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本实用新型公开了一种电子器件，所述电子器件包括具有分段式栅极电极的低端HEMT，以及耦接到所述低端HEMT的高端HEMT，其中所述低端HEMT和高电压HEMT被集成在同一半导体管芯内。在另一方面，电子器件可包括源极电极；低端HEMT；耦接到...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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