蒸发源和蒸镀装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种蒸发源和蒸镀装置，该蒸发源包括：坩埚本体和坩埚上盖，坩埚本体上与坩埚上盖接触的表面为第一表面，坩埚上盖上与第一表面相接触的表面为第二表面，第一表面和第二表面中的一者上设置有凸结构，另一者上对应凸结构的位置设置有与凸结构相对应的凹结构。本实用新型专利技术的技术方案通过在坩埚本体和坩埚上盖上分别设置的凸结构和凹结构，凸结构与凹结构进行凹凸配合，以实现坩埚上盖与坩埚本体的紧密固定，从而有效防止坩埚上盖和坩埚本体之间出现相对滑动，进而避免蒸发气体出现泄漏。

Evaporation source and evaporation device

The utility model discloses an evaporation source and a vapor deposition device, the evaporation source includes a crucible body and a crucible cover, the surface of crucible body and the crucible cover for the first contact surface, the surface of the crucible covered on the first surface and the second contact surface, a first surface and a second surface. A boss is arranged on the corresponding position of the convex structure structure, another is provided with a convex structure corresponding to the concave structure. The technical scheme of the utility model through the convex and concave structure are respectively arranged in the crucible and the crucible body on the upper cover, convex concave and convex concave structure and structure, to achieve the crucible cover and the crucible body tightly fixed, so as to effectively prevent the relative sliding between the crucible cover and the crucible body, thereby avoiding leakage of evaporation gas.

【技术实现步骤摘要】
蒸发源和蒸镀装置
本技术涉及显示
，特别涉及一种蒸发源和蒸镀装置。
技术介绍
图1为现有技术中线性蒸发源的截面示意图，图2为图1中区域A的放大示意图，如图1和图2所示，该线性蒸发源包括：坩埚本体1和坩埚上盖2(含喷嘴3)，在蒸镀过程中，需要将坩埚上盖2固定于坩埚本体1的上方，坩埚本体1和坩埚上盖2以围成一个密闭腔室。然而，在实际应用中发现，由于坩埚本体1和坩埚上盖2两者相接触的表面4十分光滑，在蒸镀过程中随着密闭腔室内压强增大，使得坩埚本体1和坩埚上盖2之间出现相对滑动，并出现间隙，从而导致蒸发气体泄漏的问题，影响正常工艺进行。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种蒸发源和蒸镀装置。为实现上述目的，本技术提供了一种蒸发源，包括：坩埚本体和坩埚上盖，坩埚本体上与坩埚上盖接触的表面为第一表面，坩埚上盖上与所述第一表面相接触的表面为第二表面，所述第一表面和所述第二表面中的一者上设置有凸结构，另一者上对应所述凸结构的位置设置有与所述凸结构相对应的凹结构。可选地，所述凸结构和/或所述凹结构的表面设置有热膨胀层，所述热膨胀层的热膨胀系数大于所述凹结构的热膨胀系数。可选地，所述凹结构的材料包括：金属钛。可选地，所述热膨胀层的材料包括金属铜、金属铝或金属铁。可选地，所述凸结构的热膨胀系数大于所述凹结构的热膨胀系数。可选地，所述凸结构在所述第一表面上的正投影沿着所述第一表面的形状围绕一周。可选地，所述凸结构的数量为多个，多个凸结构层层套置。可选地，所述凸结构的纵向截面形状为矩形或三角形。可选地，所述坩埚本体包括：本体底部和位于所述本体底部一侧的本体侧壁部，所述第一表面为所述本体侧壁部的端部且朝向所述坩埚上盖的表面；所述坩埚上盖包括：上盖底部和位于所述上盖底部一侧的上盖侧壁部，所述第二表面为所述上盖侧壁部的端部且朝向所述坩埚本体的表面。可选地，所述凸结构与与其所固定的所述本体侧壁部或所述上盖侧壁部一体成型。可选地，还包括：固定螺丝；所述本体侧壁部的外侧面设置有第一连接部，所述本体侧壁部的外侧面设置有第二连接部，所述第一连接部上设置有第一通孔，所述第二连接部上设置有第二通孔；所述固定螺丝穿过所述第一通孔和所述第二通孔将所述第一连接部和所述第二连接部固定。为实现上述目的，本技术还提供了一种蒸镀装置，包括如上述的蒸发源。本技术具有以下有益效果：本技术提供了一种蒸发源和蒸镀装置，该蒸发源包括：坩埚本体和坩埚上盖，坩埚本体上用于与坩埚上盖接触的表面为第一表面，坩埚上盖上用于与第一表面相接触的表面为第二表面，第一表面和第二表面中的一者上设置有凸结构，另一者上对应凸结构的位置设置有与凸结构相对应的凹结构。本技术的技术方案通过在坩埚本体和坩埚上盖上分别设置的凸结构和凹结构，凸结构与凹结构进行凹凸配合，以实现坩埚上盖与坩埚本体的紧密固定，从而有效防止坩埚上盖和坩埚本体之间出现相对滑动，进而避免蒸发气体出现泄漏。附图说明图1为现有技术中线性蒸发源的截面示意图；图2为图1中区域A的放大示意图；图3为本技术实施例一提供的一种蒸发源的纵向截面示意图；图4为图3中A区域的放大示意图；图5为图3中坩埚上盖的仰视图；图6为图3中坩埚本体的俯视图；图7为凹结构和凸结构发生热膨胀时的示意图；图8为本技术实施例二提供的一种蒸发源的纵向截面示意图；图9为图8中A区域的放大示意图；图10为热膨胀层、凹结构和凸结构发生热膨胀时的示意图；图11为本技术实施例一提供的一种蒸发源的截面示意图；图12为图11中A区域的放大示意图；图13为图11中坩埚上盖的仰视图；图14为图11中坩埚本体的俯视图。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图对本技术提供的一种蒸发源和蒸镀装置进行详细描述。图3为本技术实施例一提供的一种蒸发源的纵向截面示意图，图4为图3中A区域的放大示意图，如图3和图4所示，该蒸发源包括：坩埚本体1和坩埚上盖2，坩埚本体1上与坩埚上盖2接触的表面为第一表面103，坩埚上盖2上与第一表面103相接触的表面为第二表面203，第一表面103和第二表面203中的一者上设置有凸结构5，另一者上对应凸结构5的位置设置有与凸结构5相对应的凹结构6。本实施例中以凸结构5位于第一表面103，凹结构6位于第二表面203为例进行示例型说明。其中，凸结构5为设置于第一表面103的凸起，凹结构6为设置于第二表面203的凹槽。在进行蒸镀工艺时，将坩埚上盖2置于坩埚本体1的上方，且位于坩埚本体1上的凸结构5与位于坩埚上盖2上的凹结构6进行凹凸配合，以实现坩埚上盖2与坩埚本体1的紧密固定，从而有效防止坩埚上盖2和坩埚本体1之间出现相对滑动，进而避免蒸发气体出现泄漏。优选地，本技术中凸结构5的数量为多个，设置多个凸结构5可进一步地提升坩埚上盖2与坩埚本体1之间固定的紧密性。在实施例中，坩埚本体1包括：本体底部101和位于本体底部101一侧的本体侧壁部102，坩埚上盖2包括：上盖底部201和位于本体底部101一侧的上盖侧壁部202，本体侧壁部102的端部与上盖侧壁部202的端部相对设置。此时，第一表面103具体为本体侧壁部102的端部且朝向上盖侧壁部202的表面，第二表面203具体为上盖侧壁部202的端部且朝向本体侧壁部102的表面。本实施例中可选的，凸结构5的纵向截面形状为矩形，相应地，凹结构6的截面形状为矩形。将凹结构6和凸结构5的截面形状设计为矩形，可在避免坩埚上盖2和坩埚本体1之间出现相对滑动的同时，方便坩埚上盖2与坩埚本体1结合操作和分离操作。需要说明的是，本技术中的凸结构5的截面形状还可以为其他形状，例如三角形、半圆形。对于其他适用于本技术中凸结构5的截面形状，此处不再一一举例。图5为图3中坩埚上盖的仰视图，图6为图3中坩埚本体的俯视图，如图5和图6所示，凸结构5(凹结构6)在第一表面103上的正投影沿着第一表面103的形状(口字形)围绕一周，此时即便坩埚上盖2被内部高压顶起，上盖侧壁部202的端部与本体侧壁部102的端部分离，然而由于上盖侧壁部202的端部与本体侧壁部102的端部之间存在围绕一周的凸结构5，该凸结构5能阻挡蒸发气体从两端部之间的缝隙处泄漏，即工艺腔室能维持密封状态。需要说明的是，附图中本体侧壁部102的端部呈口字形的情况，仅起到示例性作用，其不会对本技术的技术方案产生限制，在本技术中本体侧壁部102的端部还能围城其他形状，例如圆形、三角形。此外，本实施例中凸结构5(凹结构6)在第一表面103上的正投影沿着第一表面103的形状围绕一周的情况，为本技术中的一种优选方案，可在上盖侧壁部202的端部与本体侧壁部102的端部分离时有效避免蒸发气体从两端部之间的缝隙处泄漏，其不会对本技术的技术方案产生限制，本技术中的凸结构5还可为其他形状，例如直条状、块状。本实施例中，优选地，凸结构5与本体侧壁部102一体成型，可有效提升凸结构5与本体侧壁部102之间连接的牢固性。需要说明的是，上述凸结构5位于本体侧壁部102的端部的第一表面103，凹结构6位于上盖侧壁部202的第二表面203的情况仅起到示例性作用；在本实用新本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蒸发源，其特征在于，包括：坩埚本体和坩埚上盖，坩埚本体上与坩埚上盖接触的表面为第一表面，坩埚上盖上与所述第一表面相接触的表面为第二表面，所述第一表面和所述第二表面中的一者上设置有凸结构，另一者上对应所述凸结构的位置设置有与所述凸结构相对应的凹结构。

【技术特征摘要】
1.一种蒸发源，其特征在于，包括：坩埚本体和坩埚上盖，坩埚本体上与坩埚上盖接触的表面为第一表面，坩埚上盖上与所述第一表面相接触的表面为第二表面，所述第一表面和所述第二表面中的一者上设置有凸结构，另一者上对应所述凸结构的位置设置有与所述凸结构相对应的凹结构。2.根据权利要求1所述的蒸发源，其特征在于，所述凸结构和/或所述凹结构的表面设置有热膨胀层，所述热膨胀层的热膨胀系数大于所述凹结构的热膨胀系数。3.根据权利要求2所述的蒸发源，其特征在于，所述凹结构的材料包括：金属钛。4.根据权利要求3所述的蒸发源，其特征在于，所述热膨胀层的材料包括金属铜、金属铝或金属铁。5.根据权利要求1所述的蒸发源，其特征在于，所述凸结构的热膨胀系数大于所述凹结构的热膨胀系数。6.根据权利要求1所述的蒸发源，其特征在于，所述凸结构在所述第一表面上的正投影沿着所述第一表面的形状围绕一周。7.根据权利要求6所述的蒸发源，其特征在于，所述凸结构的数量为多个，多个凸结构层层套...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾晓晨，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：新型
国别省市：北京,11