一种薄膜晶体管及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于半导体材料领域，公开了一种薄膜晶体管及其制备方法和应用。所述薄膜晶体管由衬底、衬底上设置的栅极、栅极表面包覆的绝缘层、绝缘层上表面的有源层、有源层两侧的源漏电极和最外层的钝化层构成；所述源漏电极与有源层和绝缘层两侧及衬底上表面接触，所述钝化层覆盖源漏电极和有源层外表面。本发明专利技术使用电阻率较低的铜来取代传统的铝作为源漏电极材料，所得器件获得了低阻抗延迟的效果，而且通过在器件外表面沉积一层钝化层，会在有源层表面提高载流子浓度和加速载流子的传输，从而提高迁移率。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制备方法和应用
本专利技术属于半导体材料领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法和应用。
技术介绍
近年来，由于面板朝着大尺寸、高分辨率和高刷新速率方向发展，对薄膜晶体管(ThinFilmTransistors，TFT)的性能提出了更高的要求。显示器件需要更低的阻抗延迟以满足需求，氧化物薄膜晶体管因为其高迁移率，均匀性好，低成本的特点，得到了广泛的应用。因此如何获得器件低阻抗延迟是本领域技术人员需要解决的问题。
技术实现思路
针对以上现有技术存在的缺点和不足之处，本专利技术的首要目的在于提供一种薄膜晶体管。本专利技术的另一目的在于提供上述薄膜晶体管的制备方法。本专利技术的再一目的在于提供上述薄膜晶体管作为显示器件的像素开关的应用。本专利技术目的通过以下技术方案实现：一种薄膜晶体管，由衬底、衬底上设置的栅极、栅极表面包覆的绝缘层、绝缘层上表面的有源层、有源层两侧的源漏电极和最外层的钝化层构成；所述源漏电极与有源层和绝缘层两侧及衬底上表面接触，所述钝化层覆盖源漏电极和有源层外表面。所述的衬底是玻璃、石英、单晶硅、蓝宝石或塑料。所述的栅极的材料为铝、多晶硅、铜、钼、铬或上述材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于：所述薄膜晶体管由衬底、衬底上设置的栅极、栅极表面包覆的绝缘层、绝缘层上表面的有源层、有源层两侧的源漏电极和最外层的钝化层构成；所述源漏电极与有源层和绝缘层两侧及衬底上表面接触，所述钝化层覆盖源漏电极和有源层外表面。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于：所述薄膜晶体管由衬底、衬底上设置的栅极、栅极表面包覆的绝缘层、绝缘层上表面的有源层、有源层两侧的源漏电极和最外层的钝化层构成；所述源漏电极与有源层和绝缘层两侧及衬底上表面接触，所述钝化层覆盖源漏电极和有源层外表面。2.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征在于：所述的衬底是玻璃、石英、单晶硅、蓝宝石或塑料。3.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征在于：所述的栅极的材料为铝、多晶硅、铜、钼、铬或上述材料的合金；所述栅极的厚度为50-10000nm。4.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征在于：所述绝缘层的厚度为2-1000nm。5.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征在于：所述的有源层为钕铝铟锌氧化物薄膜；所述有源层的厚度为5-200nm。6.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征在于：所述的源漏电极的材料为纯铜或铜合金。7.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征在于：所述绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁洪龙，胡诗犇，彭俊彪，姚日晖，卢宽宽，陶瑞强，蔡炜，刘贤哲，陈建秋，徐苗，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东,44