三重堆叠半导体封装制造技术

在所描述示例中，用于形成堆叠半导体封装的方法(100)包括提供底部引线框(LF)板，该底部引线框(LF)板包括每个均包括端子的向下设置LF(101)。将低压侧(LS)晶体管附接到第一管芯附接区域(102)。将包括向下设置并互连的第一夹的第一夹板放置在底部LF板上(103)。将介电中介层附接在LS晶体管之上的第一夹上(104)。将高压侧(HS)晶体管附接在中介层上(105)。使包括第二夹的第二夹板紧密配合以互连到HS晶体管，这包括将第二夹板、第一夹板和底部LF板紧密配合在一起(106)。LF能够包括第二管芯附接区域，以及控制器管芯，该控制器管芯附接在第二管芯附接区域上，并然后控制器管芯的焊盘丝焊至端子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】三重堆叠半导体封装
本专利技术涉及包括衬底和堆叠功率器件的多芯片模块(MCM)半导体封装和相关装配方法。
技术介绍
对半导体设备更低成本、更高性能、提高的微型化和更大封装密度的需求促使了MCM封装结构产生。MCM封装包括安装在单独的半导体封装内的两个或更多管芯和可选择的其他半导体组件。多个管芯和其他组件能够以纵向的方式、横向的方式或纵向与横向组合的方式安装。一些MCM封装是包括功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET，在下文中“功率FET”)的MCM功率封装，有时在同一封装中还包括控制器管芯。用于MCM功率封装的一种已知的解决方案包括堆叠方形扁平无引脚(QFN)模块和至少第一金属夹(clip)，QFN模块其上具有带有第一功率FET的底部QFN引线框，第一金属夹上具有第二功率FET，其中一个或更多个金属夹在装配过程中从卷盘(reel)提供。在装配过程中，使用专门的拾取和放置机器将所有的一个或更多个夹附接和堆叠在底部引线框的顶部上，这涉及在对每个MCM功率封装一次一个地附接夹之前从其卷盘切断铜夹。
技术实现思路
公开的实施例确认了一种用于形成具有金属夹的堆叠多芯片模块(MCM)功率封装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成堆叠半导体封装的方法，其包括：提供底部引线框板即底部LF板，所述底部LF板包括互连的向下设置LF，每个所述互连的向下设置LF包括至少第一管芯附接区域和端子；将低压侧晶体管即LS晶体管附接到所述第一管芯附接区域；将包括向下设置并互连的第一夹的第一夹板放置在所述底部LF板上；将介电中介层即中介层附接在所述LS晶体管之上的所述第一夹中的每个上；将高压侧晶体管即HS晶体管附接在所述中介层上；以及使包括第二夹的第二夹板紧密配合以互连到所述HS晶体管，其包括使所述第二夹板、所述第一夹板和所述底部LF板紧密配合在一起。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.04 US 14/532,7431.一种用于形成堆叠半导体封装的方法，其包括：提供底部引线框板即底部LF板，所述底部LF板包括互连的向下设置LF，每个所述互连的向下设置LF包括至少第一管芯附接区域和端子；将低压侧晶体管即LS晶体管附接到所述第一管芯附接区域；将包括向下设置并互连的第一夹的第一夹板放置在所述底部LF板上；将介电中介层即中介层附接在所述LS晶体管之上的所述第一夹中的每个上；将高压侧晶体管即HS晶体管附接在所述中介层上；以及使包括第二夹的第二夹板紧密配合以互连到所述HS晶体管，其包括使所述第二夹板、所述第一夹板和所述底部LF板紧密配合在一起。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述LF进一步包括第二管芯附接区域，并且进一步包括在所述紧密配合之后：将控制器管芯附接在所述第二管芯附接区域上；并且将所述控制器管芯的焊盘丝焊至所述端子中的一个。3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括使用模具材料成型并且然后锯切以形成所述堆叠半导体封装，其中在所述成型过程中所述LF和所述第一夹的弯曲为至少0.025mm。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述LF和所述第一夹向下设置到不同长度。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述底部LF板、所述第一夹板和所述第二夹板均在它们的轨道的至少一个中具有对准孔，并且其中所述紧密配合使用所述对准孔用于对准。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述底部LF板包括方形扁平无引脚即QFN或双边扁平无引脚即DFN。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述LS晶体管和所述HS晶体管均包括场...

【专利技术属性】
技术研发人员：L·H·M·李尤金，A·F·宾阿卜杜勒阿齐兹，S·L·W·芬，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US