薄膜晶体管阵列面板及相关制造方法技术

提供了一种薄膜晶体管阵列面板和相关制造方法。所述薄膜晶体管阵列面板包括晶体管，所述晶体管可以包括半导体、源电极、漏电极和栅电极。半导体可以包括第一掺杂区、第二掺杂区、源区、漏区和沟道区。沟道区设置在源区与漏区之间。第一掺杂区设置在沟道区与源区之间。第二掺杂区设置在沟道区与漏区之间。第一掺杂区的掺杂浓度低于源区的掺杂浓度。第二掺杂区的掺杂浓度低于漏区的掺杂浓度。源电极电连接到源区。漏电极电连接到漏区。栅电极与沟道区叠置。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管阵列面板及相关制造方法本申请要求于2016年9月5日提交到韩国知识产权局的第10-2016-0114087号韩国专利申请的优先权和权益；所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

涉及晶体管(例如，薄膜晶体管)、薄膜晶体管阵列面板以及晶体管和/或薄膜晶体管阵列面板的制造方法。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)可以用于诸如显示装置的电子装置。TFT可以包括连接到用于传输扫描信号的栅极线的栅电极、连接到用于将信号传输到像素电极的数据线的源电极、面对源电极的漏电极以及电连接到源电极和漏电极中的每个的半导体。在此
技术介绍
部分公开的上述信息用于增强对描述的技术的背景的理解。
技术介绍
部分可以包含不形成对于本领域的普通技术人员来说在本国已知的现有技术的信息。
技术实现思路
实施例可以涉及晶体管(例如，薄膜晶体管)、薄膜晶体管阵列面板以及晶体管和/或薄膜晶体管阵列面板的制造方法。实施例可以防止晶体管的轻掺杂区中的不利的电流减小或者使晶体管的轻掺杂区中的不利的电流减小最小化。实施例可以涉及一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括下面的元件：基底；下栅电极，设置在基底上并包括多晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：基底；下栅电极，设置在所述基底上并包括多晶硅；半导体，设置在所述下栅电极上并包括沟道区、分别设置在所述沟道区的相对侧处的源区和漏区、设置在所述沟道区与所述源区之间的第一轻掺杂区以及设置在所述沟道区与所述漏区之间的第二轻掺杂区；上栅电极，设置在所述半导体上；源电极，连接到所述半导体的所述源区；以及漏电极，连接到所述半导体的所述漏区。

【技术特征摘要】
2016.09.05 KR 10-2016-01140871.一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：基底；下栅电极，设置在所述基底上并包括多晶硅；半导体，设置在所述下栅电极上并包括沟道区、分别设置在所述沟道区的相对侧处的源区和漏区、设置在所述沟道区与所述源区之间的第一轻掺杂区以及设置在所述沟道区与所述漏区之间的第二轻掺杂区；上栅电极，设置在所述半导体上；源电极，连接到所述半导体的所述源区；以及漏电极，连接到所述半导体的所述漏区。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板还包括设置在所述半导体与所述上栅电极之间的栅极绝缘层，其中，所述栅极绝缘层的宽度比所述上栅电极的宽度宽。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述半导体包括氧化物半导体材料。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述半导体的表面是结晶化的。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板还包括：钝化层，设置在所述半导体和所述上栅电极上；第一接触孔，形成在所述钝化层中以与所述半导体的所述源区叠置；第二接触孔，形成在所述钝化层中以与所述半导体的所述漏区叠置；第一虚设孔，形成在所述钝化层中以与所述半导体的所述第一轻掺杂区叠置；以及第二虚设孔，形成在所述钝化层中以与所述半导体的所述第二轻掺杂区叠置。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述源电极通过所述第一接触孔连接到所述半导体的所述源区，并且所述漏电极通过所述第二接触孔连接到所述半导体的所述漏区。7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区设置为与所述半导体的表面邻近。8.一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：基底；半导体，设置在所述基底上并包括沟道区、分别设置在所述沟道区的相对侧处的源区和漏区、设置在所述沟道区与所述源区之间的第一轻掺杂区以及设置在所述沟道区与所述漏区之间的第二轻掺杂区；上栅电极，设置在所述半导体上；钝化层，设置在所述半导体和所述上栅电极上；第一接触孔，形成在所述钝化层中以与所述半导体的所述源区叠置；第二接触孔，形成在所述钝化层中以与所述半导体的所述漏区叠置；第一虚设孔，形成在所述钝化层中以与所述半导体的所述第一轻掺杂区叠置；第二虚设孔，形成在所述钝化层中以与所述半导体的所述第二轻掺杂区叠置；源电极，通过所述第一接触孔连接到所述半导体的所述源区；以及漏电极，通过所述第二接触孔连接到所述半导体的所述漏区。9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区设置为与所述半导体的表面邻近。10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述半导体由氧化物半导体材料制成，并且所述半导体的表面是结晶化的。11.一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，所述制造方法包括：通过低温多晶硅工艺在基底上形成下栅电极；在所述下栅电极上形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴晙皙，林志勋，金宰范，林俊亨，孙暻锡，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR