电子器件制造技术
Electronic device
The utility model discloses an electronic device, which comprises a low end HEMT with a segmented grid electrode, and a high-end HEMT coupled to the low end HEMT, wherein the low end HEMT and the high voltage HEMT are integrated into the same semiconductor die. On the other hand, the electronic devices can include the source electrode; the low end HEMT; the high-end HEMT coupled to the low end HEMT; and the resistance elements. In one embodiment, the resistance element can be coupled to the source electrode and the grid electrode of the high voltage HEMT, and in another embodiment, the resistance element can be coupled to the source electrode and the drain pole of the low end HEMT. One of the technical problems solved by the utility model is to improve the circuit including the HEMT. One of the technical effects of the utility model is to provide an improved electronic device.
【技术实现步骤摘要】
电子器件
本公开涉及电子器件，并且更具体地讲，涉及包括具有分段式栅极电极的高电子迁移率晶体管的电子器件。
技术介绍
高电子迁移率晶体管(HEMT)，尤其是GaN晶体管，因其在相对高温下承载大量电流的能力而被使用。可以使用单个HEMT，但是其具有相对大的栅极到漏极和栅极到源极电容。替代形式可包括具有Si金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和HEMT的共源共栅结构电路，其中SiMOSFET包括用于电路的开关栅。需要对包括HEMT的电路进行进一步改进。
技术实现思路
本技术解决的一个技术问题是改进包括HEMT的电路。根据本技术的一方面，提供了电子器件，该电子器件包括具有分段式栅极电极的低端HEMT，以及耦接到低端HEMT的高端HEMT，其中低端和高电压HEMT被集成在同一管芯内。在一个实施方案中，低端HEMT和高端HEMT是共源共栅结构电路的部分。在具体实施方案中，低端HEMT的分段式栅极电极是共源共栅结构电路的开关栅，并且高端HEMT的栅极电极是共源共栅结构电路的控制栅。在另一个实施方案中，低端HEMT和高端HEMT是耗尽型HEMT。在另外的实施方案中，电子器件还包括...
【技术保护点】
一种电子器件，包括：具有分段式栅极电极的低端HEMT；以及耦接到所述低端HEMT的高端HEMT，其中所述低端HEMT和高电压HEMT被集成在同一管芯内。
【技术特征摘要】
2016.04.07 US 15/092,8581.一种电子器件，包括：具有分段式栅极电极的低端HEMT；以及耦接到所述低端HEMT的高端HEMT，其中所述低端HEMT和高电压HEMT被集成在同一管芯内。2.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述低端HEMT和所述高端HEMT是共源共栅结构电路的部分。3.根据权利要求2所述的电子器件，其中所述低端HEMT的所述分段式栅极电极是所述共源共栅结构电路的开关栅，并且所述高端HEMT的栅极电极是所述共源共栅结构电路的控制栅。4.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述低端HEMT和所述高端HEMT是耗尽型HEMT。5.根据权利要求1所述的电子器件，还包括源极电极和漏极电极，其中所述源极电极耦接到所述低端HE...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·莫恩斯，J·罗伊格吉塔特，M·塔克，J·C·J·杰森斯，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国,US
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