The utility model discloses a bubble type adjustable polysilicon reducing furnace nozzle, including blister nozzle assembly and nozzle connected, the blister nozzle assembly includes a nozzle base and blister type nozzle, wherein one end of the nozzle and the nozzle is connected to the base, and the other end of the blister nozzle is connected with one end of the the other end of the central and global bell nozzle side is provided with a through hole; the through hole hole diameter and hole rate according to the furnace body and chassis structure can be adjusted according to the height of nozzle position of nozzle adjustable chassis, can satisfy on uniform deposition conditions and the top speed of the silicon ring axial gas jet, and circumferential the gas can be achieved at the bottom of the gas flow and the concentration is uniform, but not at the bottom of the silicon rod forming air impact. At the same time, the nozzle can realize the adjustable height and flow rate.
【技术实现步骤摘要】
一种泡罩式可调节多晶硅还原炉喷嘴
本技术涉及多晶硅生产
,尤其涉及一种泡罩式可调节多晶硅还原炉喷嘴。
技术介绍
改良西门子法的生产流程是利用氯气和氢气合成氯化氢(或外购氯化氢),氯化氢和硅粉在一定温度下合成三氯氢硅,然后提纯三氯氢硅后与氢气按一定比例混合后,在一定的温度压力下从还原炉的底盘上的进气口进入炉体内,在通电的高温硅棒上沉积生成多晶硅,反应尾气经底盘上的出气口排出。还原炉在运行过程中,固定在底盘上的进气喷嘴将三氯氢硅和氢气等工艺气体喷射到炉内空间发生还原反应,硅芯直径一般从8~10mm长到150~180mm。还原炉内的气体流动后受硅棒分布、出气口结构的影响,当气体原料通过进气喷嘴喷射到还原炉中时,喷嘴中心喷射速度较高,但靠近喷嘴附近的气体流动速率低,不利于还原反应的进行,同时气体流动造成还原炉内下部工艺气体浓度偏低,并且导致还原产生的Si具有向上运动的趋势,从而导致硅棒在生长过程中上部粗下部细,如果硅棒上下粗细相差悬殊,容易发生倒棒现象。目前采用的进气喷嘴多为直喷型,即用于提供气流的流通通道呈直筒状,还采用缩小进气管口径增加中心气流速度,形成气体流动大循环,此方法使工艺气体大量涌到顶部,使顶部气体浓度过高,导致硅棒上粗下细,容易在反应中途硅棒顶部间隙小,不能继续生长。为此,己有不少专利对进气喷嘴结构进行了改进,如中国专利公开号CN201678459U,公开了一种有特殊流道的整体式喷嘴,该喷嘴中心缩颈提高了气体的整体流速,又有螺旋部分气体向外扩散,满足了硅棒下端的气体需求,但是由于整体式结构的局限性会导致扩散气体速度大,从而对硅棒下端产生较大的 ...
【技术保护点】
一种泡罩式可调节多晶硅还原炉喷嘴,其特征在于,所述泡罩式可调节多晶硅还原炉喷嘴包括相连的泡罩喷头组件和接管,所述泡罩喷头组件包括喷头底座和泡罩式喷头,所述喷头底座一端与所述接管相连,另一端与所述泡罩式喷头一端相连,所述泡罩式喷头另一端的中心和侧面上设有通孔。
【技术特征摘要】
1.一种泡罩式可调节多晶硅还原炉喷嘴,其特征在于,所述泡罩式可调节多晶硅还原炉喷嘴包括相连的泡罩喷头组件和接管,所述泡罩喷头组件包括喷头底座和泡罩式喷头,所述喷头底座一端与所述接管相连,另一端与所述泡罩式喷头一端相连,所述泡罩式喷头另一端的中心和侧面上设有通孔。2.根据权利要求1所述的泡罩式可调节多晶硅还原炉喷嘴,其特征在于,所述喷头底座与接管相连的一端外侧设有螺纹,所述接管与所述喷头底座相连的一端设有内孔螺纹。3.根据权利要求1所述的泡罩式可调节多晶硅还原炉喷嘴,其特征在于,所述接管的另一...
【专利技术属性】
技术研发人员:程佳彪,张华芹,缪锦泉,
申请(专利权)人:上海韵申新能源科技有限公司,
类型:新型
国别省市:上海,31
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