The utility model provides an insulating member polysilicon reduction furnace, which comprises a reduction furnace and electrode between the chassis copper ring, ceramic ring electrode and the insulating sleeve, wherein the copper ring is sheathed on the electrode and the electrode interference fit, electrode insulating sleeve is embedded into the reduction furnace chassis, between the porcelain ring is inserted into the copper ring with the electrode insulating sleeve, electrode is mounted on the chassis of the reduction furnace. The insulating member of the polysilicon reduction furnace described by the utility model can improve the insulation property between the chassis of the reducing furnace and the electrode.
【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅还原炉绝缘构件
本技术涉及多晶硅生产
,具体涉及一种多晶硅还原炉绝缘构件。
技术介绍
目前,在多晶硅生产过程中,使用最广泛的生产工艺是化学气相沉积法(CVD,ChemicalVaporDeposition)。此法是通过对多晶硅沉积载体通电进行加热,以使还原炉内气体发生反应而生成硅并沉积在载体上。还原炉内发生的反应为高温反应,发生击穿时的电压最高可达12000V。目前,在多晶硅行业中,还原炉底盘与电极之间一般使用聚四氟乙烯套(即四氟套)和内外瓷环套件进行绝缘。但是,各个绝缘部件与电极之间存在缝隙,容易使硅粉进入,从而降低绝缘效果。内外瓷环套件的爬电距离较低,因此后期在其高温表面沉积硅之后会导致其绝缘性能降低。而且,由于还原炉内发生的反应为高温反应,随着温度的增加,四氟套的绝缘性降低,容易被击穿,导致还原炉内污染,从而影响硅棒质量。可见,还原炉底盘与电极之间的绝缘性能对于多晶硅生产过程十分重要。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对现有技术中所存在的上述缺陷,提供一种能够提高还原炉底盘与电极之间的绝缘性能的多晶硅还原炉绝缘构件。解决本技术技术问题所采用的技术方案是:本技术提供一种多晶硅还原炉绝缘构件,其包括位于还原炉底盘与电极之间的紫铜圈、瓷环和电极绝缘套,其中紫铜圈套装在电极上并与电极之间过盈配合,电极绝缘套嵌入至还原炉底盘内,瓷环插入至紫铜圈与电极绝缘套之间,电极安装在还原炉底盘上。可选地,所述瓷环采用整体式结构。可选地,所述瓷环从电极与还原炉底盘之间的空隙中向上伸出,且伸出至还原炉底盘上方的部位为瓷环上部,其余部位为瓷环下部;瓷环上部的外 ...
【技术保护点】
一种多晶硅还原炉绝缘构件,其特征在于,包括位于还原炉底盘与电极之间的紫铜圈、瓷环和电极绝缘套,其中紫铜圈套装在电极上并与电极之间过盈配合,电极绝缘套嵌入至还原炉底盘内,瓷环插入至紫铜圈与电极绝缘套之间,电极安装在还原炉底盘上。
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅还原炉绝缘构件,其特征在于,包括位于还原炉底盘与电极之间的紫铜圈、瓷环和电极绝缘套,其中紫铜圈套装在电极上并与电极之间过盈配合,电极绝缘套嵌入至还原炉底盘内,瓷环插入至紫铜圈与电极绝缘套之间,电极安装在还原炉底盘上。2.根据权利要求1所述的绝缘构件,其特征在于,所述瓷环采用整体式结构。3.根据权利要求2所述的绝缘构件,其特征在于,所述瓷环从电极与还原炉底盘之间的空隙中向上伸出,且伸出至还原炉底盘上方的部位为瓷环上部,其余部位为瓷环下部;瓷环上部的外径大于瓷环下部的外径。4.根据权利要求3所述的绝缘构件,其特征在于,所述瓷环顶部靠近电极的位置设有环形缺口,该缺口内设有环状瓷环压紧件,且瓷环压紧件的内侧设置有螺纹,紫铜圈的外侧设置有螺纹,通过瓷环压紧件的内螺纹与紫铜圈的外螺纹进行螺纹连接以向下压紧瓷环,并实现瓷环与紫铜圈之间的密封。5.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:李大伟,呼维军,蔡芳芳,刘长圣,张瑜龙,梁建龙,王玉丽,
申请(专利权)人:新特能源股份有限公司,
类型:新型
国别省市:新疆,65
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