调聚苯乙烯中的一种或两种以上。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中将所述稳定化材料填充到空腔中而使得每个空腔中20％至70％的空腔容积被所述稳定化材料占据。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述空腔的剩余容积被排气。8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述半...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·马勒，D·迈尔，D·波尔沃尔，A·西格尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE