A multi inlet cavity heating support frame, mainly to solve the heating plate in the process of fast temperature rise due to slow cooling of semiconductor coating equipment, heat exchange efficiency and productivity is low, not enough uniform wafer temperature resulting in membrane failure, provide a multi inlet cavity heating support frame of the invention, the heating support frame comprises a supporting frame upper body support frame, a lower disc body, the guide groove plate, ceramic ceramic column and column mounting nut. The heating support frame of the invention can automatically adjust the temperature of the heating support frame through the automatic temperature control of the circulating medium, and can accurately control the temperature of the heating support frame.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种多进口空腔加热支撑架,属于半导体薄膜沉积应用及制造
技术介绍
半导体设备在进行沉积反应时往往需要使晶圆及腔室加热或维持在沉积反应所需要的温度,所以加热盘必需具备加热结构以满足给晶圆预热的目的。大多数半导体薄膜沉积设备,在沉积过程中还会有等离子体参与沉积反应,因等离子体能量的释放以及化学气体间反应的能量释放,加热盘及晶圆的温度会随着射频及工艺时间的增加温度会不断的上升,如果在进行相同温度下的工艺,需要等待加热盘降到相同的温度后才能进行,这样会耗费大量的时间,设备的产能相对比较低。如果晶圆和加热盘的温度升温过快,晶圆和加热盘的温度会超出薄膜所需承受的温度,致使薄膜失败。为了解决工艺过程中加热盘温升过快降温慢而导致半导体镀膜设备热交换效率及产能较低,晶圆温度不够均匀致使薄膜失败的问题,我们需要有能够自动调温的装置,来保证加热盘的温度。
技术实现思路
本专利技术以解决上述问题为目的,提供了一种多进口空腔加热支撑架,该支撑架采用支撑架上盘体与支撑架下盘体形成的空腔,并且利用媒介的循环进行冷却和加热,对支撑架进行温度的控制。为实现上述目的,本专利技术采用下述技术方案:一种多进口空腔加热支撑架,该加热支撑架包括支撑架上盘体,支撑架下盘体,导流槽盖板,陶瓷柱及陶瓷柱安装螺母;所述支撑架上盘体的下盘面设有凸台A,凸台B,陶瓷柱孔及热电偶孔,凸台A与凸台B形成环形沟槽,凸台B上分布有三个导流口,为媒介流入腔体内提供通道;所述陶瓷柱孔与热电偶孔的外围分别设有凸台C和凸台D;所述支撑架下盘体的上盘面上与上述陶瓷柱孔相对应的位置设有螺纹孔,在上盘面靠近中心 ...
【技术保护点】
一种多进口空腔加热支撑架,其特征在于,该加热支撑架包括支撑架上盘体,支撑架下盘体,导流槽盖板,陶瓷柱及陶瓷柱安装螺母;所述支撑架上盘体的下盘面设有凸台A,凸台B,陶瓷柱孔及热电偶孔,凸台A与凸台B形成环形沟槽,凸台B上分布有三个导流口,为媒介流入腔体内提供通道;所述陶瓷柱孔与热电偶孔的外围分别设有凸台C和凸台D;所述支撑架下盘体的上盘面上与上述陶瓷柱孔相对应的位置设有螺纹孔,在上盘面靠近中心的位置设有媒介入口、媒介出口及与上述热电偶孔位置相对应的热电偶安装螺纹孔,还设有以媒介入口为中心分别向支撑架下盘体外围开有的三个导流槽,每个导流槽的两侧分别有凸台E,用于承载导流槽盖板,每个导流槽的外端还设有终端孔,终端孔的位置在上述环形沟槽对应的范围内;所述导流槽盖板的外端设有与导流槽终端孔相对应的导流槽盖板端孔;所述支撑架下盘体通过导流槽与导流槽盖板焊接后再与支撑架上盘体通过真空钎焊进行焊接,然后将陶瓷柱安装在陶瓷柱孔内,再采用陶瓷柱安装螺母通过螺纹孔对陶瓷柱进行固定形成空腔。
【技术特征摘要】
1.一种多进口空腔加热支撑架,其特征在于,该加热支撑架包括支撑架上盘体,支撑架下盘体,导流槽盖板,陶瓷柱及陶瓷柱安装螺母;所述支撑架上盘体的下盘面设有凸台A,凸台B,陶瓷柱孔及热电偶孔,凸台A与凸台B形成环形沟槽,凸台B上分布有三个导流口,为媒介流入腔体内提供通道;所述陶瓷柱孔与热电偶孔的外围分别设有凸台C和凸台D;所述支撑架下盘体的上盘面上与上述陶瓷柱孔相对应的位置设有螺纹孔,在上盘面靠近中心的位置设有媒介入口、媒介出口及与上述热电偶孔位置相对应的热电偶安装螺纹孔,还设有以媒介入口为中心...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕光泉,吴凤丽,郑英杰,张建,
申请(专利权)人:沈阳拓荆科技有限公司,
类型:发明
国别省市:辽宁;21
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。